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瞻芯電子第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過車規(guī)級可靠性認證

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 2024-03-12 11:04 ? 次閱讀
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近日,瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證,這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。

據(jù)了解,瞻芯電子開發(fā)的第二代SiC MOSFET芯片,以其卓越的性能特性引起了行業(yè)內(nèi)的廣泛關(guān)注。這款芯片在損耗水平上達到了業(yè)界較低的標準,其驅(qū)動電壓范圍為15V~18V,相較于傳統(tǒng)產(chǎn)品,具有更好的兼容性,能夠更好地適應各種應用場景的需求。

此次推出的三款產(chǎn)品,導通電阻分別為25mΩ,40mΩ和60mΩ,這一參數(shù)的優(yōu)化使得芯片在高效能轉(zhuǎn)換和節(jié)能方面表現(xiàn)出色。同時,它們采用了TO247-4封裝形式,這一封裝設(shè)計使得芯片能夠在-55°C到175°C的寬溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,滿足了汽車等復雜環(huán)境中對功率電子元件的高要求。

值得一提的是,TO247-4封裝還具備開爾文源極引腳,這一設(shè)計能夠顯著減小柵極驅(qū)動電壓尖峰,從而提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。在新能源汽車等領(lǐng)域,這一特性尤為重要,能夠有效減少因電壓波動導致的系統(tǒng)故障。

業(yè)內(nèi)專家表示,瞻芯電子此次推出的第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品不僅展示了其在功率電子領(lǐng)域的技術(shù)實力,也為新能源汽車、工業(yè)電源等領(lǐng)域的發(fā)展提供了有力支持。隨著新能源汽車市場的不斷擴大和工業(yè)應用的不斷深化,高性能、高可靠性的功率電子元件將成為行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵因素。

瞻芯電子的這一成就無疑為功率電子行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力,其產(chǎn)品的廣泛應用將進一步推動相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)進步和產(chǎn)業(yè)升級。未來,我們期待瞻芯電子能夠繼續(xù)推出更多創(chuàng)新產(chǎn)品,為行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展貢獻更多力量。

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