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• 一文詳解模數(shù)、數(shù)模轉(zhuǎn)換器中的AGND和DGND

  敏感的模擬元件，例如放大器和基準電壓源，必須參考和去耦至模擬接地層。具有低數(shù)字電流的 ADC 和 DAC（和其他混合信號 IC）一般應視為模擬元件，同樣接地并去耦至模擬接地層。乍看之下，這一要求似乎有些矛盾，因為轉(zhuǎn)換器具有模擬和數(shù)字接口，且通常有指定為模擬接地 (AGND) 和數(shù)字接地 (DGND)...

  6530次閱讀 · 0評論 轉(zhuǎn)換器adiadc接地數(shù)模轉(zhuǎn)換器
  

• 安世半導體IGBT模塊賦能馬達驅(qū)動應用

  近年來，我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高，但能耗比卻居高不下，高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟發(fā)展的瓶頸...

  709次閱讀 · 0評論 變頻器IGBT晶體管電源電壓IGBT模塊安世半導體
  

• 模擬系統(tǒng)混合測試優(yōu)化方案

  由于模擬系統(tǒng)在現(xiàn)代電子設備中起著至關(guān)重要作用，模擬系統(tǒng)測試優(yōu)化已引起學術(shù)界和工業(yè)界廣泛關(guān)注。盡管現(xiàn)有方法能實現(xiàn)測試策略的自動生成，但是由于復雜結(jié)構(gòu)和多變的運行環(huán)境的影響，模擬系統(tǒng)難以有效生成診斷策略。...

  644次閱讀 · 0評論 電子設備拓撲結(jié)構(gòu)模擬系統(tǒng)
  

• 二極管在電路設計中的應用

  摘要 ：二極管是非常常用的基礎元器件，本文主要聊一聊其在電路設計中的應用，大概總結(jié)了二極管的如下作用防反、整流、穩(wěn)壓、續(xù)流、檢波、倍壓、鉗位、包絡線檢測。...

  1201次閱讀 · 0評論 二極管電路設計穩(wěn)壓二極管整流電路
  

• PIN射頻微波開關(guān)電路設計與仿真

  普通二極管是P型半導體與N型半導體結(jié)合構(gòu)成，而PIN則在P型半導體與N型半導體之間夾了一層I型半導體(即本征半導體)...

  2665次閱讀 · 0評論 二極管半導體PIN二極管等效電容等效電阻
  

• 信號是怎么在晶體管中被放大的？

  根據(jù)摻雜不同可以分為NPN管和PNP管，有E（發(fā)射極）、B（基極）、C（集電極）三個極，兩個PN結(jié)（發(fā)射結(jié)和集電結(jié)）。...

  1441次閱讀 · 0評論 MOSFET放大電路晶體管BJTNPN管
  

• 常用的電路保護元件有哪些？電路保護的意義是什么?

  電子電路很容易在過壓、過流、浪涌等情況發(fā)生的時候損壞，隨著技術(shù)的發(fā)展，電子電路的產(chǎn)品日益多樣化和復雜化，而電路保護則變得尤為重要。電路保護元件也從簡單的玻璃管保險絲，變得種類更多，防護性能更優(yōu)越。...

  958次閱讀 · 0評論 二極管壓敏電阻電路保護防雷器瞬態(tài)抑制二極管

• 淺談功率半導體器件與普通半導體器件的區(qū)別

  功率半導體器件與普通半導體器件的區(qū)別在于，其在設計的時候，需要多一塊區(qū)域，來承擔外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導體器件的有點之一。...

  3847次閱讀 · 0評論 微控制器芯片設計模擬芯片功率芯片光耦芯片
  

• SiC功率器件的優(yōu)勢和應用前景

  隨著新能源汽車銷量暴漲的東風，采用碳化硅功率器件可助力新能源汽車提升加速度、降低系統(tǒng)成本、增加續(xù)航里程以及實現(xiàn)輕量化等。碳化硅的優(yōu)越性能使其在更多尖端領(lǐng)域有著迫切的需求。隨著航天技術(shù)的快速發(fā)展，作為航天器的重要組成部分——供配電系統(tǒng)和二次電源的發(fā)展面臨兩方面的挑戰(zhàn)，一方面是小型化和輕量化，另一方面是...

  1545次閱讀 · 0評論 功率器件SiC碳化硅航空航天
  

• IGBT與MOS管、可控硅的區(qū)別 IGBT驅(qū)動電路設計

  IGBT在結(jié)構(gòu)上是NPN行MOSFET增加一個P結(jié)，即NPNP結(jié)構(gòu)，在原理上是MOS推動的P型BJT。...

  15906次閱讀 · 0評論 可控硅晶閘管MOS管IGBT驅(qū)動電路
  

• 淺析平面型與溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)

  在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中，平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個名詞的時候，可能會顧名思義地認為，平面型IGBT的電流就是水平流動的...

  1232次閱讀 · 0評論 功率二極管MOSFET晶閘管JFETIGBT
  

• 二極管反向恢復電流輻射發(fā)射問題分析調(diào)試與解決方案

  二極管正向?qū)〞r，電子存儲在P區(qū)，空穴存儲在N區(qū)，此現(xiàn)象叫做電荷存儲效應。外加反向電壓時，電子和空穴分別往相反方向移動，形成反向漂移電流，同時與其他多數(shù)載流子復合，待電子和空穴明顯減小后，反向恢復過程完成，二極管截至。...

  5908次閱讀 · 0評論 二極管MOS管buck電路輻射發(fā)射
  

• 功率MOSFET結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀

  眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率，且開關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率MOSFET的特性，并為器件選擇提供指導。最后，解釋了Microsemi公司Advanced Powe...

  4062次閱讀 · 0評論 二極管MOSFETJFET功率MOSFET
  

• MOS管并聯(lián)工作原理和注意事項 MOS管并聯(lián)方法電路圖

  并聯(lián)是元件之間的一種連接方式，其特點是將2個同類或不同類的元件、器件等首首相接，同時尾尾亦相連的一種連接方式。通常是用來指電路中電子元件的連接方式，即并聯(lián)電路。...

  9956次閱讀 · 0評論 串聯(lián)并聯(lián)電路圖MOS管比較器
  

• 硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點

  Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來說，MOSFET更適合高頻開關(guān)應用，而IGBT更適合高功率應用。...

  5367次閱讀 · 0評論 MOSFET逆變器電機驅(qū)動IGBT碳化硅
  

• 儲能微網(wǎng)應用SCR晶閘管的選型設計（1）

  晶閘管（Silicon Controlled Rectifier）簡稱SCR,由于電流容量大，耐電壓高，以及開通可控性。...

  3222次閱讀 · 0評論 UPS晶閘管SCR散熱器浪涌電流
  

• AD202和AD204隔離放大器的功能分析

  AD202和AD204是通用型雙端口、跨前耦合隔離放大器可用于輸入信號必須測量、處理和/或在沒有電偶連接的情況下傳輸?shù)膽梅秶?-這些工業(yè)標準隔離放大器提供完整的隔離功能，信號和功率隔離都是在一個緊湊的塑料SIP或DIP式封裝中提供的。...

  1658次閱讀 · 0評論 SiP隔離放大器DC-DC轉(zhuǎn)換器DCDC

• 二極管OR連接示例

  使用了2個以上電源的多個輸入源的設備，需要對應狀態(tài)轉(zhuǎn)換輸入源。...

  913次閱讀 · 0評論 電源二極管IC適配器
  

• 光電二極管的工作模式和常用信號鏈

  Photo-Diode 光電二極管，內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由一個PN結(jié)組成的半導體器件。它和常用二極管一樣，有單向?qū)ǖ奶匦?。色彩測量、發(fā)射光譜儀、氣體探測器、渾濁度計等應用通常都是采用光電二極管來實現(xiàn)精密光學測量。...

  3643次閱讀 · 0評論 放大器半導體adc信號鏈光電二極管
  

• 競爭籌碼幾何？GaN和SiC是共存還是替代呢？

  如今，追求功率密度和效率是當今眾多行業(yè)創(chuàng)新的最大動力，包括數(shù)據(jù)中心、可再生能源、消費電子產(chǎn)品、電動汽車和自動駕駛汽車等。...

  596次閱讀 · 0評論 電動汽車SiCGaN功率半導體自動駕駛
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