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標簽 > pn結(jié)
采用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。
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三極管的放大倍數(shù)是衡量其放大能力的重要參數(shù),通常用β表示。計算三極管的放大倍數(shù)需要考慮多個因素,包括材料、結(jié)構、工藝等。下面將詳細介紹三極管放大倍數(shù)的計...
對半導體的深入理解無疑會對我們的生活產(chǎn)生深遠的影響,尤其是面對任何涉及計算機或無線電波的電子設備。這其中的核心往往是硅,因此眾多科技巨頭會聚集在以硅為名...
2023-12-10 標簽:PN結(jié) 5.7k 0
LED(發(fā)光二極管)燈珠發(fā)光的原理基于半導體的電學特性,具體來說,是基于PN結(jié)的電致發(fā)光效應。
本推文針對讀者提出的兩個問題進行系統(tǒng)解答,一是關于二極管正向?qū)ㄆ陂g的歐姆損耗,二是如何把測試的數(shù)據(jù)導入仿真軟件,便于不斷調(diào)整條件后,實現(xiàn)仿真與實測的便捷對比。
IGBT的終端耐壓結(jié)構—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異(2)
下面我們再分析一下球面結(jié)的雪崩電壓。首先對(7-17)從PN結(jié)邊界到耗盡區(qū)圖片積分,結(jié)果如下,
IGBT的終端耐壓結(jié)構—柱面結(jié)和球面結(jié)的耐壓差異(1)
回顧《平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異1》中柱面結(jié)的示意圖,在三維結(jié)構中,PN結(jié)的擴散窗口會同時向x方向和z方向擴散,那么在角落位置就會形成如圖所示的1/8球面結(jié)。
IGBT的終端耐壓結(jié)構—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異(2)
下面對電場積分,我們看看隨著增長,即耗盡區(qū)深度的增長,柱面結(jié)與平面結(jié)所承受電壓分布的差異。
IGBT的終端耐壓結(jié)構—平面結(jié)和柱面結(jié)的耐壓差異(1)
IGBT是要耐受高電壓的,在《IGBT的若干PN結(jié)》一章中,我們從高斯定理、泊松方程推演了PN結(jié)的耐壓,主要取決于PN結(jié)的摻雜濃度。
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