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新品 | 用于CoolSiC? MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的雙脈沖測試評估板

英飛凌工業(yè)半導體 ? 2025-06-12 17:33 ? 次閱讀
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新品

用于CoolSiC MOSFET

FF6MR20W2M1H_B70的

雙脈沖測試評估板

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評估板是用于評估采用1ED3890MC12M柵極驅動器的FF6MR20W2M1H_B70 CoolSiC SiC MOSFET模塊。用戶可以通過雙脈沖測試來評估器件性能。目標應用為電動汽車充電,ESS PFC,直流-直流變換器和太陽能等。


這是一個用于測試半橋配置的2kV CoolSiC EasyDUAL 2B MOSFET的雙脈沖測試評估板。它可以可靠、快速的使用1ED3890MC12M EiceDRIVER驅動2kV SiC半橋電路。


產品型號:

EVAL-FFXMR20W2M1HS

EVAL-FFXMR20W2M1HR


所用器件:

FF6MR20W2M1H_B70 6mΩ 2kV M1H SiC MOSFET

1ED3890MC12M 2300V單通道高度靈活的隔離柵極驅動器,可通過I2C配置DESAT、軟關斷、UVLO、米勒鉗位、TLTO和故障


產品特點

用于評估Easy 2B FF6MR20W2M1H_70 2千伏SiC MOSFET半橋模塊,采用CoolSiC溝槽柵SiC MOSFET技術

驅動IC 1ED3890MC12M帶I2C總線,用于參數(shù)調整

用于雙脈沖測試的大容量直流母線電容器

有兩種版本,可選擇使用Rogowski線圈或同軸分流器進行電流測量

應用價值


132 μF板載大容量薄膜電容

壓接式FF6MR20W2M1H模塊

負柵極驅動電壓可以調整


框圖


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應用領域


電動汽車充電

ESS PFC

直流-直流變換器

太陽能應用

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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