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  • 電工基礎中與電流全面歸納、總結(jié)

    電氣設備額定電流是指在額定環(huán)境條件(環(huán)境溫度、日照、海拔、安裝條件等)下,電氣設備的長期連續(xù)工作時允許的最大電流。用電器工作時電流不應超過它的額定電流。...

  • 一文詳解電源電路基礎知識

    電源變壓器先將市電轉(zhuǎn)變?yōu)檩^低的目標電壓; 2) 整流電路是將交流電轉(zhuǎn)為具有直流電成分的脈動直流電; 3) 濾波電路是將脈動直流中的交流成分濾除,減少交流成分,增加直流成分...

  • 整流電路的半波整流和全波整流講解

    這一小節(jié)我們詳細要分析的,就是圖中的二極管整流器(diode rectifier)部分。作為整流器使用的二極管通常都是功率二極管,它的功率和最大正偏電流值要比一般作為開關使用的高速二極管大得多,比較常用的功率二極管有:1N4001~1N4007系列。常用的整流電路有半波整流和全波整流兩種,下面分別予...

  • 升壓型開關電源芯片LM2577S-ADJ原理驗證

    在上一篇文章 升壓型直流開關電源基本原理中我們使用 Arduino 搭建了一個升壓型非隔離直流開關電源電路,學習了升壓型開關電源的基本原理,我們得到結(jié)論,電感通電時間越長,電感斷開時出現(xiàn)的瞬間電壓越高。今天,我們使用升壓型開關電源芯片 LM2577S-ADJ 驗證一下上述結(jié)論。...

  • 升壓(Boost)型直流開關電源的基本原理

    學習升壓(Boost)型直流開關電源的基本原理。...

  • CMOS的靜電及過壓

    CMOS的靜電放電可能會導致電路損壞,而過壓可能會導致電路過熱,從而影響電路的性能和可靠性。因此,在使用CMOS時,應注意防止靜電放電和過壓。...

    1740次閱讀 · 0評論 CMOS電路靜電
  • 金剛石半導體應用與優(yōu)缺點

    金剛石半導體是指將人造金剛石用作半導體材料的技術和產(chǎn)物。由于金剛石具有極高的熱導率、電絕緣性、硬度和化學穩(wěn)定性,因此金剛石半導體可以用于制造高功率、高頻率和高溫環(huán)境下工作的電子器件,例如微波器件、功率放大器和高速晶體管等。...

    6782次閱讀 · 0評論 半導體功率放大器金剛石
  • 半固態(tài)與固態(tài)電池之電池技術升級

    驅(qū)動因素 從液態(tài)電池向固態(tài)電池的轉(zhuǎn)化,從長期來看是電池技術發(fā)展的大趨勢。推動這一轉(zhuǎn)化的原因主要有安全性、能量密度兩點。我...

  • AMD 3D V-cache有望改變緩存設計

    在我們談論 3D V-Cache 之前,我們需要先談談常規(guī)的舊緩存。很久以前,計算機使用兩種基本類型的存儲:硬盤驅(qū)動器和隨機存取存儲器 (RAM)。硬盤驅(qū)動器速度慢但可以存儲大量數(shù)據(jù),而 RAM 只能存儲少量數(shù)據(jù)但速度非常快。...

    1075次閱讀 · 0評論 驅(qū)動器amd晶體管
  • 電容降壓的工作原理 阻容降壓的工作原理

    電容降壓實際上是利用容抗限流,而電容器實際上起到一個限制電流和動態(tài)分配電容器和負載兩端電壓的角色。...

    996次閱讀 · 0評論 電容降壓阻容降壓
  • 鋰離子動力電池的電芯擠壓損傷容限和不同方向抗擠壓能力分析

    根據(jù)試驗采集到的位移載荷曲線以及電壓、溫度曲線,對X、Y2個方向電池模組出現(xiàn)失效時的擠壓距離進行分析。X向擠壓中,編號M1、M2、M3模組出現(xiàn)失效時擠壓位移分別是40、42、30mm...

    3256次閱讀 · 0評論 電動汽車動力電池
  • 氮化鎵技術概念股

    氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激...

    4253次閱讀 · 0評論 激光二極管半導體材料氮化鎵
  • 功率MOSFET - 48V系統(tǒng)中的重要組件

    在討論了48伏特架構(“48伏特輕度混合動力系統(tǒng)的出現(xiàn)”)并描述了一些主要應用(“48伏特起動發(fā)電機”)后,我們需要深入研究這些新系統(tǒng)的電氣要求。在這篇博客中,我會簡要介紹功率MOSFET,并討論它們在汽車應用中的角色,例如48伏特啟動發(fā)電機。...

    1367次閱讀 · 0評論 MOSFETIGBT發(fā)電機
  • DC/DC轉(zhuǎn)換器保持時間的處理方案

    具有內(nèi)置保持電路的轉(zhuǎn)換器減小了輸入電容器的尺寸和要求。...

  • 什么叫氮化鎵異質(zhì)外延片?

    氮化鎵(GaN) 是由氮和鎵組成的一種半導體材料,因為其禁帶寬度大于2.2eV,又被稱為寬禁帶半導體材料。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是藍色光發(fā)光器件中的一種具有重要應用價值的半導體。GaN材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點,是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料。...

    2617次閱讀 · 0評論 半導體材料氮化鎵GaN
  • 氮化鎵材料為什么如此昂貴?

    可換成氮化鎵就不一樣了,單車變轎車,開關頻率得到大幅提升,損耗還更小。如此一來,充電器就能用上體積更小的變壓器、電容、電感。。。。。。從而有效縮小充電器體積,降低發(fā)熱、提高效率。氮化鎵充電器是好東西,但是價格也同樣不便利,現(xiàn)在一款品牌的氮化鎵充電器價格都要200元以上。...

    3037次閱讀 · 0評論 充電器電感氮化鎵
  • 硅基氮化鎵工藝流程

    硅基氮化鎵外延生長是在硅片上經(jīng)過各種氣體反應在硅片上層積幾層氮化鎵外延層,為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路,縮小并制作在極小面積上的一種電子產(chǎn)品。氮化鎵功率器件制造主要以晶圓為基本材料,其生產(chǎn)工藝過程包括硅片清洗、硅片擴散、化學氣相沉積、物理氣相層積,晶圓表面處理、原子...

    13224次閱讀 · 1評論 功率器件氮化鎵硅基
  • 電源管理ic芯片的作用與特性

    電源管理芯片又稱電源ic,又叫脈寬調(diào)制芯片(pwm),主板用的叫:可編程脈寬調(diào)制芯片,主要負責控制cpu的主供電,一般位于cpu插座附近,可看型號識別。...

  • 電源管理IC的幾種類型

    電源管理集成電路包括很多種類別,大致又分成電壓調(diào)整和接口電路兩方面。電壓凋整器包含線性低壓降穩(wěn)壓器(即LDO),以及正、負輸出系列電路,此外不有脈寬調(diào)制(PWM)型的開關型電路等。因技術進步,集成電路芯片內(nèi)數(shù)字電路的物理尺寸越來越小,因而工作電源向低電壓發(fā)展,一系列新型電壓調(diào)整器應運而生。...

    1593次閱讀 · 0評論 集成電路電源管理調(diào)整器
  • 電源管理電路的結(jié)構

    電源管理芯片在運用變壓器輸成電壓,在面對電壓的一起進行必定的阻隔,除了進步電路安全性。在阻隔器材傍邊也能添加電路安全性,比照相對大的電壓場景來說一般都需求阻隔器材。 如接觸電源的輸出端或地端或許會有觸電危險。在下雨天打雷的時分,沒有阻隔或許導致電路焚毀。非阻隔型電源輸入輸出端沒有運用阻隔器材,主要是...

    1455次閱讀 · 0評論 電源電壓電源管理芯片