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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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通用串行總線即USB已經(jīng)流行許久; 起初USB設備便具有主設備和從設備之分:傳輸?shù)臄?shù)據(jù)來自主設備如電腦,數(shù)據(jù)傳輸至從設備如手機、鼠標或鍵盤。但隨著消費電...
MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)上橋故障是電子電路中常見的問題之一,通常指的是在電機控制系統(tǒng)中,由于上橋臂的MOSFET出現(xiàn)問題,導致電機...
國產(chǎn)4口包MOS PSE 芯片DH2184特性概述 已通過SIFOS標準測試
一、什么是POE? POE(PowerOverEthernet)指的是在現(xiàn)有的以太網(wǎng)Cat.5布線基礎架構(gòu)不作任何改動的情況下,在為一些基于IP的終端(...
SiC MOSFET學習筆記:各家SiC廠商的MOSFET結(jié)構(gòu)
當前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類,是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的,平面型和溝槽型。
開關電源損耗知識點之開關電源產(chǎn)品各個部分的損耗計算
學電源電源看這里,這次我們分享一下開關電源功率損耗及熱耗的工程估算! 電源在為負載提供能量的同時也在燃燒自己,在電源設計時大家會很仔細的去分析負載的需求...
我們在做電路設計中三極管和MOS管做開關用時候有什么區(qū)別?下面我們從實例出發(fā)解析兩者的區(qū)別
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。本文探討MOSFE...
指夾式血氧儀是用來監(jiān)測血氧飽和度的一種小型儀器,體積小、功耗低、使用方便、便于攜帶。測量時只需將手指插入指夾式光電傳感器中,即可測量血氧飽和度值和脈率。
IGBT器件介紹 IGBT結(jié)構(gòu)與工作原理
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱,其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應晶...
第三代半導體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
逆變器電路圖分享 基于PWM IC TL494的逆變器電路設計
非常簡單但高度復雜的修正正弦波逆變器電路。PWM IC TL494 的使用不僅使設計的部件數(shù)量極其經(jīng)濟,而且高效且準確。
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