基于LTSpice的GaN開關(guān)損耗的仿真總結(jié)

一、概述

• ?提供模型?：GaN Systems為GaN增強(qiáng)型HEMT提供了Pspice/LTSpice仿真模型。
• ?測(cè)試電路?：本文介紹了一個(gè)在LTSpice中的半橋雙脈沖測(cè)試電路，用作評(píng)估不同電氣參數(shù)下開關(guān)性能的測(cè)試平臺(tái)。
• ?仿真與對(duì)比?：仿真了開關(guān)損耗，并與實(shí)驗(yàn)室測(cè)量結(jié)果進(jìn)行了對(duì)比。

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二、半橋雙脈沖測(cè)試電路設(shè)置

• ?仿真參數(shù)?：
  • .param VBUS = 400：直流母線電壓400V。
  • .param ISW = 30：開關(guān)電流30A。
  • .param RGON = 10：開通門極電阻10Ω。
  • .param RGOFF = 2：關(guān)斷門極電阻2Ω。
  • .param VDRV_P = 6：開通門極電壓+6V。
  • .param VDRV_N = 3：關(guān)斷門極電壓-3V。
  • .param DT = 100n：死區(qū)時(shí)間100ns。
  • .param T_ON = 2U：開通時(shí)間2μs。
  • .param L_DPT：根據(jù)開關(guān)電流設(shè)置的電感L_DPT。
  • .param T_P = 2.5U：總周期2.5μs。
  • .param L_GATE = 3N：門極電感3nH。
  • .param LS_EX = 10p：外部源電感10pH。
  • .param L_DS = 3N：功率環(huán)路電感3nH。
  • .option temp = 25：結(jié)溫設(shè)置為25°C，可在25至150°C之間調(diào)整。

三、仿真結(jié)果

• ?波形對(duì)比?：模擬波形與測(cè)量波形之間有良好的相關(guān)性，包括門極電壓V_GS的尖峰，該尖峰由自由輪設(shè)備的dv/dt（米勒反饋）引起。
• ?開關(guān)損耗?：
  • 開通損耗E_ON為106μJ（400V/30A條件下）。
  • 關(guān)斷損耗E_OFF為8μJ（400V/30A條件下）。
• ?損耗與溫度關(guān)系?：開通損耗隨結(jié)溫T_J增加而增加，因?yàn)楦邷叵驴鐚?dǎo)降低；關(guān)斷損耗對(duì)于GaN來說較低，且對(duì)溫度依賴性較小。
• ?損耗與門極電阻關(guān)系?：開關(guān)損耗隨門極電阻R_G增加而增加。

四、總結(jié)

• 使用LTSpice的半橋雙脈沖測(cè)試電路成功模擬了GaN E-HEMT的開關(guān)損耗。
• 仿真結(jié)果與實(shí)驗(yàn)室測(cè)量結(jié)果吻合良好，盡管實(shí)際測(cè)量可能受多種因素影響。
• 該LTSpice測(cè)試電路為終端用戶提供了一個(gè)方便的仿真平臺(tái)，有助于熟悉GaN E-HEMT的開關(guān)特性，并輕松評(píng)估不同電氣參數(shù)對(duì)開關(guān)性能的影響。