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東芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊

?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的“MG400V2YMS3”。這是東芝首款具有此類(lèi)電壓等級(jí)的產(chǎn)品，與之前發(fā)布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V器件的陣容。

新模塊在安裝方式上與廣泛使用的硅(Si) IGBT模塊兼容。它們的低能量損耗特性滿(mǎn)足了工業(yè)設(shè)備對(duì)更高效率和更小尺寸的需求，如軌道車(chē)輛的轉(zhuǎn)換器和逆變器，以及可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。

應(yīng)用

軌道車(chē)輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器

可再生能源發(fā)電系統(tǒng)

電機(jī)控制設(shè)備

高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器

特點(diǎn)

安裝方式兼容Si IGBT模塊

損耗低于Si IGBT模塊

MG600Q2YMS3
VDS(on)sense=0.9V（典型值）@ID=600A，Tch=25°C
Eon=25mJ（典型值）, Eoff=28mJ（典型值） @VDS=600V，ID=600A，Tch=150°C

MG400V2YMS3
VDS(on)sense=0.8V（典型值）@ID=400A, Tch=25°C
Eon=28mJ（典型值），Eoff=27mJ（典型值）@VDS=900V，ID=400A, Tch=150°C

內(nèi)置NTC熱敏電阻

主要規(guī)格

（除非另有規(guī)定，否則@Tc=25°C）
部件編號(hào)			MG600Q2YMS3	MG400V2YMS3
封裝			2-153A1A
絕對(duì) 最大額定值	漏-源電壓VDSS(V)		1200	1700
	柵-源電壓VGSS(V)		+25/-10	+25/-10
	漏極電流 (DC) ID(A)		600	400
	漏極電流（脈沖）IDP(A)		1200	800
	溝道溫度Tch(°C)		150	150
	隔離電壓Visol(Vrms)		4000	4000
電氣特性	漏-源導(dǎo)通電壓（感應(yīng)） VDS(on)sense典型值(V)	@VGS=+20V, Tch＝25°C	0.9 @ID＝600A	0.8 @ID＝400A
	源-漏導(dǎo)通電壓（感應(yīng)） VSD(on)sense典型值(V)	@VGS=+20V, Tch＝25°C	0.8 @IS＝600A	0.8 @IS＝400A
	源-漏關(guān)斷電壓（感應(yīng)） VSD(off)sense典型值(V)	@VGS=-6V, Tch＝25°C	1.6 @IS＝600A	1.6 @IS＝400A
	開(kāi)通損耗Eontyp. (mJ) Eon典型值(mJ)	@Tch=150°C	25 @ VDS=600V, ID=600A	28 @VDS=900V, ID=400A
	關(guān)斷損耗Eofftyp. (mJ) Eoff典型值(mJ)	@Tch=150°C	28 @ VDS=600V, ID=600A	27 @VDS=900V, ID=400A
熱敏電阻特性	額定NTC電阻R典型值(kΩ)		5.0	5.0
熱敏電阻特性	NTC B值 B典型值(K)	＠TNTC=25 - 150°C	3375	3375

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