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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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PCle標(biāo)準(zhǔn)演進(jìn)、NAND技術(shù)迭代,企業(yè)級(jí)SSD如何突破設(shè)計(jì)難點(diǎn)
電子發(fā)燒友報(bào)道(文/莫婷婷)近年來,數(shù)據(jù)中心、云計(jì)算等相關(guān)技術(shù)不斷演進(jìn),機(jī)器學(xué)習(xí)、數(shù)據(jù)分析、高性能渲染等新興應(yīng)用推動(dòng)SSD(固態(tài)硬盤)的發(fā)展。在企業(yè)級(jí)市...
西部數(shù)據(jù)與鎧俠重啟談判,或?qū)?shí)現(xiàn)兩家合并
Western Digital Corp.(西部數(shù)據(jù))已重啟與日本Kioxia Holdings Corp.(鎧俠)的談判,該交易可能會(huì)使兩家技術(shù)存儲(chǔ)供...
2023-01-06 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器西部數(shù)據(jù) 557 0
DRAM價(jià)格沒有回升跡象,DDR5繼續(xù)下跌
據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱,到 2022 年為止,DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格已下跌超過 40%,而 NAND 閃存晶圓價(jià)格已跌至供應(yīng)商的現(xiàn)金成本水平以下。
研究機(jī)構(gòu)和證券公司最新報(bào)告顯示,三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)營收在今年三季度達(dá)到 55.84 億美元,高于 NAND 閃存業(yè)務(wù) 43 億美元的銷售額。
憶聯(lián)數(shù)據(jù)中心級(jí)SSD——UH711a正式發(fā)布!國內(nèi)首款E3.S形態(tài)同步揭曉
為更好地滿足超大規(guī)模的數(shù)據(jù)應(yīng)用,憶聯(lián)發(fā)布數(shù)據(jù)中心級(jí)NVMe SSD——UH711a以及UH711a E3.S形態(tài)。該系列產(chǎn)品使用自研控制器與長江存儲(chǔ)12...
2022-12-27 標(biāo)簽:NANDSSD數(shù)據(jù)中心 1.5k 0
半導(dǎo)體市場(chǎng)一蹶不振,NAND Flash閃存出貨量低于預(yù)期
除PC需求疲弱外,NAND Flash價(jià)跌也是促使SSD價(jià)格續(xù)跌的原因。SSD搭載數(shù)個(gè)NAND Flash、因此價(jià)格易受NAND Flash價(jià)格影響。
美光通過多種技術(shù)來實(shí)現(xiàn)節(jié)能,包括優(yōu)化進(jìn)入和退出自啟動(dòng)節(jié)能狀態(tài),在控制器中使用先進(jìn)的制程節(jié)點(diǎn),以及利用主機(jī)內(nèi)存緩沖(HMB)技術(shù)取代 DRAM。這些創(chuàng)新技...
美光推出采用232層NAND技術(shù)的全球最先進(jìn)客戶端SSD
2022 年 12 月 15 日,中國上?!狹icron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布,已...
系統(tǒng)性良率問題取代隨機(jī)缺陷成為先進(jìn)工藝芯片制造主要問題
最近最重要的變化之一是 3D 檢測(cè)和計(jì)量學(xué)習(xí)的增加。finFET 和納米片晶體管的采用發(fā)生在前端,而高級(jí)封裝則需要在后端進(jìn)行 3D 計(jì)量。
在汽車產(chǎn)業(yè)生態(tài)重構(gòu)時(shí)期,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)將扮演更重要的角色
隨著人工智能和龐大的傳感器系統(tǒng)發(fā)展,汽車需要越來越強(qiáng)悍的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力,以滿足車內(nèi)應(yīng)用以及車聯(lián)萬物的高速增長態(tài)勢(shì)。傳統(tǒng)的車載信息終端采用的存儲(chǔ)設(shè)備已經(jīng)無法...
2022-12-09 標(biāo)簽:NAND數(shù)據(jù)存儲(chǔ)西部數(shù)據(jù) 1.5k 0
200層NAND芯片的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤美光2550 SSD正式出貨
美光發(fā)布的官方新聞稿,該企業(yè)宣布其已經(jīng)正式出貨了全球首款使用超過200層NAND芯片的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤美光2550 SSD,該SSD采用232層NAND技...
「復(fù)享光學(xué)」3D NAND多層薄膜量測(cè)的新思路
據(jù)知名半導(dǎo)體和微電子情報(bào)提供商TechInsights報(bào)道,長江存儲(chǔ)的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士...
一刀切的模式是行不通的,這就是為什么您會(huì)看到云提供商擁有數(shù)十種甚至數(shù)百種不同的實(shí)例類型。這些正在嘗試針對(duì)不同的工作負(fù)載優(yōu)化硬件產(chǎn)品。即便如此,許多用戶最...
2022-12-05 標(biāo)簽:芯片NAND數(shù)據(jù)中心 1.3k 0
不斷增長的存儲(chǔ)需求推動(dòng)更多的NAND進(jìn)入汽車設(shè)計(jì)
為了在利潤緊張的汽車市場(chǎng)中將成本保持在最低水平,汽車制造商及其供應(yīng)商也在使用消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)技術(shù)。當(dāng)然,在某些子系統(tǒng)(如ADAS或集群)中,這可能會(huì)導(dǎo)致可靠性...
2023年存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)下滑將比去年減少17%
由主要半導(dǎo)體廠商組成的世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)發(fā)布的報(bào)告稱,2023年半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將同比減少4.1%,降至5565億美元,此前曾預(yù)期增長4....
閃存控制器將對(duì)閃存上的數(shù)據(jù)執(zhí)行相同的操作,利用磨損均衡 (WL)、垃圾收集 (GC)、動(dòng)態(tài)數(shù)據(jù)刷新 (DDR) 和讀取干擾管理 (RDM) 等功能來...
在NAND閃存的應(yīng)用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí),這些塊變得不可工作,需要一個(gè)備用...
佰維EPS200、C1008斬獲“硬核中國芯”最佳存儲(chǔ)芯片獎(jiǎng)、“汽車電子創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)”
近期,佰維EPS200、C1008產(chǎn)品喜報(bào)頻傳。兩款芯片先后在眾多參評(píng)產(chǎn)品中脫穎而出,一舉斬獲硬核中國芯2022年度最佳存儲(chǔ)芯片獎(jiǎng)、維科杯·OFweek...
RRAM的研究進(jìn)展 RRAM的四大發(fā)展機(jī)遇
嵌入式閃存微控制器自推出第一批發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)以來,就被用作汽車中的ECU,市場(chǎng)上大多數(shù)MCU系列都基于eFlash技術(shù),但該技術(shù)一直在努力遷移到28納米...
利用3D NAND克服工業(yè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)問題
平面MLC NAND將其兩位數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)單元中。這兩個(gè)位位于兩個(gè)不同的配對(duì)頁面中,這些頁面在不同的階段進(jìn)行編程。這意味著,如果在寫入一頁時(shí)電源出現(xiàn)...
2022-11-28 標(biāo)簽:電源驅(qū)動(dòng)器NAND 818 0
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