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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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														SiC碳化硅的崛起:現(xiàn)代戶用混合逆變器拓?fù)洹②厔?shì)及器件級(jí)集成技術(shù)解析
傾佳電子SiC碳化硅的崛起:現(xiàn)代戶用混合逆變器拓?fù)?、趨?shì)及器件級(jí)集成技術(shù)解析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接...
														傾佳電子SiC碳化硅在微電網(wǎng)儲(chǔ)能領(lǐng)域的崛起:功率變換系統(tǒng)拓?fù)渑c技術(shù)趨勢(shì)的技術(shù)分析
傾佳電子SiC碳化硅在微電網(wǎng)儲(chǔ)能領(lǐng)域的崛起:功率變換系統(tǒng)拓?fù)渑c技術(shù)趨勢(shì)的技術(shù)分析 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車...
														SiC MOSFET分立器件和功率模塊在車載充電器應(yīng)用中的性能分析
本文圍繞基于SiC分立器件和功率模塊的功率因數(shù)校正器(PFC)級(jí),分析并比較了二者在車載充電器(OBC)應(yīng)用中的性能。
2025-10-18 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體SiC 5k 0
														
							在功率電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)器件以其優(yōu)異的性能正逐漸取代傳統(tǒng)硅基器件。然而,SiCMOSFET和SiC二極管在實(shí)際應(yīng)用中卻面臨一種特殊的可靠性挑戰(zhàn)—...
														?Microchip 2ASC-12A2HP SiC柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與工程實(shí)踐
Microchip Technology 2ASC-12A2HP柵極驅(qū)動(dòng)器可以控制和保護(hù)大多數(shù)基于SiC MOSFET的功率系統(tǒng)。2ASC-12A2HP...
2025-10-14 標(biāo)簽:MOSFETSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 239 0
														PI技術(shù)白皮書(shū) 1250V/1700V PowiGaN HEMT在800VDC AI數(shù)據(jù)中心架構(gòu)中的應(yīng)用
白皮書(shū)?闡釋了Power Integrations業(yè)界首款1250V PowiGaN HEMT的性能優(yōu)勢(shì),展示了其經(jīng)過(guò)實(shí)際應(yīng)用驗(yàn)證的可靠性以及滿足800...
2025-10-14 標(biāo)簽:PI數(shù)據(jù)中心SiC 487 0
														TMS320F280038C-Q1微控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
														TMS320F28003x系列微控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)的全文總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
														
							TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
														Microchip XIFx-Intelligent HV100柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析
Microchip XIFM柵極驅(qū)動(dòng)器是一款智能、隔離式即插即用mSiC? 柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)3.3kV SiC模塊,采用高壓 (HV) 封裝,如...
2025-10-10 標(biāo)簽:microchipSiC柵極驅(qū)動(dòng)器 249 0
														TMS320F280039微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
														基于傳輸線法TLM與隔離層優(yōu)化的4H-SiC特定接觸電阻SCR精準(zhǔn)表征
4H-碳化硅(4H-SiC)因其寬禁帶(3.26eV)、高熱導(dǎo)率(4.9W·cm?1·K?1)和高擊穿場(chǎng)強(qiáng)(2.5MV·cm?1),成為高溫、高功率電子...
														TMS320F280033微控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
														Microchip SP6LI mSiC? MOSFET模塊評(píng)估板技術(shù)解析
Microchip Technology SP6LI mSiC? MOSFET模塊評(píng)估板設(shè)計(jì)用于SP6LI低電感SiC模塊測(cè)試,采用頂部安裝數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)...
														TMS320F280038-Q1微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
														TMS320F280036C-Q1微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
														TMS320F280036-Q1微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
														TMS320F280039C-Q1 微控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)總結(jié)
TMS320F28003x (F28003x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
2025-09-30 標(biāo)簽:微控制器SiC開(kāi)關(guān)頻率 821 0
														TMS320F28P650DK實(shí)時(shí)微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28P65x (F28P65x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件,專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包...
														?TMS320F28P55x系列微控制器技術(shù)文檔總結(jié)
TMS320F28P55x (F28P55x) 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員,該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì),包括但不...
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