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如何采用單芯片LM3644 的方案來實(shí)現(xiàn)完美的短時高亮的電流波形

電子設(shè)計(jì) ? 來源:電子設(shè)計(jì) ? 作者:電子設(shè)計(jì) ? 2022-01-14 10:45 ? 次閱讀
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作者:TI 工程師 Eric Xiong

在傳統(tǒng)的消費(fèi)類電子如手機(jī)的閃關(guān)燈的驅(qū)動中,LM3644被廣泛使用,其單路獨(dú)立輸出1.5A,多種模式(閃光,照明,紅外模式)可供選擇,可以通過軟件和I/O獨(dú)立控制。配合相機(jī)使用時,LM3644可供選擇的持續(xù)時間為毫秒級,LM3644可以軟件設(shè)置10ms至400ms. 但是在工業(yè)掃描應(yīng)用中,需要使用短時高亮的閃光配合掃描傳感器以達(dá)到掃描速度和性能,其時序時間可以低至100us, 幅度可以達(dá)到1A。

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為了達(dá)到完美的電流波形,傳統(tǒng)的電路都是采用分立的電路方案(升壓電路+大電容緩沖+運(yùn)放恒流)來實(shí)現(xiàn),但這會大大增加PCB面積,電路的成本以及控制方式也十分不靈活。

本文介紹如何采用單芯片LM3644 的方案來實(shí)現(xiàn)完美的短時高亮的電流波形。

1.采用紅外模式加速電流上升速度

傳統(tǒng)的閃光模式,電流都是緩慢上升至目標(biāo)值,這個時間大概為800us/0.5A階躍,是不能變化的。

poYBAGGKVdaAXTufAAGHAdjS7p0594.png

圖1 傳統(tǒng)閃光模式

而采用紅外模式,電流是直接變化至目標(biāo)值。圖2是采用IR模式下能能達(dá)到的目標(biāo)波形圖,圖3是具體的寄存器配置。

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圖2 紅外模式(0.75A in 100us/ 16ms 周期)

poYBAGGKVdqAGBiyAANWzGN43K0056.png

圖三 詳細(xì)寄存器配置

2. 采用旁路模式減小升壓電路的響應(yīng)時間

工業(yè)設(shè)備常常采用電池設(shè)備供電,而且電池電壓可能用至更低的電壓如3.7V(4.2V電池),當(dāng)VLED=3.4V時,此時VOUT=VLED+VHR 可能大于VIN,芯片工作在升壓模式下。而在正常4.2V至3.7V時,芯片都是在旁路mode下。

poYBAGGKVd2AQ_adAAWLNrFXbxU903.png

圖四 不同電壓和模式下電流波形

IR Mode Rise Time (μs)
3.7V Vin Pass Mode 13.6
3.7V Vin Normal Mode 134
4.2V Vin Pass Mode 11.2
4.2V Vin Normal Mode 9.6

表1 不同模式和VIN的上升時間

所以建議在電池供電時,建議采用旁路的IR模式來保證完美的電流波形,即使這會犧牲一點(diǎn)點(diǎn)電流的精度。

3.采用合適的輸入電容和輸出電容來減小輸入跌落

傳統(tǒng)的電路中,常常使用300uF左右的緩沖電容來提供閃光瞬間的短時的高亮電流。LM3644也需要此來減小輸入端電壓的跌落,防止觸發(fā)系統(tǒng)欠壓保護(hù)。但需要兼顧輸入Inrush和電路的穩(wěn)定性。增加輸出電容有利于更快速提供LED電流,減小跌落,但過大會導(dǎo)致芯片上電啟動短路保護(hù),不易過大。增加輸入電容也可以減小跌落,但會增加上電的浪涌電流,所以需要綜合平衡考慮,實(shí)驗(yàn)測試CIN=220uF; COUT=100uF的效果頗佳,可以大大減小輸入電壓跌落。

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圖五 實(shí)際測試電路

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圖六 無匹配電容時VIN 跌落0.52V 圖七 有匹配電容時VIN 跌落 0.12V

4. 綜述

LM364x 可以很好的實(shí)現(xiàn)快速高亮電流驅(qū)動,配合IR 和Pass模式可以獲得很好的電流波形, 同時采用分配緩沖電容的方式有效降低輸入電壓跌落。

審核編輯:何安

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