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連續(xù)時間?-Σ （CTDS） 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 （ADC） 是音頻系統(tǒng)、電話聽筒和移動電子產(chǎn)品的首選架構(gòu)。這種ADC架構(gòu)可實現(xiàn)高效集成、減少信號鏈和低功耗等優(yōu)勢。當(dāng)高動態(tài)范圍和功率效率是主要要求時，CTDS ADC的性能優(yōu)于其他類別的ADC，但其他類型的ADC（如流水線ADC）由于其轉(zhuǎn)換寬帶模擬輸入信號的...
晶閘管又叫可控硅，是半導(dǎo)體閘流管的簡稱。晶閘管是一種大功率的PNPN型4層3端元件，可以把交流電變換成電壓大小可調(diào)的脈動直流電，也可把直流電轉(zhuǎn)換成交流電，還可調(diào)節(jié)交流電壓、做無觸點開關(guān)等。晶閘管廣泛應(yīng)用于可控整流、直流電動機的調(diào)速及電鍍行業(yè)等。...
寬帶通信和高性能成像應(yīng)用的不斷擴展特別強調(diào)高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換：能夠處理帶寬為10 MHz至1 GHz以上的信號的轉(zhuǎn)換器。各種轉(zhuǎn)換器架構(gòu)被用于達到這些更高的速度，每種架構(gòu)都有特殊的優(yōu)勢。高速在模擬域和數(shù)字域之間來回移動也給信號完整性帶來了一些特殊的挑戰(zhàn)——不僅對于模擬信號，而且對于時鐘和數(shù)據(jù)信號也是如此。了...
對于需要一系列同步模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）的高速信號采樣和處理應(yīng)用，校正和匹配轉(zhuǎn)換器之間的延遲變化的能力至關(guān)重要。圍繞此功能的系統(tǒng)設(shè)計至關(guān)重要，因為從模擬采樣點到處理模塊的任何延遲不匹配都會降低性能。交錯處理也需要樣本對齊，其中一個轉(zhuǎn)換器樣本領(lǐng)先另一個轉(zhuǎn)換器樣本幾分之一時鐘周期。...
對更多數(shù)字信號處理的需求正在推動雷達信號鏈盡早過渡到數(shù)字信號鏈，使模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）更靠近天線，這反過來又引入了許多具有挑戰(zhàn)性的系統(tǒng)級考慮因素。為了進一步探討這一點，圖1顯示了當(dāng)前典型X波段雷達系統(tǒng)的高級概述。在該系統(tǒng)中，通常使用兩個模擬混頻級。第一級將脈沖雷達回波混合至1 GHz左右的頻率，第二...
ACD和DAC數(shù)據(jù)手冊中的典型值和最大值可用于確定存在噪聲（如數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器量化、時鐘抖動、通道非線性以及輸入和輸出參考噪聲）的系統(tǒng)性能。演示了為給定噪聲預(yù)算選擇最佳數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的分步程序。ENOB計算器有助于分析這些參數(shù)，并指導(dǎo)我們找到控制和減少其他系統(tǒng)噪聲元素的建設(shè)性方法。...
使用模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）進行設(shè)計時，一個典型的誤解是，縮小輸入信號以驅(qū)動ADC的滿量程范圍會顯著降低信噪比（SNR）。對于使用寬電壓擺幅的系統(tǒng)設(shè)計人員來說，這一點尤其值得關(guān)注。使問題更加復(fù)雜的是，與高壓電源相比，用于低壓電源（5V或更低）的ADC產(chǎn)品范圍也廣泛得多。更高的電源通常會導(dǎo)致更高的功耗和電...
晶體管和集成電路被認為是有源元件，因為它們利用來自電源的能量改變信號。同時，我們將電容器、電阻器、電感器、連接器甚至 PC 板 （PCB） 等組件稱為無源元件，因為它們似乎不消耗功率。然而，這些明顯的無源元件可以并且確實以意想不到的方式改變信號，因為它們都包含寄生部分。因此，事實上，許多所謂的無源組...
良好的專用集成電路 （ASIC） 可享受 90% >首次硅成功。您可能想知道為什么我們要討論“修復(fù)”此問題的方法？畢竟，ASIC幾乎可以工作，沒有時間旋轉(zhuǎn)它，仍然滿足市場窗口。聽起來很耳熟？不幸的是，墨菲定律1這句話說，“任何可能出錯的事情，都會在最糟糕的時候出錯，”在這里適用。無論我們?nèi)绾畏?..
具有12至14位高分辨率的現(xiàn)代高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）為采用直接調(diào)制方案的新型發(fā)射器設(shè)計奠定了基礎(chǔ)。在此類設(shè)計中，調(diào)制后的傳輸信號直接在基頻上生成。到目前為止，這種方法僅用于生成有線電視系統(tǒng)中正交調(diào)幅（QAM）多載波信號的傳輸，或雷達設(shè)備和軍事通信系統(tǒng)采用的微波系統(tǒng)的中頻信號?，F(xiàn)在，進一步發(fā)展使得將...
高性能音頻數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）傳統(tǒng)上需要一個非常干凈的采樣主時鐘（MCLK），以避免音頻質(zhì)量下降。時鐘源通常直接來自晶體振蕩器，其產(chǎn)生的抖動通常小于100ps。在某些系統(tǒng)中，音頻過采樣頻率（通常是3.072MHz或2.8224MHz的倍數(shù)）不是晶體振蕩器參考頻率的方便部分。...
下圖顯示了同步升壓電路中LS關(guān)斷時柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件（IV），即HS（非開關(guān)側(cè)）的VGS的負浪涌，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或鉗位用SBD（肖特基勢壘二極管）D3是很有效的方法（參見下面的驗證電路）。...
下圖顯示了同步升壓電路中LS導(dǎo)通時柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過。要想抑制事件（II），即HS（非開關(guān)側(cè)）的VGS的正浪涌，正如在上一篇文章的表格中所總結(jié)的，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或誤導(dǎo)通抑制電容器C1是很有效的方法（參見下面的驗證電路）。...
只是由于SiC MOSFET的跨導(dǎo)比Si MOSFET的跨導(dǎo)小一個數(shù)量級以上，因此不會立即流過過大的直通電流。所以即使流過了直通電流，也具有足夠的冷卻能力，只要不超過MOSFET的Tj(max)，基本上沒有問題。然而，直通電流畢竟是降低系統(tǒng)整體效率的直接因素，肯定不是希望出現(xiàn)的狀態(tài)，因此就有必要增加...
MOSFET和IGBT等功率半導(dǎo)體作為開關(guān)元件已被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來的應(yīng)用速度與日俱增，它的工作速度非常快，以至于開關(guān)時的電壓和電流的變化已經(jīng)無法忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC M...
如何設(shè)計時間可調(diào)的給定積分器電路？這樣處理積分電路更靈活。...
下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。與導(dǎo)通時的做法一樣，為各事件進行了(IV)、(V)、(VI)編號。與導(dǎo)通時相比，只是VDS和ID變化的順序發(fā)生了改變，其他基本動作是一樣的。...
當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時，首先ID會變化（下述波形示意圖T1）。此時LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動，受下述等效電路圖中所示的事件(I)影響，在圖中所示的極性產(chǎn)生公式（1）的電動勢。公式（1）與上一篇文章中使用的公式相同。該電動勢引起的電流將源極側(cè)作為正極對CGS進行充電，因...
光控晶閘管（Optically Controlled Thyristor，簡稱OCT）是一種集成了光控觸發(fā)元件和晶閘管的半導(dǎo)體器件。它可以通過光信號來實現(xiàn)對晶閘管的觸發(fā)和控制，具有可靠性高、響應(yīng)速度快、觸發(fā)電流低等優(yōu)點，適用于許多特定的場合...
光控晶閘管的工作原理是利用光控電阻效應(yīng)來控制晶閘管的導(dǎo)通。其內(nèi)部包含了一個光敏元件和一個晶閘管，其中光敏元件通常是一個光控電阻。當(dāng)光線照射到光敏元件時，光能會激發(fā)出光生載流子，使得光敏元件的電阻發(fā)生變化，從而影響晶閘管的控制電壓，從而控制晶閘管的導(dǎo)通。...
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