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湖南靜芯推出4路單向深回掃型帶集成超強VCC防護靜電保護器件SEUCS236T5V4UA

靜芯微 ? 來源:jf_65561982 ? 作者:jf_65561982 ? 2025-01-09 14:32 ? 次閱讀
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【新品發(fā)布】湖南靜芯推出4路單向深回掃型帶集成超強VCC防護靜電保護器件SEUCS236T5V4UA

湖南靜芯推出4路單向深回掃型超強VCC防護靜電保護器件SEUCS236T5V4UA。SEUCS236T5V4UA共有4個IO引腳,一個超強VCC保護引腳,可同時保護四條數(shù)據(jù)信號線和一條電源信號線免受ESD(靜電放電)引起的干擾而損壞,可適用于DP2.0/2.1、SIM卡和10/100/1000以太網(wǎng)接口的信號線防護。根據(jù)IEC61000-4-2規(guī)范,SEUCS236T5V4UA可提供高達±30kV(接觸放電)、±30kV(空氣放電)的ESD保護。

深回掃型ESD介紹

回掃特性ESD防護器件具有超小封裝體積、超低鉗位電壓、超低結(jié)電容特性,相比常規(guī)工藝 TVS防護效果更優(yōu),且不影響信號完整性,可更有效保護高速數(shù)據(jù)接口免受瞬態(tài)過電壓的影響,為相關(guān)電子產(chǎn)品設(shè)備加固防護,提升消費者使用體驗。

常規(guī)型ESD的電壓會隨著IPP(峰值脈沖電流)的增加而等比例增加,呈現(xiàn)出一個較為線性的增長趨勢。而深回掃型ESD器件在當電壓達到VT(觸發(fā)電壓)后會瞬間將兩端的鉗位電壓拉低,進入一個小于工作電壓VRWM的較低電壓VHOLD,之后隨著電流的增加電壓逐漸增大。

其相較于常規(guī)ESD器件的優(yōu)點有:

更低的鉗位電壓:在相同的IPP下,帶回掃ESD的VC(鉗位電壓)比常規(guī)ESD器件低30%以上。

更低的漏電流:這類ESD器件具有更低的漏電流,有助于降低設(shè)備的功耗,實現(xiàn)更節(jié)能的設(shè)計。

更深的應(yīng)用范圍:帶回掃ESD的優(yōu)異性能使其適用于更深的領(lǐng)域,如低壓移動電子設(shè)備、汽車電子、工業(yè)控制等對ESD保護要求較高的場合。

wKgZO2d_bMmAZz_nAAApvOPQC7g152.png

wKgZPGd_bNSAey0gAAA2pqRElY8957.png

圖1 ESD特性曲線圖對比

通過對比常規(guī)ESD和帶回掃ESD的特性曲線圖及其優(yōu)點,可以看出帶回掃ESD在ESD保護方面具有更出色的性能和應(yīng)用前景。

SEUCS236T5V4UA介紹

SEUCS236T5V4UA是湖南靜芯研發(fā)的一款超低電容深回掃型4路單向帶超強VCC保護的ESD靜電保護器件,可適用于DP2.0/2.1、SIM卡和10/100/1000以太網(wǎng)等接口的信號線防護。與其他的深回掃型ESD保護器件不一樣的是,SEUCS236T5V4UA共有4個IO引腳,一個超強VCC保護引腳,可同時保護四條數(shù)據(jù)信號線和一條電源信號線免受過應(yīng)力事件的干擾。

wKgZPGd_bOqATp97AACR5ha3fyY613.png

圖2SEUCS236T5V4UA引腳配置圖

SEUCS236T5V4UA的工作電壓為3.3V,IO-GND的鉗位電壓為5.6V,電容為0.7pF,根據(jù)IEC61000-4-5標準可承受高達14A(8/20μs)的峰值脈沖電流;VCC -GND的鉗位電壓為12.5V,電容為220pF,根據(jù)IEC61000-4-5標準可承受高達27A(8/20μs)的峰值脈沖電流。根據(jù)IEC 61000-4-2 (ESD)規(guī)范,SEUCS236T5V4UA可用于提供高達±30kV(接觸放電),±30kV(空氣放電)的ESD保護。

該器件的相關(guān)曲線圖及參數(shù)如下所示。

wKgZPGd_bP-AEfMaAAAxm-LMhiQ966.png wKgZPGd_bRGANqgsAAA1NgwYHgI431.png
IO-GND 8/20μs浪涌曲線 VCC-GND 8/20μs浪涌曲線
wKgZPGd_bR6AOLMsAAA3x3OmbPA660.png wKgZPGd_bSmAFfkIAAA5ScdKYIs679.png
IO-GND結(jié)電容曲線 VCC-GND結(jié)電容曲線
wKgZPGd_bTaAag6_AAA1LIABiAk315.png wKgZO2d_bT-ARJDHAAAqoFAOpfc339.png
IO-GND IV曲線 VCC-GND IV曲線

表1 SEUCS236T5V4UA相關(guān)曲線圖

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA,IO-GND 5.5 7.1 V
IT=1mA,VCC-GND 5.5 6.9 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=5.0V 0.1 uA
Clamping Voltage VCL IPP=1A; tp=8/20us;
Pin1,3,4,6 to Pin2
1.5 2.5 V
VCL IPP=14A; tp=8/20us;
Pin1,3,4,6 to Pin2
5.6 6.5 V
VCL IPP=1A; tp=8/20us;
Pin5 to Pin2
7.5 9.5 V
VCL IPP=27A; tp=8/20us;
Pin5 to Pin2
12.5 15.0 V
Junction Capacitance CJ I/O to GND; VR=0V; f=1MHz 0.7 1.0 pF
Between I/O; VR=0V; f=1MHz 0.3 0.5
VCC-GND; VR=0V; f=1MHz 220 250

表2 SEUCS236T5V4UA電氣特性表

應(yīng)用示例

下圖是湖南靜芯推出兩種SEUCS236T5V4UA相關(guān)的DP2.0應(yīng)用方案。DP2.0協(xié)議最大支持16K的超強分辨率和80Gbps的原始帶寬。DP接口的八個引腳組成四個數(shù)據(jù)傳輸通道,這種四通道配置以每通道20Gbps的速度傳輸數(shù)據(jù),在使用四個通道時速度可達80Gbps。

由于接口在傳輸大量內(nèi)容時數(shù)據(jù)線需要經(jīng)常插拔,在熱插拔的過程中有可能因為消費者的觸摸或金屬引腳短接引發(fā)靜電放電(ESD)等問題,因此選擇電容低至0.14pF的分立式深回掃型ESD器件SEUCS2X3V1B或電容低至0.18pF的集成式深回掃型ESD器件SEUCS10F3V4B對數(shù)據(jù)傳輸引腳進行保護。

附屬通道的差分信號引腳(AUC_CH(n/p))、熱插拔檢測引腳(Hot Plug)、接頭電源引腳(DP_PWR)、電源回路引腳(DP_PWR Return)和地引腳(GND)可以采用本文介紹的超低電容深回掃型4路單向帶超強VCC保護的ESD靜電保護器件SEUCS236T5V4UA進行防護,可同時保護4條信號線和1條電源線。

方案一:

wKgZPGd_bVKAKlKOAABQFbaaX-0886.png

圖3 DP2.0應(yīng)用方案一

方案二:

wKgZO2d_bVyAFcY4AABY1socV_g295.png

圖4 DP2.0應(yīng)用方案二

總結(jié)與結(jié)論

SEUCS236T5V4UA是湖南靜芯研發(fā)的4路單向深回掃型超強VCC防護靜電保護器件,擁有低電容低鉗位電壓的優(yōu)異性能,可適用于多種帶VCC引腳的主流數(shù)據(jù)接口的信號線防護。

湖南靜芯深回掃型系列ESD器件工作電壓涵蓋1.0~38V,電流涵蓋4~30A,電容最低至0.1pF,封裝涵蓋CSP、FC及各類封裝形式。同時推出22V&33V TDS平緩浪涌抑制器,可用于保護工作電壓為20V、24V、28V、36V的系統(tǒng),具有精準且恒定的觸發(fā)電壓、優(yōu)異的鉗位性能及穩(wěn)定的溫度特性,可為系統(tǒng)提供更全面保護。結(jié)合TDS器件與深回掃ESD優(yōu)勢,湖南靜芯是國內(nèi)首家推出USB4.0完整解決方案的公司,詳情可以參考:“湖南靜芯推出USB4.0&PD3.0的ESD&EOS防護完整解決方案100W+80G/120G”與“湖南靜芯推出USB4.0&PD3.1的ESD&EOS防護完整解決方案140W&180W+80G/120G”等文章。

審核編輯 黃宇

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