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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

SiC MOSFET的設(shè)計(jì)和制造

首先，是一張制造測(cè)試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。

2023-08-06 標(biāo)簽：芯片 MOSFET 晶圓 2.7k 0

SiC外延片測(cè)試需要哪些分析

對(duì)于摻雜的SiC外延片，紅外光譜測(cè)量膜厚為通用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導(dǎo)致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會(huì)出現(xiàn)反映外延層...

2023-08-05 標(biāo)簽：測(cè)試儀 SiC 紅外光譜 4.2k 0

碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘有哪些？

SiC 生產(chǎn)過程分為 SiC 單晶生長(zhǎng)、外延層生長(zhǎng)及器件制造三大步驟，對(duì)應(yīng)的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。主流制造襯底的方式首先以物理氣相升...

2023-08-04 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 1.7k 0

碳化硅二極管與硅相比的八大優(yōu)勢(shì)

寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅（Si）無法實(shí)現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性，并說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個(gè)指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢(shì)。

2023-08-04 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體晶體管 1.9k 0

SiC外延片是SiC產(chǎn)業(yè)鏈條的核心環(huán)節(jié)嗎？

碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。

2023-08-03 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 SiC 800 0

SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化方案

在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫...

2023-08-03 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 2.4k 0

800V電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)解讀

由于電池仍然是電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的最主要成本構(gòu)成，因此以最高效的方式使用電池提供的能量是很重要的，從電能到機(jī)械能的轉(zhuǎn)換效率即電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)效率就顯得及其重要。

2023-08-01 標(biāo)簽：電動(dòng)機(jī)逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) 2k 0

碳化硅（SiC）芯片設(shè)計(jì)的一些關(guān)鍵考慮因素

芯片表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(Source pad)，柵極焊盤(Gate Pad)和開爾文源極焊盤(Kelvin Source Pad)構(gòu)成。

2023-08-01 標(biāo)簽：MOSFET 芯片設(shè)計(jì)SiC 2k 0

高效氮化鎵電源設(shè)計(jì)方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效率

氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，...

2023-08-01 標(biāo)簽：電源整流器德州儀器 3k 0

碳化硅是如何制造的？碳化硅的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖...

2023-07-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 3.5k 0

電子設(shè)備越來越多地接入電網(wǎng)，這增加了電網(wǎng)的失真幾率，也使配電網(wǎng)絡(luò)容易產(chǎn)生問題。為緩解這些問題，電源設(shè)計(jì)需要先進(jìn)的功率因數(shù)校正 (PFC) 電路來滿足嚴(yán)格...

2023-08-02 標(biāo)簽：功率因數(shù)PFC SiC 3.4k 0

碳化硅二極管優(yōu)于硅二極管的8大原因

在額定電壓相同的情況下，SiC二極管占用的空間比Si更小。

2023-07-26 標(biāo)簽：二極管 emi SiC 987 0

瞻芯電子比鄰驅(qū)動(dòng)系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹

比鄰驅(qū)動(dòng)(Nextdrive)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片，具有緊湊、高速和智能的特點(diǎn)。

2023-07-21 標(biāo)簽：MOSFET SiC 驅(qū)動(dòng)芯片 9.2k 0

碳化硅MOSFET的應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅(SiC)技術(shù)的新興機(jī)遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境下...

2023-07-21 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 SiC 1.9k 0

IGBTs給高功率帶來了更多的選擇

絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時(shí)日，事實(shí)上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時(shí)起，IGBT成為了中壓和高壓（...

2023-07-20 標(biāo)簽：IGBT 晶體管 SiC 1.3k 0

新能源電機(jī)絕緣系統(tǒng)關(guān)鍵參數(shù)-PDIV（一）

直奔主題，下圖為典型的雙電極電壓（極性從正極到負(fù)極交替變化的電壓）沖擊圖。

2023-07-18 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SiC 3.7k 0

SiC產(chǎn)品和Si產(chǎn)品的兩點(diǎn)比較 SiC肖特基勢(shì)壘二極管的特征

我們從SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特...

2023-07-18 標(biāo)簽：變壓器 SBD SiC 1.1k 0

半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程

第一代半導(dǎo)體材料以錯(cuò)和硅為主。

2023-07-17 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體晶體管 3.3k 0

柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型要求，如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)芯片

柵極驅(qū)動(dòng)芯片可根據(jù)功能分為多種類型，如單路、雙路、多路等。因此，在選型時(shí)需要根據(jù)具體應(yīng)用情況進(jìn)行選擇。

2023-07-14 標(biāo)簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動(dòng) 6.8k 0

為快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二極管

圳市森國(guó)科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）

2023-07-12 標(biāo)簽：二極管電解電容 SiC 1.9k 0

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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