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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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nand資訊

兆易創(chuàng)新“一種NAND閃存芯片的測(cè)試樣本”專利獲授權(quán)

　根據(jù)專利摘要，本發(fā)明實(shí)際公開了nand閃存芯片的測(cè)試樣本，測(cè)試樣本由多個(gè)相同的樣本區(qū)域組成，每個(gè)樣本區(qū)域包含多個(gè)相鄰的數(shù)據(jù)塊。相鄰的幾個(gè)數(shù)據(jù)塊會(huì)測(cè)試不...

2023-10-13 標(biāo)簽：NAND 數(shù)據(jù)閃存芯片 1.2k 0

SD NAND焊盤脫落原因分析

SDNAND焊盤脫落現(xiàn)象在使用SDNAND的過程，難免有個(gè)芯片會(huì)出現(xiàn)焊盤脫落，如下圖：從這個(gè)焊盤的放大圖可以明顯的看到焊盤有明顯的拉扯痕跡，可以看出焊盤...

2023-10-11 標(biāo)簽：NAND SD 焊盤 2.4k 0

三星利潤，預(yù)計(jì)下滑80%

這一逆轉(zhuǎn)是因?yàn)?，在?nèi)存芯片價(jià)格跌至谷底并沒有像一些人預(yù)測(cè)的那樣快回升后，傳統(tǒng)上最大的盈利部門——芯片部門可能報(bào)告季度虧損 3 萬億至 4 萬億韓元。

2023-10-11 標(biāo)簽：DRAM NAND 晶圓廠 1.2k 0

NAND Flash四季度漲幅預(yù)計(jì)10%以上

三星內(nèi)部認(rèn)為當(dāng)前NAND Flash供應(yīng)價(jià)格過低，計(jì)劃從今年四季度開始調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)格，漲幅預(yù)計(jì)在10%以上。

2023-10-10 標(biāo)簽：DRAM Nand 存儲(chǔ)芯片 1.7k 0

美國同意三星向其中國工廠提供設(shè)備

10月9日，韓國半導(dǎo)體業(yè)傳來好消息，美國將無限期豁免三星電子和SK海力士向其在我國的工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備，而且無需其它許可；美方的這一決定即日起生效。三...

2023-10-10 標(biāo)簽：DRAM NAND 三星電子 1k 0

三星再度調(diào)漲存儲(chǔ)芯片報(bào)價(jià) 最快本月生效

　自2022年下半年以來，高通貨膨脹和世界經(jīng)濟(jì)前景惡化不斷打擊半導(dǎo)體需求，使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)陷入前所未有的低迷期。今年第一季度，三星電子的dram半導(dǎo)體銷售額...

2023-10-09 標(biāo)簽：高通半導(dǎo)體 NAND 1.1k 0

三星將削減NAND和DRAM平澤P3晶圓廠投資

　平澤p3 晶圓廠是三星最大的生產(chǎn)基地之一。據(jù)報(bào)道，三星原計(jì)劃將p3工廠的生產(chǎn)能力增加到8萬個(gè)dram和3萬個(gè)nand芯片，但目前已將生產(chǎn)能力減少到5萬...

2023-10-08 標(biāo)簽：芯片 DRAM NAND 1.4k 0

SD NAND供電電源的重要性

下圖是sd協(xié)議規(guī)定的上電規(guī)范，SDNAND的工作電壓范圍是2.7V-3.6V電源供電需要注意一下幾個(gè)方面：1、為了確保芯片能正常上電復(fù)位，電壓要在0.5...

2023-10-07 標(biāo)簽：電源 NAND SD 1.3k 0

無限期豁免！美國將放松三星和SK海力士對(duì)華出口管制

根據(jù)知情人士的透露，美國計(jì)劃無限期延長三星和 SK 海力士豁免權(quán)，允許芯片設(shè)備引進(jìn)中國。這一消息引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注，因?yàn)樗鼘?duì)全球半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影...

2023-09-28 標(biāo)簽：NAND 海力士三星 1.6k 0

CS SD NAND在STM32精英V2開發(fā)板的測(cè)試-是時(shí)候?qū)F卡換為SD NAND了

前言嵌入式項(xiàng)目中,比較常見的存儲(chǔ)擴(kuò)展方案是使用TF/SD卡或者EMMC或者RAWNAND,各種方案都有其優(yōu)缺點(diǎn),而SDNAND相對(duì)于上述方案具備很多優(yōu)勢(shì)...

2023-09-26 標(biāo)簽：NAND SD卡開發(fā)板 1.2k 0

旺宏：市場(chǎng)消化庫存較預(yù)期久明年上半年景氣恐不會(huì)變好

據(jù)財(cái)務(wù)報(bào)告，旺宏2023年第二季度收入74.3億臺(tái)幣（單位以下同一），營業(yè)成本53.26億元，總利率28.3%，研究開發(fā)費(fèi)用14.57億元，凈利潤710...

2023-09-26 標(biāo)簽：Nand 存儲(chǔ)旺宏 1.2k 0

存儲(chǔ)芯片價(jià)格真要漲了？聽聽業(yè)內(nèi)怎么說！

據(jù)媒體報(bào)道，近期已有下游廠商接到存儲(chǔ)原廠通知，第四季度將調(diào)漲合約價(jià)格，其中NAND閃存第四季度合約價(jià)可能漲一至二成，DRAM合約價(jià)漲幅約一成。

2023-09-25 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)芯片 1.7k 0

雷龍CS SD NAND(貼片式TF卡)性能體驗(yàn)及應(yīng)用

前段時(shí)間有幸得到了雷龍出品的貼片式的TF卡的芯片及轉(zhuǎn)接板，從而對(duì)其產(chǎn)品進(jìn)行了相應(yīng)的了解和測(cè)評(píng)。從獲得的相關(guān)資料看，雷龍出品的貼片式芯片分為兩類，即BOW...

2023-09-21 標(biāo)簽：NAND 貼片 SD卡 1.4k 0

SD NAND關(guān)于3.3V和1.8V之間的轉(zhuǎn)換

SD NAND默認(rèn)是3.3V的，有些MCU只支持1.8V，為了適配1.8V，SD NAND需要內(nèi)部用命令把3.3V轉(zhuǎn)換成1.8V，下圖是SD協(xié)議規(guī)范

2023-09-21 標(biāo)簽：電子產(chǎn)品 NAND SD 4.6k 0

美光向NPE機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)讓半導(dǎo)體專利，引發(fā)投機(jī)性訴訟擔(dān)憂

美光公司轉(zhuǎn)讓給road star的專利是nand和存儲(chǔ)器等半導(dǎo)體技術(shù)。美光公司自2020年以后還沒有交出過如此多的專利。此次與美光公司的交易也是lode...

2023-09-21 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器半導(dǎo)體技術(shù) 1.7k 0

DRAM芯片價(jià)格有望隨NAND溫和上漲

據(jù)消息人士透露，nand閃存價(jià)格從第三季度初的最低點(diǎn)開始逐漸反彈，到目前為止已經(jīng)上漲了10%以上。他表示：“nand價(jià)格上漲將為dram價(jià)格上漲營造有利...

2023-09-20 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND 1.2k 0

存儲(chǔ)市場(chǎng)迎來拐點(diǎn) DRAM和NAND閃存芯片價(jià)格上調(diào)10%-20%

隨著下半年國內(nèi)手機(jī)品牌陸續(xù)推出新產(chǎn)品和iPhone15系列的發(fā)布，上游出貨壓力將逐步減輕，存儲(chǔ)芯片調(diào)整周期將接近尾聲，整個(gè)存儲(chǔ)市場(chǎng)可能迎來拐點(diǎn)。

2023-09-14 標(biāo)簽：DRAM NAND SSD 2.1k 0

三星計(jì)劃提高DRAM和NAND芯片價(jià)格

日前有消息稱，存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域正在迎來一輪明顯的復(fù)蘇，特別是移動(dòng)DRAM芯片銷售行業(yè)。

2023-09-14 標(biāo)簽：芯片 DRAM NAND 1.7k 0

NAND Flash第四季價(jià)格有望止跌回升，最高上漲5%

業(yè)內(nèi)人士說：“nand閃存價(jià)格將比dram快反彈”，“nand閃存供應(yīng)商們的赤字繼續(xù)擴(kuò)大，因此銷售價(jià)格正在接近生產(chǎn)成本，供應(yīng)商們?yōu)榱司S持運(yùn)營，擴(kuò)大減產(chǎn)，...

2023-09-11 標(biāo)簽：芯片閃存 NAND 1.1k 0

美光業(yè)界領(lǐng)先的232 層NAND可滿足 AI 海量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)需求

人類認(rèn)知與人工智能?(AI) 的結(jié)合標(biāo)志著第五次工業(yè)革命的開始。在這個(gè)時(shí)代，人類與機(jī)器人協(xié)同工作，共同推動(dòng)社會(huì)進(jìn)步。工業(yè) 5.0?正在將計(jì)算從邊緣推向世...

2023-09-08 標(biāo)簽：NAND 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 1.2k 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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