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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

如何降低碳化硅Sic牽引逆變器的功率損耗和散熱

特別是對于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動器IC必須將開關(guān)和傳導(dǎo)損耗（包括導(dǎo)通和關(guān)斷能量）降至最低。

2023-02-06 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 晶體管 1k 0

碳化硅二極管的應(yīng)用

碳化硅，是一種無機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...

2023-02-05 標(biāo)簽：二極管 SiC 碳化硅 2.2k 0

碳化硅用途主要有哪些方面

碳化硅的應(yīng)用越來越廣泛，而現(xiàn)在科技市場的大力發(fā)展，碳化硅的功勞也是不容小覷，碳化硅在工業(yè)方面的應(yīng)用可以說是比較廣泛、經(jīng)濟(jì)的一種，那么碳化硅用途主要有哪些...

2023-02-05 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 1.7萬 0

碳化硅(SiC)二極管的種類及優(yōu)勢

以碳化硅(silicon carbide，SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件，受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系)，它們的物性值也各不相...

2023-02-04 標(biāo)簽：SiC 碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3.3k 0

汽車碳化硅技術(shù)成熟嗎汽車碳化硅的優(yōu)缺點(diǎn)

SiC是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一，技術(shù)也已經(jīng)趨于成熟，令其成為實(shí)現(xiàn)新能源汽車最佳性能的理想選擇。SiC對電動汽車的作用非常大，簡而...

2023-02-03 標(biāo)簽：新能源汽車 SiC 碳化硅技術(shù) 3.3k 0

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

2023-02-03 標(biāo)簽：石英 SiC 碳化硅 5.5k 0

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些碳化硅芯片不僅是一個新風(fēng)口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC 襯底碳化硅 5.4k 0

碳化硅SBD反向恢復(fù)特性

SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比，SiC具有許多優(yōu)勢，包括10倍的擊穿電場強(qiáng)度，3倍的帶隙，以及實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...

2023-02-03 標(biāo)簽：SBD SiC 碳化硅 1.3k 0

高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀

高壓 SiC MOSFET 由于其單極工作模式，高擊穿電壓將嚴(yán)重限制器件的導(dǎo)通電流能力。例如對于10 kV 等級器件來說，室溫下其電流等級約為 20~4...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC SiC MOSFET 4.9k 0

如何搭配碳化硅電源管理解決方案

綠色倡議持續(xù)推動工業(yè)、航空航天和國防應(yīng)用，尤其是運(yùn)輸行業(yè)的電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)型。碳化硅（SiC）是引領(lǐng)這一趨勢的核心技術(shù)，可提供多種新功能不斷推動各種車...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC 飛機(jī)碳化硅 443 0

碳化硅二極管優(yōu)勢有哪些？

碳化硅二極管的優(yōu)勢　 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性　　寬禁帶材料可提高器件的工作溫度，6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件 SiC 寬禁帶 943 0

什么是碳化硅？SiC在電力電子領(lǐng)域的一些非凡特性有哪些

碳化硅因其獨(dú)特的性能而被譽(yù)為硅的潛在替代品。以下是使這種材料如此非凡的特性，以及它在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用。

2023-02-03 標(biāo)簽：變頻器電力電子 SiC 1.5k 0

碳化硅二極管在各個領(lǐng)域的應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種高性能的半導(dǎo)體材料，基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為新能...

2023-02-03 標(biāo)簽：肖特基二極管半導(dǎo)體材料 SiC 809 0

碳化硅和硅相比有何性能優(yōu)勢

硅早已是大多數(shù)電子應(yīng)用中的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料，但與SiC相比，則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開始被多種應(yīng)用采納，特別是電動汽車，以應(yīng)對開發(fā)高效率和高功率器件所...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件 SiC 能源 1.3k 0

中科院物理研究所實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅生長的突破

從6寸把它發(fā)展到8寸，這樣在襯底上做出來的器件，就可以降低單個器件的襯底所占的成本，這是一個國際上發(fā)展的趨勢。

2023-02-03 標(biāo)簽：晶圓 SiC 碳化硅 1.8k 0

電機(jī)碳化硅技術(shù)指標(biāo)是什么碳化硅國家技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)介紹

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開始受到重視，并在多個領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用，并且展現(xiàn)出了良好的發(fā)展前景。

2023-02-02 標(biāo)簽：電動車 SiC 碳化硅 6k 0

關(guān)于碳化硅你了解多少

碳和硅的原子序數(shù)分別為6和14，在元素周期表中處于碳族元素的第二和第三周期，即上下相鄰的位置。這種位置關(guān)系，表明它們在某些方面具有類似的性質(zhì)。

2023-02-02 標(biāo)簽：SiC 金剛石碳化硅 3.1k 0

什么是碳化硅（SiC）？

碳化硅（SiC）是第三代化合物半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料可用于制造芯片，這是半導(dǎo)體行業(yè)的基石。碳化硅是通過在電阻爐中高溫熔化石英砂，石油焦，鋸末等原材料而制造的。

2023-02-02 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體材料 SiC 3.0萬 0

從晶體到系統(tǒng)之路：關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析

由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大，所以我單獨(dú)把這兩個流程拿出來和大家分享，接下來的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...

2023-02-02 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 4.5k 0

Microchip推出一款全新的綜合性混合動力驅(qū)動模塊

設(shè)計(jì)多電飛機(jī)（MEA）的飛機(jī)制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉(zhuǎn)換為電動，以減輕重量和設(shè)計(jì)復(fù)雜性。

2023-02-02 標(biāo)簽：MOSFET 控制系統(tǒng)IGBT 1.1k 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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