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      一起來(lái)了解半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)

      黃輝 ? 來(lái)源：jf_81801083 ? 作者：jf_81801083 ? 2025-07-04 11:39 ? 次閱讀
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      一、核心技術(shù)特性

      ?高精度測(cè)試能力?

      電壓測(cè)試范圍覆蓋0-3300V（可擴(kuò)展），分辨率達(dá)1mV；電流測(cè)試范圍0-2500A，分辨率最低至0.1nA，測(cè)試精度控制在0.2%+2LSB

      采用脈沖測(cè)試法（脈寬300μs-5ms）抑制溫升，結(jié)合Kelvin四線消除接觸電阻誤差，確保大功率器件極限參數(shù)準(zhǔn)確性

      ?高效智能化操作?

      單參數(shù)測(cè)試速度達(dá)0.5ms/參數(shù)，百點(diǎn)I-V曲線生成僅需數(shù)秒

      支持自動(dòng)分檔編程與16Bin分選機(jī)對(duì)接，量產(chǎn)測(cè)試效率達(dá)10,000件/小時(shí)

      ?全兼容測(cè)試范圍?

      覆蓋硅基器件至第三代半導(dǎo)體（SiC/GaN），支持IGBT、MOSFET、晶閘管等12類(lèi)器件40+靜態(tài)/動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試

      模塊化夾具適配TO/SOT/QFN等封裝，無(wú)需額外設(shè)備

      二、關(guān)鍵測(cè)試功能

      測(cè)試類(lèi)型 核心參數(shù)示例 應(yīng)用場(chǎng)景
      ?靜態(tài)特性? VGE(th)、BVDSS、RDS(on)、漏電流（低至1.5pA） 來(lái)料檢驗(yàn)/失效分析
      ?動(dòng)態(tài)特性? 開(kāi)關(guān)時(shí)間（10ns-10s）、Qg柵極電荷、反向恢復(fù)時(shí)間 器件選型/可靠性驗(yàn)證
      ?極限參數(shù)? SOA安全工作區(qū)、雪崩耐量、熱阻特性 研發(fā)驗(yàn)證/車(chē)規(guī)認(rèn)證(AEC-Q101)

      三、系統(tǒng)應(yīng)用場(chǎng)景

      ?工業(yè)制造?：電力設(shè)備產(chǎn)線IGBT模塊分選、新能源汽車(chē)電控系統(tǒng)器件檢驗(yàn)

      ?科研教育?：高校半導(dǎo)體特性教學(xué)演示、研究所SiC器件熱穩(wěn)定性評(píng)估

      ?國(guó)防軍工?：航天元器件可靠性篩選（累計(jì)超500萬(wàn)只器件驗(yàn)證）

      四、典型系統(tǒng)配置

      以西安中昊芯測(cè)SC2010/SC2020為代表的新一代國(guó)產(chǎn)設(shè)備具備：

      主機(jī)單元 + 溫控夾具套件（-55℃~+150℃模擬）

      專業(yè)測(cè)試軟件（LabVIEW平臺(tái)開(kāi)發(fā)，支持CSV/Excel導(dǎo)出）

      門(mén)極過(guò)電保護(hù)適配器與自診斷代碼系統(tǒng)

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      審核編輯 黃宇

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