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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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sram技術(shù)

Cortex M3的SRAM單元故障軟件的自檢測研究

目前，對(duì)于存儲(chǔ)單元SRAM的研究都是基于硬件電路來完成，而且這些方法都是運(yùn)用在生產(chǎn)過程中，但是生產(chǎn)過程并不能完全杜絕SRAM的硬件故障

2011-07-29 標(biāo)簽：SRAM ST Cortex-M3 1.8k 0

存算一體芯片的技術(shù)壁壘

作為后摩爾時(shí)代發(fā)展的必然趨勢之一，存算一體越來越受到行業(yè)的關(guān)注。在存算十問的前六問中，我們梳理了存算一體的技術(shù)路線、挑戰(zhàn)和通用性等問題，這一次我們從技術(shù)...

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2022-08-01 標(biāo)簽：fpga sram 物聯(lián)網(wǎng) 1.8k 0

一文了解i.MXRTxxx系列片內(nèi)SRAM分區(qū)電源控制

大家好，我是痞子衡，是正經(jīng)搞技術(shù)的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是從功耗測試角度了解i.MXRTxxx系列片內(nèi)SRAM分區(qū)電源控制。

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采用基于字的檢測方法對(duì)單向雙端口SRAM進(jìn)行測試

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2020-08-03 標(biāo)簽：測試 sram 總線 1.7k 0

嵌入式微控制器應(yīng)用中的無線更新：設(shè)計(jì)權(quán)衡和經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)

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2022-12-22 標(biāo)簽：微控制器嵌入式 sram 1.7k 0

論基于電壓域的SRAM存內(nèi)計(jì)算技術(shù)的嶄新前景

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STM32G071從standby模式退出后的SRAM數(shù)據(jù)保留

某客戶使用 STM32G071 芯片從 standby 模式下喚醒，想要 SRAM 的數(shù)據(jù)在退出 standby模式后得以保持。根據(jù)手冊(cè)的描述，配置了相...

2023-12-20 標(biāo)簽：芯片接口 sram 1.7k 0

DRAM基本單元最為通俗易懂的圖文解說

本文要點(diǎn)提示：? ? ? ? ?? 1. DRAM 的工作原理圖文解說，包括讀寫以及存儲(chǔ)；? ? ? ? ? 2. 揭秘DRAM便宜但SRAM貴之謎。?...

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為什么GD32F303代碼運(yùn)行在flash比sram更快？

我們知道一般MCU的flash有等待周期，隨主頻提升需要插入flash讀取的等待周期，以stm32f103為例，主頻在72M時(shí)需要插入2個(gè)等待周期，故而...

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DRAM選擇為何突然變得更加復(fù)雜？

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FPGA和其他可編程邏輯IC 的不同之處在于哪

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如何在APM32E1上高效管理2MB SDRAM

一般我們開發(fā)MCU自帶的SRAM，對(duì)一般應(yīng)用來說，已經(jīng)夠用了，但是對(duì)于內(nèi)存需求較高的場合，比如跑GUI或者算法等，自帶的內(nèi)存會(huì)就不夠用，這個(gè)時(shí)候就要外擴(kuò)...

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怎樣設(shè)計(jì)一個(gè)同步FIFO？（2）

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了解FPGA比特流結(jié)構(gòu)

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你知道在5nm節(jié)點(diǎn)上， STT－MRAM與SRAM相比可以為緩存提供節(jié)能效果？

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芯片封裝：向上堆疊，翻越內(nèi)存墻

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