TSV制造技術里的關鍵界面材料與工藝

在TSV制造技術中，既包含TSV制造技術中通孔刻蝕與絕緣層的相關內(nèi)容。

2025-08-01 標簽：工藝制造技術TSV 1.3k 0

全球封裝技術向先進封裝邁進的轉(zhuǎn)變

先進封裝處于晶圓制造與封測制程中的交叉區(qū)域，涉及IDM、晶圓代工、封測廠商，市場格局較為集中，前6 大廠商份額合計超過80%。全球主要的 6 家廠商，包...

2023-08-11 標簽：芯片摩爾定律封裝技術 1.3k 0

什么是硅或TSV通路？使用TSV的應用和優(yōu)勢

TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力，而且它具有最短的電傳輸路徑以及優(yōu)異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭，半導體器件的微型化也越來越依賴于集成T...

2023-07-25 標簽：存儲器TSV3d nand 1.3k 0

TSV工藝中的硅晶圓減薄與銅平坦化技術

本文主要講述TSV工藝中的硅晶圓減薄與銅平坦化。 硅晶圓減薄與銅平坦化作為 TSV 三維集成技術的核心環(huán)節(jié)，主要應用于含銅 TSV 互連的減薄芯片制造流...

2025-08-12 標簽：硅晶圓集成技術TSV 1.3k 0

用于3D封裝的穿硅通過最后光刻的覆蓋性能（上）

華林科納對包括背照式圖像傳感器、中介層和 3D 存儲器在內(nèi)的消費產(chǎn)品相關設備的需求正在推動使用硅通孔 (TSV) [1] 的先進封裝。 TSV 處理的各...

2022-07-19 標簽：封裝光刻TSV 1.1k 0

TGV和TSV技術的主要工藝步驟

TGV（Through Glass Via）和TSV（Through Silicon Via）是兩種用于實現(xiàn)不同層面之間電氣連接的技術。

2025-06-16 標簽：芯片工藝玻璃基板 1.1k 0

3D封裝架構(gòu)的分類和定義

3D封裝架構(gòu)主要分為芯片對芯片集成、封裝對封裝集成和異構(gòu)集成三大類，分別采用TSV、TCB和混合鍵合等先進工藝實現(xiàn)高密度互連。

2025-10-16 標簽：芯片TSV3D封裝 1.1k 0

基于TSV的減薄技術解析

在半導體三維集成（3D IC）技術中，硅通孔（TSV）是實現(xiàn)芯片垂直堆疊的核心，但受深寬比限制，傳統(tǒng)厚硅片（700-800μm）難以制造直徑更?。?-2...

2025-07-29 標簽：芯片工藝硅片 1k 0

封裝設計中的熱性能考量

國際半導體設備與材料協(xié)會標準 SEMI G38-0996 和固態(tài)技術協(xié)會 JEDECJESD51 標準中定義的集成電路中各項溫度點位置如圖所示，其中T3...

2023-05-16 標簽：集成電路TSV 991 0

用于3D封裝的穿硅通過最后光刻的覆蓋性能（下）

本研究通過檢查 TSV 光刻后的 DSA 光學計量可重復性，然后將該光學配準數(shù)據(jù)與最終的電氣配準數(shù)據(jù)進行比較，來仔細檢查圖像放置性能。

2022-07-19 標簽：封裝光刻TSV 984 0

構(gòu)建適用于三維集成系統(tǒng)的互連線長分布模型

在三維集成電路設計中，TSV技術通過垂直互連顯著優(yōu)化了互連線長分布特性?；趥愄囟傻慕?jīng)典分析框架，可構(gòu)建適用于三維集成系統(tǒng)的互連線長分布模型。

2025-08-21 標簽：集成電路模型TSV 621 0

銅在微機電系統(tǒng)中的應用

在 MEMS（微機電系統(tǒng)）中，銅（Cu）因優(yōu)異的電學、熱學和機械性能，成為一種重要的金屬材料，廣泛應用于電極、互連、結(jié)構(gòu)層等關鍵部件。

2025-08-12 標簽：mems微機電系統(tǒng)TSV 599 0

TSV和TGV產(chǎn)品在切割上的不同難點

技術區(qū)別TSV硅通孔（ThroughSiliconVia），指連接硅晶圓兩面并與硅襯底和其他通孔絕緣的電互連結(jié)構(gòu)。硅中介層有TSV的集成是最常見的一種2...

2025-10-11 標簽：芯片TSV 485 0