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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

MOS器件深度解析 MOS器件有哪些重要特性

MOS器件深度解析 MOS器件有哪些重要特性

對(duì)于速度飽和所引起的電流飽和情況,一般說(shuō)來(lái),當(dāng)電場(chǎng)很強(qiáng)、載流子速度飽和之后,再進(jìn)一步增大源-漏電壓,也不會(huì)使電流增大。因此,這時(shí)的飽和電流原則上是與源-...

2018-06-13 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體IGBT 1.3萬(wàn) 0

深入解讀MOSFET關(guān)鍵特性及指標(biāo)

深入解讀MOSFET關(guān)鍵特性及指標(biāo)

MOSFET是電子系統(tǒng)中的重要部件,需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。這些關(guān)鍵指標(biāo)中,以靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性更為重要,本文主要討論靜態(tài)特性。

2018-06-29 標(biāo)簽:MOSFET靜態(tài)特性 1.3萬(wàn) 0

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):溝槽結(jié)構(gòu)介紹

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu):溝槽結(jié)構(gòu)介紹

垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng),如果把水平的溝道變?yōu)榇怪睖系溃瑥膫?cè)面控制溝道,就可以消除JFET效應(yīng)。

2023-08-28 標(biāo)簽:MOSFET電阻器熱插拔 1.3萬(wàn) 1

提高電動(dòng)工具設(shè)計(jì)的性能,不可忽視電源管理

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不同的損耗導(dǎo)致頂側(cè)和底側(cè)MOSFET的加熱不同。在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中使用分立MOSFET時(shí),可以嘗試這些不同的方法來(lái)平衡頂側(cè)和底側(cè)FET之間的溫度。

2018-03-02 標(biāo)簽:MOSFET電源管理CSD88584Q5DC 1.3萬(wàn) 0

DC/DC的FB引腳作用詳解

DC/DC的FB引腳作用詳解

DC/DC是將一個(gè)電壓值轉(zhuǎn)換為另一個(gè)電壓值的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,原理是利用電容、電感的儲(chǔ)能的特性,通過(guò)可控開(kāi)關(guān)(MOSFET等)進(jìn)行高頻開(kāi)關(guān)的動(dòng)作,將輸入的電能...

2024-07-08 標(biāo)簽:MOSFET運(yùn)算放大器開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 1.3萬(wàn) 0

簡(jiǎn)單科普一下靜電放電的基本概念、模型與測(cè)試方法

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靜電放電現(xiàn)象指的是芯片在制造,運(yùn)輸,使用的過(guò)程中都會(huì)積累的電荷,這些電荷可以通過(guò)芯片引腳進(jìn)入電路內(nèi)部,瞬間產(chǎn)生高達(dá)數(shù)安的電流,從而將芯片燒毀。

2022-08-08 標(biāo)簽:ESDMOSFET靜電放電 1.3萬(wàn) 0

MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的有哪些要求?

MOSFET的驅(qū)動(dòng)

2018-08-23 標(biāo)簽:mosfetti驅(qū)動(dòng)電路 1.3萬(wàn) 0

采用自舉升壓電路,設(shè)計(jì)了一種BiCMOS Totem結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路

采用自舉升壓電路,設(shè)計(jì)了一種BiCMOS Totem結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路

結(jié)論 本文采用自舉升壓電路,設(shè)計(jì)了一種BiCMOS Totem結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路。該電路基于Samsung AHP615 BiCMOS工藝設(shè)計(jì),可在1.5V...

2018-01-08 標(biāo)簽:mosfet升壓電路驅(qū)動(dòng)電路 1.3萬(wàn) 1

制造集成電路的版圖基本知識(shí)

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在光刻膠工藝過(guò)程中,涂層曝光、顯影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下來(lái),該涂層材料為正性光刻膠。

2023-06-25 標(biāo)簽:集成電路CMOSMOSFET 1.3萬(wàn) 0

LLC諧振電路的參數(shù)設(shè)計(jì)原則

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LLC諧振電路參數(shù)選擇是一個(gè)折中的過(guò)程,需要結(jié)合輸入電壓范圍,輸出電壓范圍,負(fù)載范圍,效率指標(biāo)以及器件設(shè)計(jì)和選型等尋求一個(gè)優(yōu)化的結(jié)果,具體的需要通過(guò)ma...

2023-03-21 標(biāo)簽:MOSFET參數(shù)諧振電路 1.3萬(wàn) 0

三種功率器件的應(yīng)用區(qū)別

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GaN HEMT(氮化鎵高電子遷移率晶體管)、Si MOSFET(硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)和SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶...

2024-07-18 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶體管 1.3萬(wàn) 0

MOSFET等大型焊盤的背面可以打過(guò)孔

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這個(gè)要看生產(chǎn)制造的工藝,現(xiàn)在在一些制造比較好的工廠,對(duì)于高密度的產(chǎn)品是非常常見(jiàn)的,這就叫VIP via(Via in Pad),好處有:出線距離短,節(jié)省...

2018-06-03 標(biāo)簽:PCBMOSFETPCB設(shè)計(jì) 1.3萬(wàn) 0

電源IC的Vcc電壓如何理解

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為了產(chǎn)生適合Vcc的DC電壓,采取在變壓器的初級(jí)繞組和次級(jí)繞組外再加上第三繞組(輔助繞組),降壓并整流輸入AC電壓,轉(zhuǎn)換成低DC電壓的方法。

2020-04-05 標(biāo)簽:變壓器MOSFET電源IC 1.3萬(wàn) 0

利用MOSFET的線性區(qū)和飽和區(qū)與負(fù)載電阻配對(duì)來(lái)提供脈沖電流

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當(dāng)一系列環(huán)境和電路設(shè)計(jì)變量影響輸出時(shí),就很難確定具有負(fù)反饋電路的穩(wěn)定性。任何計(jì)算錯(cuò)誤都會(huì)成為怪異電路行為(如振蕩和振鈴)的溫床。

2018-06-08 標(biāo)簽:MOSFET脈沖電流 1.3萬(wàn) 0

CMOS工藝下的BJT你了解多少?

CMOS工藝下的BJT你了解多少?

有沒(méi)有同學(xué)好奇,作為模擬芯片設(shè)計(jì)師,幾乎都在用CMOS工藝,大部分電路也是用的MOSFET,很少用BJT去設(shè)計(jì)大規(guī)模電路,那么,到底應(yīng)該對(duì)BJT這種de...

2023-02-02 標(biāo)簽:MOSFETBJT模擬芯片 1.3萬(wàn) 0

SPWM發(fā)生器的實(shí)現(xiàn)及生成步驟解析

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SPWM發(fā)生器的實(shí)現(xiàn)基于Dialog半導(dǎo)體公司的SLG46826V,它是一種可配置的混合信號(hào)IC(CMIC),其中包含F(xiàn)SM數(shù)字計(jì)數(shù)器、高速模擬比較器和...

2021-01-20 標(biāo)簽:MOSFET濾波逆變器 1.3萬(wàn) 0

DIY一個(gè)電磁懸浮裝置

DIY一個(gè)電磁懸浮裝置

這個(gè)DIY磁懸浮電路的主要部件是霍爾效應(yīng)傳感器和 MOSFET 晶體管和一個(gè)電磁線圈。我們之前使用電磁線圈構(gòu)建了其他有趣的項(xiàng)目,例如迷你特斯拉線圈、電磁...

2022-08-10 標(biāo)簽:MOSFET磁懸浮電磁線圈 1.3萬(wàn) 0

如何應(yīng)對(duì)輸入端負(fù)壓 驅(qū)動(dòng)輸入端負(fù)壓尖峰的形成原因

如何應(yīng)對(duì)輸入端負(fù)壓 驅(qū)動(dòng)輸入端負(fù)壓尖峰的形成原因

由于開(kāi)關(guān)電源經(jīng)常需要硬開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載,在硬開(kāi)關(guān)以及布局限制的情況下,功率MOSFET往往會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)芯片的輸入和輸出端形成較大的地彈電壓和振蕩尖峰電壓。

2021-03-15 標(biāo)簽:pcbMOSFET驅(qū)動(dòng)器 1.3萬(wàn) 1

Flyback主電路中哪些元器件需要我們?cè)O(shè)計(jì)?電源用什么拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?

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MOSFET關(guān)斷時(shí),當(dāng)Vds超過(guò)RCD緩沖電路中的電容兩端的電壓VSN時(shí),緩沖二極管導(dǎo)通.尖峰電流被RCD電路吸收,從而削減了尖峰電流. 緩沖電容一定要...

2018-05-09 標(biāo)簽:電源MOSFET拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 1.3萬(wàn) 1

深入理解MOSFET規(guī)格書(shū)及應(yīng)用設(shè)計(jì)

深入理解MOSFET規(guī)格書(shū)及應(yīng)用設(shè)計(jì)

MOS的導(dǎo)通電阻隨溫度上升而上升,下圖顯示該MOS的導(dǎo)通電阻在結(jié)溫為140度的時(shí)候,為20度時(shí)候的2倍。

2017-10-16 標(biāo)簽:mosfet驅(qū)動(dòng)電路功率mosfet 1.3萬(wàn) 0

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    IOT
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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
    +關(guān)注
  • STM32F103C8T6
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    STM32F103C8T6是一款集成電路,芯體尺寸為32位,程序存儲(chǔ)器容量是64KB,需要電壓2V~3.6V,工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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  • 基站測(cè)試
    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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