第三代Moto 360重新推出，但不屬于摩托羅拉制造
據(jù)消息，第三代Moto 360手表回來了，但不是摩托羅拉制造的。
摩托羅拉Moto 360于2015年首次亮相，是最早的安卓智能手表之一，目前摩托羅拉Moto 360共推出過兩款產(chǎn)品；目前一家名為eBuyNow的公司決定重新推出第三代Moto 360，這款新的智能手表保留了第二代Moto 360手表的一些設(shè)計。
新款Moto360手表采用了1.2英寸的OLED顯示屏，分辨率為360x360像素。硬件方面，內(nèi)置了一個Snapdragon 3100芯片組，配有1GB的內(nèi)存和8GB的存儲空間。
此外，這款手表還具有心率監(jiān)控、GPS和NFC等功能。續(xù)航方面，電池容量為355mAh，具有快速充電功能，官方稱一個小時左右可以充滿電。
新款Moto 360手表的零售價為350美元（約合人民幣2472元），預(yù)計將于12月開始發(fā)貨，具有鋼灰色，玫瑰金和幻影黑色，兼容安卓5.0及以上版本和iOS 10及以上版本的手機(jī)。
責(zé)任編輯：gt
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
摩托羅拉
+關(guān)注
關(guān)注
4文章
684瀏覽量
81180 -
顯示屏
+關(guān)注
關(guān)注
30文章
4661瀏覽量
78379 -
智能手表
+關(guān)注
關(guān)注
38文章
3351瀏覽量
119031
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
開啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無線SoC現(xiàn)已全面供貨
搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級認(rèn)證
基本半導(dǎo)體B3M平臺深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用
基礎(chǔ)，將其定位為平面柵碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn)，其目標(biāo)不僅在于追趕，更在于在特定性能維度上超越市場現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代（B3M）平臺概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體推出的第三代
上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
瑞能半導(dǎo)體第三代超結(jié)MOSFET技術(shù)解析（1）
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
能量密度提升15%！TDK第三代電池量產(chǎn)在即
，這一革新使電池儲電能力顯著增強(qiáng)，能量密度提升 15%。在相同體積下，它能儲存更多電能，為手機(jī)制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術(shù)支撐。 ? 彭博社指出，蘋果和三星是 TDK 的主要客戶，各自貢獻(xiàn)了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽極
第三代半導(dǎo)體器件封裝：挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存
一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來，第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
EE-230：第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230：第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 01-08 14:43
?0次下載
第三代半導(dǎo)體廠商加速出海
近年來，在消費電子需求帶動下，加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
第三代半導(dǎo)體對防震基座需求前景?
隨著科技的發(fā)展，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi)，各國都在加大對第三代半導(dǎo)體的投入，建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國，多地都有相關(guān)大型項目規(guī)劃與建設(shè)，像蘇州的國家第三代半導(dǎo)體
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要動力之一，新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實現(xiàn)更長的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹
? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶化合物半導(dǎo)體
晶科能源第三代Tiger Neo系列產(chǎn)品的問題解答
近期發(fā)布了采用N型TOPCon技術(shù)的第三代Tiger Neo系列產(chǎn)品后， 關(guān)于這款極具競爭力的產(chǎn)品，小編挑選了大家最為關(guān)心的10個問題進(jìn)行解答。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論