P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101、RoHS標(biāo)準(zhǔn),無鹵。具備超快速開關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% UIS測試等特性,可提升系統(tǒng)效率,減少散熱需求,并聯(lián)使用時無熱失控風(fēng)險,常用于消費類開關(guān)模式電源、PFC 或 DC/DC 階段的升壓二極管及 AC/DC轉(zhuǎn)換器。
碳化硅(SiC)屬于第三代半導(dǎo)體,派恩杰獨有的SiC 肖特基二極管結(jié)構(gòu)相比于傳統(tǒng)Si肖特基二極管具有更高的耐壓等級和更低的漏電流,大大提升了系統(tǒng)效率,特別適合在高壓高頻條件下工作。同時解決了Si二極管的耐壓極限問題和反向恢復(fù)損耗較大的問題,碳化硅二極管成本相對較低,已經(jīng)廣泛使用。派恩杰提供多種多樣封裝形式去適應(yīng)不同應(yīng)用場景。
*附件:SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊.pdf
特性
- 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)
 - 超快速開關(guān)
 - 零反向恢復(fù)電流
 - 高頻運行
 - 正向電壓具有正溫度系數(shù)
 - 高浪涌電流
 - 100% 經(jīng)過 UIS 測試
 
優(yōu)勢
- 優(yōu)異的性能
 - 減小系統(tǒng)體積
 - 提升整體效率
 - 減小散熱面積
 - 車規(guī)級器件
 - 降低系統(tǒng)成本
 - 降低電磁干擾
 
應(yīng)用領(lǐng)域
典型性能

封裝

- 
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SiC-SBD的特征以及與Si二極管的比較
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