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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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碳化硅晶片的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究
為實現(xiàn)碳化硅晶片的高效低損傷拋光,提高碳化硅拋光的成品率,降低加工成本,對現(xiàn)有的碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光 技術(shù)進(jìn)行了總結(jié)和研究。針對碳化硅典型的晶型結(jié)構(gòu)及其微...
SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢
碳化硅是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求。
摘要:隨著人們環(huán)保意識的不斷提高,傳統(tǒng)的化石能源越來越無法滿足人們的要求,以太陽能為代表的可再生新能源逐漸引起人們的關(guān)注。而并網(wǎng)逆變器作為新能源與電網(wǎng)連...
這是電力電子領(lǐng)域令人興奮的時代。在硅占據(jù)主導(dǎo)地位數(shù)十年后,兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經(jīng)開始占領(lǐng)價值數(shù)十億美元的市場。例如,碳化硅現(xiàn)在是電動汽...
碳化硅(SiC)作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿場強(qiáng)、高電子飽和漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。本文將對碳化硅功...
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,在眾多高端應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色,已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向...
第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越,應(yīng)用場景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ),經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場景提出更高的要求,以碳化硅、氮化鎵為代 表的第三...
碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-...
碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。由于這些優(yōu)異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光...
摘要:通過調(diào)節(jié)中頻感應(yīng)線圈的輸出功率來改變碳化硅升華生長坩堝的加熱溫度,并采用 NaCl 和 Al2O3 進(jìn)行燒結(jié)實驗,觀察不同輸出功率下燒結(jié)后的形貌變...
SiC(碳化硅)逆變器是一種新型的電力電子器件,具有高效率、高頻率、高溫穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電動汽車、可再生能源、電力系統(tǒng)等領(lǐng)域。設(shè)計SiC逆變器需...
氮化鎵融資方面,今年融資數(shù)量最多的反倒是材料細(xì)分領(lǐng)域,相關(guān)材料企業(yè)有晶湛半導(dǎo)體、進(jìn)化半導(dǎo)體、鎵仁半導(dǎo)體。其中士蘭明鎵融資規(guī)模最大,達(dá)12億人民幣,投資方...
2024-01-10 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)光伏SiC 538 0
碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢及應(yīng)用前景
隨著科技的不斷進(jìn)步,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅(SiC)作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料,具有高頻...
《節(jié)能與新能源汽車技術(shù)路線圖2.0》明確了汽車技術(shù)“低碳化?信息化?智能”化發(fā)展方向?預(yù)計到2035年,節(jié)能與新能源汽車銷售暈占比達(dá)到50%?
SiC是碳化硅的縮寫。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱,是一種用途廣泛的材料。
碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是...
探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制,揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。
2024-01-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù)SiC 3.9k 0
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