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      標(biāo)簽　>　nand

      nand

      nand

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      NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

      文章：1557個(gè) 瀏覽：140228次 帖子：352個(gè)

      nand資訊

      Kioxia和Western Digital宣布第8代218層3D NAND閃存

      傳統(tǒng)上，控制邏輯和單元邏輯是在一個(gè)晶圓上單片制造的。SK 海力士將其這種制造版本稱為 Peri Under Cell (PUC)，而 WD 和 Kiox...

      2023-04-04 標(biāo)簽：閃存NAND3d nand 2.1k 0

      Intel和SK Hynix提出閃存未來的兩項(xiàng)重要進(jìn)展

      TLC是當(dāng)今使用最廣泛的閃存，盡管市場上有每單元4位的芯片。Lee表示，Hynix正在考慮增加層數(shù)和每個(gè)單元的位數(shù)。

      2023-03-14 標(biāo)簽：閃存NANDintel 686 0

      美國或再度升級對華芯片制造設(shè)備出口限制

      報(bào)道顯示，拜d政府?dāng)M將17類（臺）超百萬美元的設(shè)備制裁，擴(kuò)大到34類（擴(kuò)大一倍）。這一限制是在2022年10月出臺的對華半導(dǎo)體出口管制基礎(chǔ)上的進(jìn)一步升級...

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      國產(chǎn)存儲芯片的發(fā)展以及重要性

      存儲芯片除了滿足基本的存儲功能，未來，帶有各種處理器內(nèi)核的SoC以及集成更多處理能力的FPGA產(chǎn)品將成為市場新需求。

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      對比韓企存儲技術(shù)，長江存儲發(fā)展如何

      據(jù)外媒報(bào)道，長江存儲去年7月生產(chǎn)了232層3D NAND閃存樣機(jī)，同年11月開始投入量產(chǎn)。

      2023-02-28 標(biāo)簽：DRAMNAND長江存儲 2.3k 0

      西部數(shù)據(jù)深耕工業(yè)應(yīng)用場景，以多樣化解決方案賦能制造行業(yè)智能化轉(zhuǎn)型

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      51CTO 當(dāng)前，數(shù)字經(jīng)濟(jì)已經(jīng)成為推動(dòng)全球經(jīng)濟(jì)增長的新引擎，加速企業(yè)的數(shù)字化轉(zhuǎn)型進(jìn)程，推進(jìn)業(yè)務(wù)的創(chuàng)新與可持續(xù)發(fā)展，已經(jīng)成為企業(yè)的第一要?jiǎng)?wù)。作為制造大國，...

      2023-02-27 標(biāo)簽：NAND存儲智能化 807 0

      助力數(shù)字化/自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)騰飛 西部數(shù)據(jù)亮相CAIMRS 2023年會(huì)

      隨著工業(yè)4.0時(shí)代的全面到來，信息化和智能化對于工業(yè)系統(tǒng)的提升將會(huì)起到?jīng)Q定性的作用。2月24日，全球數(shù)據(jù)基礎(chǔ)架構(gòu)解決方案的提供商西部數(shù)據(jù)公司參加了由中國...

      2023-02-25 標(biāo)簽：NAND存儲西部數(shù)據(jù) 1.1k 0

      2023年第二季度個(gè)人電腦市場將恢復(fù)正常庫存水平

      。個(gè)人電腦供應(yīng)鏈的不同階層面臨的挑戰(zhàn)也不同，因此，其復(fù)蘇時(shí)間也各不相同。

      2023-02-24 標(biāo)簽：DRAMNAND顯示屏 1k 0

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      2023-02-13 標(biāo)簽：DRAMNAND三星電子 969 0

      西部數(shù)據(jù)首次宣布減產(chǎn) NAND閃存晶圓產(chǎn)量將減少30%

      據(jù)TrendForce集邦咨詢2022年11月23日研究顯示，西部數(shù)據(jù)在全球NAND閃存市場占有12.6%的份額，僅次于三星電子、鎧俠和SK Group...

      2023-02-09 標(biāo)簽：NANDSK海力士西部數(shù)據(jù) 609 0

      淺談受存儲芯片價(jià)格暴跌影響的主要幾個(gè)方面

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      2023-02-08 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲器 1.8k 0

      存儲芯片市場正在出現(xiàn)歷史低迷期

      以繁榮與蕭條周期而聞名的存儲芯片行業(yè)已經(jīng)改變了方式。更嚴(yán)格的管理和產(chǎn)品的新市場，包括 5G 技術(shù)和云服務(wù)相結(jié)合，將確保公司實(shí)現(xiàn)更可預(yù)測的收益。

      2023-02-02 標(biāo)簽：NAND三星電子海力士 557 0

      存儲芯片行業(yè)至暗時(shí)刻：千載難逢的投資機(jī)遇

      這場前所未有的危機(jī)不僅使得業(yè)界領(lǐng)軍企業(yè)SK海力士和美光科技(MU.US)的現(xiàn)金流失殆盡，還動(dòng)搖了其供應(yīng)商的穩(wěn)定性，打擊了依賴科技出口的亞洲經(jīng)濟(jì)體，并迫使...

      2023-02-02 標(biāo)簽：NAND存儲芯片供應(yīng)鏈 1.8k 0

      SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄 sk海力士2022年財(cái)報(bào)難看

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      2023-02-01 標(biāo)簽：DRAMNAND內(nèi)存 3.8k 0

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      2023-01-12 標(biāo)簽：NAND西部數(shù)據(jù)鎧俠 1.3k 0

      三星電子將12月3D NAND報(bào)價(jià)調(diào)漲10%

      據(jù)臺媒電子時(shí)報(bào)報(bào)道，相關(guān)供應(yīng)鏈業(yè)內(nèi)人士透露，三星內(nèi)部消息稱，12月有部分中國客戶接受漲價(jià)。

      2023-01-11 標(biāo)簽：NAND閃存芯片存儲芯片 460 0

      西部數(shù)據(jù)和鎧俠有望“再續(xù)前緣”？

      西部數(shù)據(jù)和鎧俠有望“再續(xù)前緣”。據(jù)路透、彭博報(bào)道，一位知情人士稱透露，西部數(shù)據(jù)已經(jīng)重啟與鎧俠的并購交易談判。

      2023-01-10 標(biāo)簽：NAND西部數(shù)據(jù)存儲行業(yè) 725 0

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