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      標簽　>　sic

      sic

      sic

      +關(guān)注32人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：3004個 瀏覽：67658次 帖子：124個

      sic技術(shù)

      碳和硅都這么優(yōu)秀了，可是怎么還出了一個碳化硅（SiC）？

      你可能沒見過莫桑石，但你一定聽說過金剛砂，這個類似“金剛石”的名稱已經(jīng)霸氣側(cè)露的表示出了它的硬度。常見的作為磨料、耐火材料的金剛砂分黑色和綠色兩種。但是...

      2019-03-28 標簽：電阻SiC碳化硅 1.1萬 0

      基于SiC技術(shù)的碳化硅襯底提升LED的發(fā)光度

      基于SiC技術(shù)的碳化硅襯底提升LED的發(fā)光度

      大多數(shù)現(xiàn)代LED由氮化銦鎵（InGaN）和藍寶石襯底組成。該架構(gòu)運行良好，并使LED制造商能夠提供效率超過150流明/瓦的產(chǎn)品。然而，該架構(gòu)確實存在一些...

      2019-01-17 標簽：led半導(dǎo)體sic 1.2萬 0

      想做車用SiC元件？這點一定不能錯過！

      在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達成的目標之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專案提供...

      2019-01-12 標簽：汽車電子SiC 3.8k 0

      SiC MOSFET進入主流市場，功率器件新局面正式開啟

      SiC MOSFET進入主流市場，功率器件新局面正式開啟

      進一步提高切換頻率會導(dǎo)致硅基解決方案效率與最大輸出功率迅速降低，但SiC MOSFET的低切換損耗不會有此問題。透過此范例的證明，工作頻率高達72kHz...

      2019-02-04 標簽：MOSFET功率器件SiC 5.3k 0

      淺談SiC技術(shù)和封裝的創(chuàng)新 SiC如何應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)

      在開始討論技術(shù)和開發(fā)目標前，先看一下圖1的電動汽車概念的簡單示意圖。在這種情況下，功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和牽引電機所用的電子元器件是本項目的研究方向。

      2018-12-23 標簽：汽車電子SiC 5.6k 0

      深度解析SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器驅(qū)動

      為了充分利用新型功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，必須在轉(zhuǎn)換器設(shè)計中實施完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng)，從最近的芯片到功率開關(guān)和柵極驅(qū)動器。

      2018-11-28 標簽：功率轉(zhuǎn)換器SiCGaN 9.3k 0

      如何通過調(diào)整門極驅(qū)動負壓，來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法

      由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征，以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性，會引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異，解釋這些差異與材料本身特性...

      2018-11-08 標簽：MOSFET半導(dǎo)體SiC 1.0萬 0

      SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計工程師不再迷茫

      SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計工程師不再迷茫

      在現(xiàn)實世界中，沒有理想的開關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn)，既能實現(xiàn)低開關(guān)損耗，又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換，并支持超快...

      2018-10-30 標簽：天線DC-DC轉(zhuǎn)換器SiC 6.9k 0

      采用SiC材料元器件的特性結(jié)構(gòu)介紹

      SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認為是...

      2018-09-29 標簽：mosfet半導(dǎo)體sic 9.2k 0

      基于SiC的MOSFET器件在電源與電機驅(qū)動電路設(shè)計中的特點分析

      商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅(qū)動等電路設(shè)計。

      2019-12-03 標簽：mosfet電機驅(qū)動sic 5.3k 0

      三菱電機開發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊

      6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓撲，一般的大功率應(yīng)用可以采用并聯(lián)連接來提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運行，需要考慮模塊自...

      2018-09-13 標簽：MOSFET三菱電機SiC 6.6k 0

      由開關(guān)器件的材料變革帶來的高壓電氣部件的能力提升

      EQC的銅排設(shè)計看上去很不合理，不過需要考慮從兩個分離的負極單獨取電，然后匯集到配電盒里面，對驅(qū)動系統(tǒng)和充電系統(tǒng)的配置有一些想法，這項工作的復(fù)雜度就比較...

      2018-09-10 標簽：電動汽車逆變器SiC 4.1k 0

      如何更加快速地為電動汽車充電

      推出電動汽車（EV）的通告已經(jīng)鋪天蓋地地席卷了全球。這些標題的吸睛點和不同點在于電動汽車遠程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍：目前，在所有駕駛...

      2018-08-27 標簽：電動汽車充電技術(shù)SiC 6.3k 0

      SiC功率器件是怎樣進行封裝的？有什么要點？

      使用三種無鉛焊料系統(tǒng)：Sn96.5-Ag3.5、Ag74.2-In25.8和Au76-In24幾乎實現(xiàn)了無孔隙焊點。實驗看到，焊點厚度在熱退火之前和之后...

      2018-08-23 標簽：芯片封裝sic 8.5k 0

      基于SiC材料的MOSFET的性能及SiC MOSFET的驅(qū)動設(shè)計要求

      如何驅(qū)動碳化硅MOSFET以優(yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性

      2018-08-02 標簽：mosfettisic 6k 0

      SiC MOSFET的驅(qū)動設(shè)計要求及應(yīng)用

      如何驅(qū)動碳化硅MOSFET以優(yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性

      2018-08-20 標簽：mosfet太陽能sic 9.1k 0

      探討改變電動汽車市場的氮化鎵IC

      氮化鎵提供更低的開關(guān)損耗、更快的開關(guān)速度、更高的功率密度、更好的熱預(yù)算、從而提高電動汽車的功率輸出和能效，且降低了重量和成本。

      2018-07-17 標簽：電動汽車igbtSiC 5.3k 0

      MOS管的構(gòu)造,工作原理,特性,電壓極性和符號規(guī)則的詳細資料概述

      隨著社會的進步和發(fā)展，MOS管在電子行業(yè)的應(yīng)用越來越廣泛，薩科微電子SLKOR作為能夠研發(fā)生產(chǎn)碳化硅SiC產(chǎn)品的“碳化硅專家”，必須來科普一下這方面的知識。

      2018-07-15 標簽：半導(dǎo)體MOS管SiC 1.2萬 0

      SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述

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      SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認為是...

      2018-07-15 標簽：MOSFET功率器件SiC 1.1萬 0

      入了解SiC MOSFET實現(xiàn)建議和解決方案示例

      入了解SiC MOSFET實現(xiàn)建議和解決方案示例

      對于電網(wǎng)轉(zhuǎn)換、電動汽車或家用電器等高功率應(yīng)用，碳化硅 (SiC) MOSFET 與同等的硅 IGBT 相比具有許多優(yōu)勢，包括更快的開關(guān)速度、更高的電流密...

      2018-07-04 標簽：MOSFETSiC開關(guān)損耗 1.0萬 0

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        TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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        Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵 （GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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      • 董明珠
        董明珠
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        董明珠， 出生于江蘇南京，企業(yè)家 ，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學院、中南財經(jīng)政法大學EMBA2008級 、中國社會科學院經(jīng)濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。 　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
      • UCD3138
        UCD3138
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