基于射頻開關(guān)的MEMS/NEMS狀態(tài)

在開關(guān)能力超過18 GHz的MEMS/NEMS RF開關(guān)選擇方面取得了一些進展。Menlo Microsystems（通用電氣MEMS研究的商業(yè)化分拆）...

2023-09-29 標(biāo)簽：adiMEMSNEMS 2k 0

考慮射頻系統(tǒng)中的GSPS ADC

直接RF采樣架構(gòu)為RF和系統(tǒng)設(shè)計人員提供了 比任何其他架構(gòu)都更多的設(shè)計權(quán)衡。但是翻轉(zhuǎn) 該數(shù)組的一面是，圍繞樣本需要做出艱難的決定。 速率、帶寬、動態(tài)范圍...

2023-06-15 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器adcRF 2k 0

MIMO RF前端模塊及RF設(shè)計的技術(shù)挑戰(zhàn)

對現(xiàn)有的無線局域網(wǎng) (WLAN) 設(shè)備和芯片組制造商而言，最近獲批準(zhǔn)的802.11n 標(biāo)準(zhǔn)草案可謂一個新市場的催生力量。然而，多輸入多輸出 (multi...

2017-11-25 標(biāo)簽：wlanmimoRF 2k 0

射頻電路PCB設(shè)計技巧

由于射頻(RF)電路為分布參數(shù)電路，在電路的實際工作中容易產(chǎn)生趨膚效應(yīng)和耦合效應(yīng)，所以在實際的PCB設(shè)計中，會發(fā)現(xiàn)電路中的干擾輻射難以控制。

2023-04-30 標(biāo)簽：PCB設(shè)計RF射頻電路 2k 0

CMOS技術(shù)緩解了RF電路在SoC中的集成挑戰(zhàn)

隨著半導(dǎo)體制造能力允許在單塊芯片上集成數(shù)千門邏輯電路，系統(tǒng)級芯片(SoC)開始占據(jù)未來IC技術(shù)的中心。不過，當(dāng)今天人們在談?wù)揝oC時，他們實際談?wù)摰闹皇?..

2017-11-25 標(biāo)簽：socRF 2k 0

采用RF DAC的多頻段、多標(biāo)準(zhǔn)發(fā)射器設(shè)計

無線通信網(wǎng)絡(luò)正在迅速發(fā)展。消費者對數(shù)據(jù)服務(wù)需求的快速擴展要求覆蓋范圍更廣，帶寬更高，同時多種空氣標(biāo)準(zhǔn)并存。不同的無線電技術(shù)和不斷增加的頻率分配使控制網(wǎng)絡(luò)...

2023-01-09 標(biāo)簽：發(fā)射器dacRF 2k 0

AISG v3.0物理層調(diào)制解調(diào)器的新功能

集成調(diào)制器解調(diào)器（調(diào)制解調(diào)器）于2009年推出，為無處不在的RS-485接口和2.176MHz OOK信號之間的轉(zhuǎn)換提供了一個完整的集中解決方案，該信號...

2023-06-16 標(biāo)簽：調(diào)制解調(diào)器RF調(diào)制器 2k 0

10GHz~90GHz寬口徑變溫噪聲源詳細(xì)解析

微波輻射計是一種用于測量物體微波熱輻射的被動遙感儀器。由于物體的微波輻射信號是極其微弱的非相干信號，這種信號的功率比輻射計本身的噪聲功率還要小很多，所以...

2018-05-02 標(biāo)簽：無線rf 2k 0

利用GaN的帶寬和功率密度優(yōu)勢對抗RCIED

氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻...

2023-05-24 標(biāo)簽：功率放大器RFGaN 2k 0

射頻功率放大器的基礎(chǔ)知識

射頻功率放大器(RF PA)是發(fā)射系統(tǒng)中的主要部分，其重要性不言而喻。在發(fā)射機的前級電路中，調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號功率很小，需要經(jīng)過一系列的放大（...

2023-06-25 標(biāo)簽：射頻功率放大器振蕩電路 1.9k 0

射頻前端IC簡化軟件GPS接收器

本文研究了L1頻段民用GPS應(yīng)用中基于軟件的接收器的基本理論，包括對信號采集和跟蹤的討論，以及接收器中位同步的需求。此外，還簡要介紹了L1頻段GPS接收...

2023-03-08 標(biāo)簽：接收器GPSRF 1.9k 0