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標(biāo)簽 > tsv
TSV(Through Silicon Vias)硅片通道通過(guò)硅通孔(TSV)銅互連的立體(3D)垂直整合,目前被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)最先進(jìn)的技術(shù)之一。硅片通孔(TSV)是三維疊層硅器件技術(shù)的最新進(jìn)展。
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							3D封裝架構(gòu)主要分為芯片對(duì)芯片集成、封裝對(duì)封裝集成和異構(gòu)集成三大類(lèi),分別采用TSV、TCB和混合鍵合等先進(jìn)工藝實(shí)現(xiàn)高密度互連。
 
														
							硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技術(shù)是一種通過(guò)在硅介質(zhì)層中制作垂直導(dǎo)通孔并填充導(dǎo)電材料來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片間垂直互連的先進(jìn)封裝技術(shù)。
 
														
							硅通孔(TSV)技術(shù)借助硅晶圓內(nèi)部的垂直金屬通孔,達(dá)成芯片間的直接電互連。相較于傳統(tǒng)引線(xiàn)鍵合等互連方案,TSV 技術(shù)的核心優(yōu)勢(shì)在于顯著縮短互連路徑(較引...
 
														TSV和TGV產(chǎn)品在切割上的不同難點(diǎn)
技術(shù)區(qū)別TSV硅通孔(ThroughSiliconVia),指連接硅晶圓兩面并與硅襯底和其他通孔絕緣的電互連結(jié)構(gòu)。硅中介層有TSV的集成是最常見(jiàn)的一種2...
 
														
							在三維集成電路設(shè)計(jì)中,TSV(硅通孔)技術(shù)通過(guò)垂直互連顯著提升了系統(tǒng)集成密度與性能,但其物理尺寸效應(yīng)與寄生參數(shù)對(duì)互連特性的影響已成為設(shè)計(jì)優(yōu)化的核心挑戰(zhàn)。
 
														構(gòu)建適用于三維集成系統(tǒng)的互連線(xiàn)長(zhǎng)分布模型
在三維集成電路設(shè)計(jì)中,TSV技術(shù)通過(guò)垂直互連顯著優(yōu)化了互連線(xiàn)長(zhǎng)分布特性?;趥愄囟傻慕?jīng)典分析框架,可構(gòu)建適用于三維集成系統(tǒng)的互連線(xiàn)長(zhǎng)分布模型。
 
														
							在 MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))中,銅(Cu)因優(yōu)異的電學(xué)、熱學(xué)和機(jī)械性能,成為一種重要的金屬材料,廣泛應(yīng)用于電極、互連、結(jié)構(gòu)層等關(guān)鍵部件。
2025-08-12 標(biāo)簽:mems微機(jī)電系統(tǒng)TSV 595 0
 
														聊聊倒裝芯片凸點(diǎn)(Bump)制作的發(fā)展史
凸點(diǎn)(Bump)是倒裝芯片的“神經(jīng)末梢”,其從金凸點(diǎn)到Cu-Cu鍵合的演變,推動(dòng)了芯片從平面互連向3D集成的跨越。未來(lái),隨著間距縮小至亞微米級(jí)、材料與工...
 
														
							本文主要講述TSV工藝中的硅晶圓減薄與銅平坦化。 硅晶圓減薄與銅平坦化作為 TSV 三維集成技術(shù)的核心環(huán)節(jié),主要應(yīng)用于含銅 TSV 互連的減薄芯片制造流...
 
														TSV技術(shù)的關(guān)鍵工藝和應(yīng)用領(lǐng)域
2.5D/3D封裝技術(shù)作為當(dāng)前前沿的先進(jìn)封裝工藝,實(shí)現(xiàn)方案豐富多樣,會(huì)根據(jù)不同應(yīng)用需求和技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)調(diào)整,涵蓋芯片減薄、芯片鍵合、引線(xiàn)鍵合、倒裝鍵合、T...
相較于傳統(tǒng)CMOS工藝,TSV需應(yīng)對(duì)高深寬比結(jié)構(gòu)帶來(lái)的技術(shù)挑戰(zhàn),從激光或深層離子反應(yīng)刻蝕形成盲孔開(kāi)始,經(jīng)等離子體化學(xué)氣相沉積絕緣層、金屬黏附/阻擋/種子...
 
														
							在半導(dǎo)體三維集成(3D IC)技術(shù)中,硅通孔(TSV)是實(shí)現(xiàn)芯片垂直堆疊的核心,但受深寬比限制,傳統(tǒng)厚硅片(700-800μm)難以制造直徑更?。?-2...
 
														
							三維集成電路工藝技術(shù)因特征尺寸縮小與系統(tǒng)復(fù)雜度提升而發(fā)展,其核心目標(biāo)在于通過(guò)垂直堆疊芯片突破二維物理極限,同時(shí)滿(mǎn)足高密度、高性能、高可靠性及低成本的綜合需求。
 
														
							在現(xiàn)代半導(dǎo)體封裝技術(shù)不斷邁向高性能、小型化與多功能異構(gòu)集成的背景下,硅通孔(TSV,Through-SiliconVia)工藝作為實(shí)現(xiàn)芯片垂直互連與三維...
 
														
							3D-IC通過(guò)采用TSV(Through-Silicon Via,硅通孔)技術(shù),實(shí)現(xiàn)了不同層芯片之間的垂直互連。這種設(shè)計(jì)顯著提升了系統(tǒng)集成度,同時(shí)有效地...
 
														芯片先進(jìn)封裝硅通孔(TSV)技術(shù)說(shuō)明
高性能計(jì)算機(jī)中日益廣泛采用“處理器+存儲(chǔ)器”體系架構(gòu),近兩年來(lái)Intel、AMD、 Nvidia都相繼推出了基于該構(gòu)架的計(jì)算處理單元產(chǎn)品,將多個(gè)存儲(chǔ)器與...
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