P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝。通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流能力且 100% 經(jīng)過(guò) UIS 測(cè)試等特性。符合 RoHS標(biāo)準(zhǔn),能提升系統(tǒng)效率、減少散熱需求、降低開(kāi)關(guān)損耗,器件并聯(lián)無(wú)熱失控風(fēng)險(xiǎn)。
*附件:SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf
特性
- 通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證
- 超快速開(kāi)關(guān)
- TO-252-2 封裝
- 零反向恢復(fù)電流
- 高頻運(yùn)行
- 正向電壓具有正溫度系數(shù)
- 高浪涌電流
- 100% 進(jìn)行 UIS 測(cè)試
標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)勢(shì)
- 提高系統(tǒng)效率
- 降低散熱片需求
- 基本無(wú)開(kāi)關(guān)損耗
- 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
- 器件并聯(lián)時(shí)無(wú)熱失控風(fēng)險(xiǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域
最大額定值

熱特性

封裝外形

-
肖特基二極管
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
1089瀏覽量
37315 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3411瀏覽量
67640 -
數(shù)據(jù)手冊(cè)
+關(guān)注
關(guān)注
95文章
6207瀏覽量
44281 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
3229瀏覽量
51548
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型
SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)
評(píng)論