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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC基DNPC轉(zhuǎn)換器器件電壓不平衡問題分析與解決
SiC、GaN MOSFET等寬帶隙器件的進步,給電力電子領(lǐng)域帶來了一場革命。這些器件具有快速開關(guān)、高電荷密度和高效設(shè)計的優(yōu)點。它們在高功率應(yīng)用中非常有...
2022-08-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 3.2k 0
IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價格-性能分析
在設(shè)計電力電子設(shè)備時,我們需要評估所有業(yè)務(wù)需求和技術(shù)要求,以優(yōu)化設(shè)計周期時間,從而以更低的成本實現(xiàn)更高性能的系統(tǒng)。這是DiscoverEE及其創(chuàng)始人 S...
當(dāng)然,(近乎)完美的電氣開關(guān)已經(jīng)存在很長時間了,但我們在這里不是在談?wù)摍C械。 現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換依賴于理想情況下沒有電阻的半導(dǎo)體開關(guān),當(dāng)打開時沒有電阻,關(guān)閉時...
用于改善SiC MOSFET導(dǎo)通瞬態(tài)的電荷泵柵極驅(qū)動
用于高功率和高頻應(yīng)用的最有前途的器件之一是 SiC MOSFET。2,3 它支持更高的結(jié)溫,其特點包括低導(dǎo)通電阻和更高的開關(guān)。SiC MOSFET 允許...
混合七電平T2C-HB 轉(zhuǎn)換器的新空間矢量調(diào)制方案
基于碳化硅 (SiC) 的多電平轉(zhuǎn)換器受到了很多關(guān)注,2-5 由于新興的 SiC 功率模塊,它們顯示出較小的功率損耗和高阻斷電壓。中性點鉗位 (NPC)...
2022-08-03 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器SiC 1.7k 0
面向xEV和工業(yè)應(yīng)用的新一代SiC MOSFET
數(shù)據(jù)中心、光伏以及大量其他可再生能源和工業(yè)應(yīng)用也是如此。這些新的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)需要在固態(tài)電源開關(guān)器件方面取得突破,以高效可靠地處理高功率、快速開關(guān)速度和寬...
一種新型3.6-kV/400-A SiC IPM可提升電源應(yīng)用的性能
高能效對于多種大電流電源應(yīng)用至關(guān)重要,包括工業(yè)電機驅(qū)動器、可再生能源系統(tǒng)和固態(tài)變壓器。盡管硅長期以來一直是這些應(yīng)用中使用的主要半導(dǎo)體,但由于SiC提供的...
幾十年來,硅一直主導(dǎo)著晶體管世界,但這種情況正在逐漸發(fā)生變化。已經(jīng)開發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體,并具有獨特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如,化合物半...
輔助電源是電機驅(qū)動、光伏逆變器和 UPS 系統(tǒng)等工業(yè)應(yīng)用的重要組成部分。高壓直流總線轉(zhuǎn)換為 5 V 至 48 V 直流電源,為控制電路、傳感電路、冷卻風(fēng)...
關(guān)于SiC MOSFET短路Desat保護設(shè)計
富昌電子(Future Electronics)一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù),為客戶打造個性化的解決方案,并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導(dǎo)體的實際應(yīng)用領(lǐng)域...
使用寬帶隙半導(dǎo)體的技術(shù)可以滿足當(dāng)今行業(yè)所需的所有需求。顧名思義,它們具有更大的帶隙,因此各種電子設(shè)備可以在高電壓、高溫和高頻率下工作。碳化硅 (SiC)...
電源設(shè)計筆記:適用于高性能應(yīng)用的SiC JFET
本文檢查了 JFET SJEP120R100A 的功能和性能——這篇文章純粹是指導(dǎo)性的;此組件不再可用。但是這種簡單的方法也可以應(yīng)用于其他新組件。在接下...
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