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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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?MIC4607A三相MOSFET驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
Microchip Technology MIC4607A三相MOSFET驅(qū)動(dòng)器為1nF容性負(fù)載提供快速 (35ns) 傳播延遲時(shí)間和20ns上升/下降...
2025-09-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器三相 317 0
?MIC4607A MOSFET驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板用戶指南總結(jié)
Microchip Technology MIC4607A MOSFET驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板用于演示MIC4607A MOSFET驅(qū)動(dòng)器所提供的驅(qū)動(dòng)器能力。此評(píng)...
2025-10-06 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板 926 0
基于仁懋MOSFET的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路:柵極電阻選型與VGS波形優(yōu)化
PART01柵極電阻在MOSFET驅(qū)動(dòng)中的核心作用在直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)器件,其柵極與源極之間存在等效電容(Ciss=Cgd+C...
TPSM5601R5電源模塊深度解析:60V工業(yè)級(jí)電源解決方案的技術(shù)突破
Texas Instruments TPSM5601R5電源模塊是一款高集成度1.5A功率解決方案,包括采用功率MOSFET的60V輸入降壓式直流/直流...
?UCC27624V-Q1 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC27624V-Q1 是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開(kāi)關(guān)。UCC27624V-Q1 的典型...
2025-09-26 標(biāo)簽:MOSFET功率開(kāi)關(guān)IGBT 1.5k 0
?UCC27624V 雙通道低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC27624V是一款雙通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,可有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開(kāi)關(guān)。UCC27624V具有 5A 的典型峰值...
2025-09-26 標(biāo)簽:MOSFET功率開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān) 558 0
TPSI2260-Q1 固態(tài)繼電器技術(shù)文檔摘要
TPSI2260-Q1 是一款隔離式固態(tài)繼電器,專為高壓汽車和工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。TPSI2260-Q1 采用 TI 的高可靠性增強(qiáng)型電容隔離技術(shù),結(jié)合內(nèi)部...
2025-09-26 標(biāo)簽:電源MOSFET固態(tài)繼電器 457 0
MOSFET深度指南:一文帶您了解現(xiàn)代電子工業(yè)的基石——金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
前言MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)是電子學(xué)中最為基礎(chǔ)和重要的器件之一,具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)等電性能優(yōu)勢(shì),以及兼...
2025-09-26 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 637 0
?TPS51375L 同步降壓轉(zhuǎn)換器技術(shù)文檔總結(jié)
該器件是一款單片、12A、同步降壓轉(zhuǎn)換器,集成了MOSFET,可實(shí)現(xiàn)高效率,并以最少的外部元件數(shù)量為空間敏感的電源系統(tǒng)提供易用性。該TPS51375L采...
2025-09-26 標(biāo)簽:MOSFET輸入電壓同步降壓轉(zhuǎn)換器 429 0
?TPS51375H同步降壓轉(zhuǎn)換器技術(shù)文檔總結(jié)
該器件是一款單片、14A、同步降壓轉(zhuǎn)換器,集成了MOSFET,可實(shí)現(xiàn)高效率,并以最少的外部元件數(shù)量為空間敏感的電源系統(tǒng)提供易用性。該TPS51375H采...
2025-09-26 標(biāo)簽:MOSFET輸入電壓同步降壓轉(zhuǎn)換器 444 0
納微雙向氮化鎵開(kāi)關(guān)和IsoFast高速驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)單級(jí)變換新范式
如今,超過(guò)70%的高壓功率變換器采用 “兩級(jí)” 硅基拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。例如,典型的AC-DC電動(dòng)汽車車載充電機(jī)(OBC)會(huì)先配置PFC級(jí),再串聯(lián)DC-DC級(jí),中...
2025-09-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 7k 0
?德州儀器DRV10982-Q1無(wú)傳感器BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析
Texas Instruments DRV10982-Q1無(wú)傳感器BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器是一款集成功率MOSFET的三相無(wú)傳感器電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,可以提供高達(dá)2A...
?UCC27302A-Q1 汽車級(jí)半橋驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC27302A-Q1 是一款穩(wěn)健的柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)半橋或同步降壓配置的 N 溝道 MOSFET,絕對(duì)最大自舉電壓為 120V。其 3.7...
?UCC27302A 半橋驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
該UCC27302A是一款堅(jiān)固耐用的柵極驅(qū)動(dòng)器,設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)兩個(gè)半橋或同步降壓配置的N溝道MOSFET,絕對(duì)最大自舉電壓為120V。其3.7A峰值源電流...
?UCC21351-Q1 汽車級(jí)隔離雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
UCC21351-Q1 是一款隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列,具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍。它采用 4A 峰源電流和 6A 峰灌電流設(shè)計(jì),可驅(qū)動(dòng)功率 MO...
?TPSM65630 高密度同步降壓DC/DC電源模塊技術(shù)文檔總結(jié)
TPSM656x0 是 3A、2A、1A、65V(70V 容差)輸入同步降壓 DC/DC 功率模塊系列,將功率 MOSFET、集成電感器和無(wú)源器件集成在...
德州儀器MCT8316ZTEVM評(píng)估模塊技術(shù)解析
Texas Instruments MCT8316ZTEVM驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊 (EVM) 讓工程師可以設(shè)計(jì)、實(shí)施和驗(yàn)證MCT8316ZT的參考硬件。MCT...
2025-09-25 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊 323 0
?TPS22991I 負(fù)載開(kāi)關(guān)器件技術(shù)文檔總結(jié)
TPS22991I是一款小型、低 RON、單通道負(fù)載開(kāi)關(guān),具有受控壓擺率。該器件包含一個(gè)N溝道MOSFET,可在1.0V至5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作,...
2025-09-25 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開(kāi)關(guān)輸入電壓 427 0
UCC57142 3A 低側(cè)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)手冊(cè)
UCC5714x 是一款單通道、高性能、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器,能夠有效驅(qū)動(dòng) MOSFET、IGBT 和 SiC 功率開(kāi)關(guān)。UCC5714x 的典型峰值驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度...
2025-09-25 標(biāo)簽:MOSFET功率開(kāi)關(guān)IGBT 1.3k 0
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