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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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碳化硅功率器件：革新未來能源與電力電子技術的關鍵材料

隨著全球對高效能源的不斷追求和電子技術的快速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件已逐漸達到其性能邊界。

2024-03-21 標簽：電動汽車功率器件 SiC 1.1k 0

充電樁中后級LLC用SiC MOSFET方案可用隔離驅動BTD25350

國芯思辰，國產芯片替代

2023-11-30 標簽：SiC 充電樁 1.1k 0

AC/DC轉換器IC BM2SC12xFP2-LBZ介紹

內置1700V耐壓SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC：BM2SC12xFP2-LBZ－優(yōu)點篇－使采用了SiC MOSFET的高效AC...

2023-02-08 標簽：轉換器 MOSFET 封裝 1.1k 0

碳化硅技術賦能EA10000系列電源的優(yōu)勢

為減緩氣候變化的步伐，人類在非化石燃料、可再生能源解決方案方面取得了進展，并且交通領域的電氣化進程也在加速。這些新興技術幾乎都要求使用大功率，對電源的要...

2025-03-13 標簽：示波器晶體管 SiC 1.1k 0

SiC MOSFET用于電機驅動的優(yōu)勢在哪里

在我們的傳統(tǒng)印象中，電機驅動系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關器件，而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應用相關聯(lián)。但在特...

2023-12-16 標簽：MOSFET 電機驅動 IGBT 1.1k 0

溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品

在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進程中，ROHM于世界首家實現(xiàn)了溝槽柵極結構SiC-MOSFET的量產。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。

2023-02-24 標簽：MOSFET SiC Rohm 1.1k 0

全面的SiC功率器件行業(yè)概覽

SiC功率器件市場正處于快速增長階段，特別是在汽車電動化趨勢的推動下，其市場規(guī)模預計將持續(xù)擴大。根據Yole Group的報告，汽車行業(yè)對SiC功...

2024-04-07 標簽：新能源汽車晶圓功率器件 1.1k 0

SiC-SBD的發(fā)展歷程

為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。

2023-02-08 標簽：二極管 SBD SiC 1.1k 0

功率器件在多次循環(huán)雙脈沖測試中的應用

隨著電力電子技術的飛速發(fā)展，功率器件在電動汽車、可再生能源、智能電網等領域的應用日益廣泛。這些應用對功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動...

2024-11-26 標簽：半導體功率器件 SiC 1.1k 0

瑞能半導體最新WeenPACK-B系列SiC功率模塊產品介紹

WeenPACK-B產品系列是一款專為逆變器與變流器設計的高效功率模塊，高可靠、靈活集成的電力電子模塊化平臺，可覆蓋最大功率100kW的應用場景。包括工...

2025-03-04 標簽：逆變器 SiC 功率模塊 1.1k 0

碳化硅解決方案滿足快速充電基礎設施設計要求

基于 SiC 的解決方案具有靈活性和適應性，有助于滿足當今對快速電動汽車充電基礎設施日益增長的需求，無論它是否是雙向充電站。無論如何，它們在任何情況下都...

2023-05-24 標簽：電動汽車 SiC 1.1k 0

使用SiC技術應對能源基礎設施的挑戰(zhàn)

本文簡要回顧了與經典的硅 (Si) 方案相比，SiC技術是如何提高效率和可靠性并降低成本的。然后在介紹 onsemi 的幾個實際案例之前，先探討了 Si...

2024-07-25 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.1k 0

Qorvo在SiC領域的戰(zhàn)略布局

SiC領域正在迎來群雄逐鹿的新時代，而射頻芯片巨頭Qorvo亦在電源應用領域耕耘多年，已占據自己的一席之地。

2024-08-12 標簽：半導體 SiC 射頻芯片 1.1k 0

提高SiC外延生長速率和品質的方法

SiC外延設備的復雜性主要體現(xiàn)在反應室設計、加熱系統(tǒng)和旋轉系統(tǒng)等關鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長過程中，晶型夾雜和缺陷問題頻發(fā)，嚴重影響外延膜的質...

2025-02-06 標簽：半導體晶圓 SiC 1.1k 0

SiC推動實現(xiàn)可再生的未來

隨著世界朝著更加綠色的可持續(xù)未來邁進，許多國家/地區(qū)正在減少化石燃料能源發(fā)電，轉而使用可再生能源。

2022-11-24 標簽：逆變器太陽能光伏 SiC 1.1k 0

SiC FET在固態(tài)斷路器應用中的沖擊電流處理能力

固態(tài)斷路器(SSCB)相比于傳統(tǒng)的電機械斷路器具有多種優(yōu)勢。基于寬帶隙(WBG)器件如碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的SSCB可以在許多應用中擴大其...

2024-08-20 標簽：固態(tài)斷路器 SiC 1.1k 0

650V混合SiC單管的開關特性

英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)...

2022-08-01 標簽：英飛凌二極管 SiC 1.1k 0

SiC與功率器件半導體材料知識匯總

MCT 是一種新型MOS 與雙極復合型器件。如上圖所示。MCT是將 MOSFET 的高阻抗、低驅動圖 MCT 的功率、快開關速度的特性與晶閘管的高壓、大...

2023-11-01 標簽：晶閘管 MOS 功率器件 1.1k 0

基于碳化硅的解決方案實現(xiàn)公交車的電氣化

像任何其他電動汽車一樣，公共汽車必須克服里程焦慮，因為它們必須能夠在不需要充電的情況下行駛最短的距離。他們還必須能夠找到距離合理的充電站并能夠快速充電。...

2023-05-24 標簽：電動汽車充電器 SiC 1.1k 0

SiC JFET并聯(lián)設計和測試中的最佳實踐

隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiCJFET將越來越重要。在第一篇文章和第二篇文章中我們重點介紹了SiCJFET并聯(lián)...

2025-03-06 標簽：并聯(lián)原理圖 JFET 1.1k 0

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