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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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?LP5864 LED矩陣驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments LP5864 4×18 LED矩陣驅(qū)動器設(shè)計用于使用LED矩陣以小尺寸解決方案來改善具有動畫效果和指示功能的善用戶體...
基于LM74501-Q1的汽車電子反向極性保護設(shè)計
Texas Instruments LM74501-Q1汽車用反向極性保護控制器與外部N溝道MOSFET搭配使用,可實現(xiàn)低損耗反極性保護解決方案LM74...
UCC27624雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動器技術(shù)解析
Texas Instruments UCC27624/UCC27624-Q1雙通道柵極驅(qū)動器是高速低側(cè)柵極驅(qū)動器,可有效驅(qū)動MOSFET、IGBT、Si...
2025-09-18 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)雙通道 525 0
基于UCC27614的低側(cè)柵極驅(qū)動器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments UCC27614/UCC27614-Q1單通道柵極驅(qū)動器是高速低側(cè)柵極驅(qū)動器系列,可驅(qū)動MOSFET、IGBT、Si...
2025-09-18 標(biāo)簽:MOSFET功率開關(guān)單通道 503 0
PCIM2025論文摘要 | 太陽能系統(tǒng)的高效率碳化硅 MOSFET 解決方案
本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布內(nèi)容摘要隨著新能源技術(shù)的不斷發(fā)展,系統(tǒng)對電力電子變流器的要求也越來越高。高效率、高可靠性和高功率密度越來越受到設(shè)計人員的...
2025-09-17 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅太陽能系統(tǒng) 717 0
DRV8311三相無刷直流電機驅(qū)動器技術(shù)解析
Texas Instruments DRV8311三相無刷直流電機驅(qū)動器提供三個集成MOSFET半橋,用于驅(qū)動5V、9V、12V或18V直流電源軌的三相...
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-關(guān)于功率電子系統(tǒng)Desat保護的解析-「SysPro電力電子」知識星球節(jié)選-原創(chuàng)文章,非授權(quán)不得...
2025-09-17 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體DESAT 563 0
上海貝嶺IGBT與MOSFET高效能功率器件產(chǎn)品介紹
在工業(yè)自動化、新能源應(yīng)用和高效電源系統(tǒng)蓬勃發(fā)展的今天,對功率半導(dǎo)體器件的性能、效率和可靠性提出了前所未有的高要求。上海貝嶺作為國內(nèi)領(lǐng)先的模擬及功率半導(dǎo)體...
Texas Instruments MCT8316AEVM評估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments MCT8316AEVM驅(qū)動器評估模塊 (EVM) 設(shè)計用于幫助工程師設(shè)計、實施和驗證MCT8316A的參考硬件。MC...
SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體熱設(shè)計深度分析報告
1. 引言:功率半導(dǎo)體熱管理的重要性與SiC技術(shù)的崛起 1.1 功率器件熱管理在電力電子中的核心地位 在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中,功率半導(dǎo)體器件的熱管理已超越...
2025-09-15 標(biāo)簽:MOSFET熱阻功率半導(dǎo)體 973 0
基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹
基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù),在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎(chǔ)上...
合科泰中低壓MOSFET在數(shù)據(jù)中心DC-DC的應(yīng)用
隨著數(shù)據(jù)中心算力需求的爆發(fā)式增長,高效電源架構(gòu)已成為提升整機柜能效的關(guān)鍵。傳統(tǒng)12V電源架構(gòu)在面對kW級服務(wù)器功耗時,大電流傳輸導(dǎo)致的線路損耗和散熱壓力...
2025-09-15 標(biāo)簽:MOSFETDC-DC數(shù)據(jù)中心 559 0
?TPL5110 低功耗定時器技術(shù)文檔總結(jié)
TPL5110 Nano 定時器是一款低功耗定時器,集成了 MOSFET 驅(qū)動器,設(shè)計用于占空比或電池供電應(yīng)用中的功率門控。該TPL5110僅消耗 35...
?TPL5110-Q1 Nano-Power System Timer 技術(shù)文檔總結(jié)
TPL5110-Q1 Nano 定時器是一款低功耗、符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的定時器,具有集成 MOSFET 驅(qū)動器,非常適合占空比或電池供電應(yīng)用中...
TLVM13640同步降壓電源模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TLVM13640 4A降壓電源模塊是一款高度集成的36V、4A DC/DC解決方案,集成多個功率MOSFET、一個...
TLVM13660同步降壓電源模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TLVM13660 6A降壓電源模塊是一款高度集成的36V、6A直流/直流解決方案,集成多個功率MOSFET 、一個...
TPS22963/64負(fù)載開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TPS22963/64負(fù)載開關(guān)是一款具有受控接通功能的小型超低R~ON~負(fù)載開關(guān)。該器件采用低R~DSON~ N溝道...
2025-09-10 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)N溝道 481 0
?德州儀器DRV8329三相BLDC柵極驅(qū)動器深度解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments DRV8329/DRV8329-Q1三相BLDC柵極驅(qū)動器提供三個器件,每個器件均能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOS...
LM51231-Q1同步升壓控制器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments LM51231-Q1升壓控制器具有寬輸入范圍,采用峰值電流模式控制。寬輸入范圍支持汽車?yán)鋯雍拓?fù)載突降。當(dāng)器件上的偏...
TPS22996雙通道負(fù)載開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Texas Instruments TPS22996雙通道負(fù)載開關(guān)是一款雙通道負(fù)載開關(guān),具有受控接通功能。該器件包含兩個N溝道MOSFET,每通道支持最...
2025-09-06 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)雙通道 906 0
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