ESD靜電放電的威脅和破壞。靜電放電產(chǎn)生的瞬間高電壓和高電流可能直接對(duì)DVI接口的電路造成損害,如擊穿絕緣層、損壞電子元件等。此外,靜電放電還可能引入噪聲干擾,影響DVI接口的信號(hào)傳輸質(zhì)量。本文針對(duì)雙通道DVI接口采用低電容低鉗位電壓的ESD靜電防護(hù)器件 ,在不影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那疤嵯聺M足阻抗要求,讓后端的電路得到有效防護(hù)。
DVI接口概述
DVI是基于TMDS(Transition Minimized Differential Signaling)轉(zhuǎn)換最小差分信號(hào)技術(shù)來傳輸數(shù)字信號(hào),TMDS運(yùn)用先進(jìn)的編碼算法把8bit數(shù)據(jù)(R、G、B中的每路基色信號(hào))通過最小轉(zhuǎn)換編碼為10bit數(shù)據(jù)(包含行場(chǎng)同步信息、時(shí)鐘信息、數(shù)據(jù)DE、糾錯(cuò)等),經(jīng)過DC平衡后,采用差分信號(hào)傳輸數(shù)據(jù),它和LVDS(低電壓差分信號(hào))、TTL(通過鏡頭)相比有較好的電磁兼容性能,可以用低成本的專用電纜實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)距離、高質(zhì)量的數(shù)字信號(hào)傳輸。DVI接口主要分為3種類型: DVI-A,DVI-D,DVI-I。
DVI-D(DVI-Digital)接口,是純數(shù)字接口,不兼容模擬信號(hào);DVI-D有18個(gè)或24個(gè)數(shù)字插孔+ 1個(gè)扁形插孔。
	
| Pin | Signal Assignment | Pin | Signal Assignment | Pin | Signal Assignment | 
| 1 | T.M.D.S Data2- | 9 | T.M.D.S Data1- | 17 | T.M.D.S Data0- | 
| 2 | T.M.D.S Data2+ | 10 | T.M.D.S Data1+ | 18 | T.M.D.S Data0+ | 
| 3 | T.M.D.S Data2/4 Shield | 11 | T.M.D.S Data1/3 Shield | 19 | T.M.D.S Data0/5 Shield | 
| 4 | T.M.D.S Data4- | 12 | T.M.D.S Data3- | 20 | T.M.D.S Data5- | 
| 5 | T.M.D.S Data4+ | 13 | T.M.D.S Data3+ | 21 | T.M.D.S Data5+ | 
| 6 | DDC Clock | 14 | +5V Power | 22 | T.M.D.S Clock Shield | 
| 7 | DDC Data | 15 | Ground(for +5V) | 23 | T.M.D.S Clock+ | 
| 8 | No Connect | 16 | Hot Plug Detect | 24 | T.M.D.S Clock- | 
DVI-I(DVI-Integrated)接口,兼容DVI-I和DVI-D兩種插頭,兼容數(shù)字和模擬信號(hào),有18個(gè)或24個(gè)數(shù)字插孔+5個(gè)模擬信號(hào)的插孔。目前,顯卡一般采用DVI-I接口,其通過轉(zhuǎn)換接頭,可以連接到普通的VGA接口。通常,顯示器帶兩個(gè)DVI接口,或者DVI、VGA接口各一個(gè)。
	
| Pin | Signal Assignment | Pin | Signal Assignment | Pin | Signal Assignment | 
| 1 | T.M.D.S Data2- | 9 | T.M.D.S Data1- | 17 | T.M.D.S Data0- | 
| 2 | T.M.D.S Data2+ | 10 | T.M.D.S Data1+ | 18 | T.M.D.S Data0+ | 
| 3 | T.M.D.S Data2/4 Shield | 11 | T.M.D.S Data1/3 Shield | 19 | T.M.D.S Data0/5 Shield | 
| 4 | T.M.D.S Data4- | 12 | T.M.D.S Data3- | 20 | T.M.D.S Data5- | 
| 5 | T.M.D.S Data4+ | 13 | T.M.D.S Data3+ | 21 | T.M.D.S Data5+ | 
| 6 | DDC Clock | 14 | +5V Power | 22 | T.M.D.S Clock Shield | 
| 7 | DDC Data | 15 | Ground(for +5V) | 23 | T.M.D.S Clock+ | 
| 8 | Analog Vertical Sync | 16 | Hot Plug Detect | 24 | T.M.D.S Clock- | 
| C1 | Analog Red | C2 | Analog Green | C3 | Analog Blue | 
| C4 | Horizontal Sync Analog | C5 | Analog Ground (analog R,G,&B return) | 
DVI接口的ESD防護(hù)
理想的保護(hù)器件應(yīng)兼具低ESD峰值鉗位電壓和低動(dòng)態(tài)電阻的優(yōu)越特性,以有效限制電壓尖峰并減少能量損耗。在為DVI接口選擇ESD保護(hù)器件時(shí)我們需要考慮如下要求:
1. 極低電容
每個(gè)鏈路有6條數(shù)據(jù)差分線(即D0±,D1±,D2±, D3±,D4±,D5±),外加一個(gè)時(shí)鐘(CLK±)。對(duì)于單個(gè)鏈路,每條鏈路上的最大吞吐量可接近4.95Gbps或1.65Gbps;對(duì)于雙鏈路,每條鏈路上的最大吞吐量可達(dá)到總共8Gbps或2.67Gbps。為了保持信號(hào)的完整性,必須使用非常低電容的器件、
2. 工作電壓
保護(hù)二極管的反向工作電壓 (VRWM)必須大于受保護(hù)系統(tǒng)的工作電壓。
3. 漏電流
經(jīng)過若干次ESD沖擊后,防護(hù)性能不退化且泄漏保持在較低水平
4.封裝
PCB設(shè)計(jì)層面,對(duì)布線進(jìn)行優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)高效封裝布局。每個(gè)端口需要8個(gè)保護(hù)通道。
5. IEC 61000-4-2 等級(jí)
IEC 61000-4-2 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)定義了實(shí)際的 ESD 沖擊。該標(biāo)準(zhǔn)包含兩項(xiàng)測(cè)量:接觸放電和空氣放電。接觸和空氣等級(jí)越高,器件能夠承受的電壓就越高。
應(yīng)用方案
	
我們以雙通道DVI-I接口為例,推薦兩款電氣特性相似的十引腳集成式ESD防護(hù)器件,專為保護(hù)該接口的高速差分線路而設(shè)計(jì),可同時(shí)保護(hù)四條差分?jǐn)?shù)據(jù)線,型號(hào)分別為SEUC10F5V4U和SEUC10F5V4UB。集成式器件的流通式封裝設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化了 PCB 布局,減少布線過程中的不連續(xù)性,促進(jìn)了信號(hào)完整性和系統(tǒng)穩(wěn)定性的提升。兩款器件的工作電壓為 5 V,鉗位電壓為12V,符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規(guī)范,可在±15kV(空氣)和 ±8kV(接觸)下提供瞬變保護(hù)。SEUC10F5V4UB的電容較低,客戶可根據(jù)線路實(shí)際情況進(jìn)行選擇。
其他通道的防護(hù)采用了集成多路ESD靜電二極管SEUC236T5V4U,可同時(shí)保護(hù)的五個(gè)引腳免受靜電放電(ESD)和低等級(jí)浪涌事件的沖擊與干擾。它的工作電壓為 5 V,結(jié)電容僅有0.6pF,符合IEC 61000-4-2 (ESD) 規(guī)范,在 ±17kV(空氣)和 ±12kV(接觸)下提供瞬變保護(hù)。
型號(hào)參數(shù)
| 規(guī)格型號(hào) | 方向 | 工作電壓(V) | IPP(A) | 鉗位電壓(V) | 結(jié)電容(pF) | 封裝 | 
| SEUC10F5V4U | Uni. | 5 | 4.5 | 12 | 0.6/0.3 | DFN2510-10L | 
| SEUC10F5V4UB | Uni. | 5 | 3 | 12 | 0.4/0.2 | DFN2510-10L | 
| SEUC236T5V4U | Uni. | 5 | 4.5 | 12 | 0.6 | SOT-23-6L | 
電氣特性表
At TA = 25℃ unless otherwise noted
| Parameters | Symbol | conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit | 
| Reverse stand-off voltage | VRWM | 5.0 | V | |||
| Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT= 1mA | 6.0 | V | ||
| Reverse Leakage Current | IR | VRWM=5V | 1.0 | uA | ||
| Peak Pulse Current | IPP | TP=8/20us@25℃ | 4.5 | A | ||
| Clamping Voltage | VCL | IPP=1A; TP=8/20us | 9.0 | 11.0 | V | |
| Clamping Voltage | VCL | IPP=4.5A; TP=8/20us | 12.0 | 15.0 | V | |
| Junction capacitance | CJ | 
				I/O  pins to ground; VR=0V; f = 1MHz  | 
			0.6 | pF | ||
| 
				Between  I/O pins; VR=0V; f = 1MHz  | 
			0.3 | 
表1 SEUC10F5V4U電氣特性表
| Parameters | Symbol | conditions | Min. | Typ. | Max. | Unit | 
| Reverse stand-off voltage | VRWM | 5.0 | V | |||
| Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT= 1mA | 6.0 | 7.5 | 8.5 | V | 
| Reverse Leakage Current | IR | VRWM=5V | 1.0 | uA | ||
| Clamping Voltage | VCL | IPP=1A; TP=8/20us | 9.0 | 11.0 | V | |
| Clamping Voltage | VCL | IPP=3A; TP=8/20us | 12.0 | 15.0 | ||
| Junction capacitance | CJ | 
				I/O pins  to ground; VR=0V; f = 1MHz  | 
			0.4 | 0.5 | pF | |
| 
				Between I/O  pins; VR=0V; f = 1MHz  | 
			0.2 | 0.25 | 
表2 SEUC10F5V4UB電氣特性表
| Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Units | 
| Reverse Stand-off Voltage | VRWM | 5.0 | V | |||
| Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT=1mA | 6.0 | V | ||
| Reverse Leakage Current | IR | VRWM=5V | 1.0 | uA | ||
| Clamping Voltage | VC | IPP=1A; tp=8/20us | 9.0 | 11.0 | V | |
| Clamping Voltage | VC | IPP=4.5A; tp=8/20us | 12.0 | 15.0 | V | |
| Junction Capacitance | CJ | I/O to GND; VR=0V; f=1MHz | 0.6 | 1.0 | pF | |
| Between I/O; VR=0V; f=1MHz | 0.3 | 0.5 | 
表3 SEUC236T5V4U電氣特性表
總結(jié)與結(jié)論
盡管隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和新型接口的普及,DVI接口在日常生活中的重要性正在逐漸降低,被HDMI和DisplayPort等更先進(jìn)的接口所取代,但仍然具有一定的重要性和應(yīng)用價(jià)值,保護(hù)DVI接口免受ESD靜電損害是保持系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
	ELECSUPER SEMI研發(fā)各種低電容低鉗位電壓的ESD保護(hù)器件,可按照客戶需求性能與封裝提供定制化開發(fā)服務(wù),為各種接口提供值得信賴的保護(hù)器件。以上解決方案是保護(hù)DVI接口的優(yōu)選之策,確保影像的正常顯示。
	審核編輯 黃宇
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