在功率器件的世界里，開關(guān)損耗是一個繞不開的關(guān)鍵話題。

對于追求高效能的現(xiàn)代電子設(shè)備而言，理解并優(yōu)化開關(guān)損耗至關(guān)重要。

PART.01功率器件的 “開關(guān)損耗” 究竟是什么？

功率器件在電路中承擔(dān)著控制電流通斷的重任。開關(guān)損耗，簡單來說，就是功率管在開通和關(guān)斷過程中產(chǎn)生的功率損耗，它包括開通損耗和關(guān)斷損耗。

當(dāng)功率管開通時，其電壓不會瞬間降至零，電流也不會立刻上升到負載電流，二者存在一個交疊區(qū)，此時便產(chǎn)生了開通損耗。同理，關(guān)斷時，功率管的電流不會馬上變?yōu)榱?，電壓卻已開始上升，這一過程同樣會導(dǎo)致?lián)p耗，即關(guān)斷損耗。

另外，在開關(guān)電源中，對大型mos管進行開關(guān)操作時，對寄生電容的充放電也會引發(fā)開關(guān)損耗。開關(guān)損耗與開關(guān)頻率成正比，頻率越高，損耗越大。

在硬開關(guān)電路中，每次開關(guān)動作的導(dǎo)通和關(guān)斷過程中，電壓與電流的交疊會產(chǎn)生開關(guān)損耗。開關(guān)損耗的計算公式為：單次開關(guān)損耗×開關(guān)頻率。當(dāng)開關(guān)頻率提高時，單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)增加，由于硬開關(guān)的每次動作的損耗（由電壓、電流的交疊時間決定）基本固定，總開關(guān)損耗會與頻率成正比增加?。而且，一般情況下，截止損耗要比導(dǎo)通損耗大得多。

PART.02 GaN/SiC 如何優(yōu)化開關(guān)損耗？

GaN作為第三代半導(dǎo)體材料，具有卓越的性能。其電子遷移率極高，這使得功率器件能夠在更短的時間內(nèi)完成開關(guān)動作。開關(guān)時間大幅縮短，意味著電流與電壓交疊的時間減少，從而直接降低了開關(guān)損耗。并且，GaN晶體管沒有體二極管，避免了體二極管反向恢復(fù)過程中產(chǎn)生的額外損耗。

在實際應(yīng)用中，例如在高頻開關(guān)電源里，使用GaN功率器件，開關(guān)頻率可以輕松提升至幾百kHz甚至更高，同時保持較低的開關(guān)損耗，極大地提高了電源的轉(zhuǎn)換效率。

SiC同樣是優(yōu)化開關(guān)損耗的一把好手。它的擊穿電場強度高，能夠承受更高的電壓，降低了器件導(dǎo)通電阻。在開關(guān)過程中，較低的導(dǎo)通電阻意味著更小的電流損耗。而且，SiC MOSFET的體二極管反向恢復(fù)時間極短，減少了關(guān)斷時的損耗。

當(dāng)應(yīng)用于高壓大功率場景，如電動汽車的充電樁、工業(yè)逆變器等，SiC功率器件憑借其低開關(guān)損耗的特性，能顯著提升系統(tǒng)效率，減少能源浪費。

PART.03芯干線：將 GaN/SiC 優(yōu)勢發(fā)揮到極致

芯干線專注于功率器件領(lǐng)域，深刻洞察GaN和SiC的潛力，并將其充分運用到產(chǎn)品中。我們的GaN和SiC功率器件產(chǎn)品，經(jīng)過精心設(shè)計與嚴(yán)格測試，在優(yōu)化開關(guān)損耗方面表現(xiàn)出色。

以芯干線的氮化鎵充電器為例，利用GaN材料低開關(guān)損耗的特性，實現(xiàn)了高功率輸出與快速充電，同時保持小巧的體積和較低的發(fā)熱。在工業(yè)應(yīng)用中，芯干線的碳化硅功率模塊，助力提升電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率，降低運營成本。

?芯干線GaN/SiC功率器件產(chǎn)品通過采用高頻、高壓、高溫下的高性能材料，提升產(chǎn)品性能，降低系統(tǒng)損耗，從而顯著提高了功率轉(zhuǎn)換效率?。所以，選擇芯干線的GaN/SiC功率器件產(chǎn)品，就是選擇高效、低耗的解決方案，為您的電子設(shè)備和系統(tǒng)注入強大動力，開啟節(jié)能高效的新征程。

關(guān)于芯干線

芯干線科技是一家由功率半導(dǎo)體資深海歸博士、電源行業(yè)市場精英和一群有創(chuàng)業(yè)夢想的年輕專業(yè)人士所創(chuàng)建寬禁帶功率器件原廠。2022年被評為規(guī)模以上企業(yè)，2023年國家級科技型中小企業(yè)、國家級高新技術(shù)企業(yè)，通過了ISO9001生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認(rèn)證。在2024年通過了IATF16949汽車級零部件生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認(rèn)證。

公司自成立以來，深耕于功率半導(dǎo)體Si MOS & IGBT、GaN HEMT、SiC MOS & SBD、IGBT 和 SiC Module等功率器件及模塊的研發(fā)和銷售。產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于消費、光伏、儲能、汽車、Ai服務(wù)器、工業(yè)自動化等能源電力轉(zhuǎn)換與應(yīng)用領(lǐng)域。

公司總部位于南京，分公司遍布深圳、蘇州、江蘇等國內(nèi)多地，并延伸至北美與臺灣地區(qū)，業(yè)務(wù)版圖不斷拓展中。