ROHM一直專(zhuān)注于功率元器件的開(kāi)發(fā)。最近推出并已投入量產(chǎn)的“SCT2H12NZ”，是實(shí)現(xiàn)1700V高耐壓的SiC-MOSFET。是在現(xiàn)有650V與1200V的產(chǎn)品陣容中新增的更高耐壓版本。不僅具備1700V高耐壓，還是充分發(fā)揮SiC的特性使導(dǎo)通電阻大幅降低的MOSFET。此外，與SiC-MOSFET用的反激式轉(zhuǎn)換器控制IC組合，還可大幅改善效率。ROHM不僅開(kāi)發(fā)最尖端的功率元器件，還促進(jìn)充分發(fā)揮其性能的控制元器件的開(kāi)發(fā)。

工業(yè)設(shè)備輔助電源的課題是減少發(fā)熱

在變頻器等高電壓工業(yè)設(shè)備，不僅具備驅(qū)動(dòng)電機(jī)等的主電源，還同時(shí)具備控制器和其他系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)用的輔助電源。尤其是在工業(yè)設(shè)備中使用時(shí)，輸入電壓高，輔助電源中廣泛使用耐壓1000V以上的Si-MOSFET。

然而，超過(guò)1000V的高耐壓Si-MOSFET的導(dǎo)通電阻大，必須處理導(dǎo)通損耗帶來(lái)的發(fā)熱問(wèn)題。

SCT2H12NZ就是為解決這類(lèi)工業(yè)設(shè)備輔助電源的課題而開(kāi)發(fā)的。

導(dǎo)通電阻降低到Si-MOSFET的1/8

這是與工業(yè)設(shè)備輔助電源中廣泛使用的1500V耐壓Si-MOSFET的比較例。SiC-MOSFET的SCT2H12NZ的耐壓更高，達(dá)1700V，導(dǎo)通電阻僅為Si-MOSFET（9Ω）的1/8（1.15Ω）。由此，可大幅降低損耗、即可大幅減少發(fā)熱，有些條件下還可實(shí)現(xiàn)散熱器的小型化。

此外，封裝采用TO-3PFM，可確保工業(yè)設(shè)備要求的絕緣相應(yīng)的爬電距離。同樣確保所需爬電距離的表面貼裝型TO-268-2L封裝產(chǎn)品也正在開(kāi)發(fā)中。通過(guò)采用表面貼裝型封裝，可使用自動(dòng)安裝設(shè)備進(jìn)行組裝。

以下是此次開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品陣容。

table th{ padding: 8px 3px 7px 10px; border:1px solid #999; padding:5px 0 5px 5px; text-align: center; background-color:#f5f5f5; vertical-align:middle; } table td{ padding:8px 8px 7px 8px; border:1px solid #999; text-align: left; text-align: center; vertical-align:middle; }

1700V SiC-MOSFET產(chǎn)品陣容

☆：開(kāi)發(fā)中

SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET

重點(diǎn)必看

與SiC用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC組合，效率顯著提高

審核編輯黃宇