mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

MOS管的溫度多少合適

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常用的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。其工作環(huán)境溫度范圍通常在-40℃至85℃之間，這是大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)M...

2024-10-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 9.9k 0

合科泰MOS管HKTD5N20的應(yīng)用領(lǐng)域

本期，合科泰給大家推薦一款應(yīng)用廣泛的MOS 管產(chǎn)品，它在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED和電源上有重要應(yīng)用。

2024-10-11 標(biāo)簽：電源 MOS管合科泰 908 0

MOS管泄漏電流的類型和產(chǎn)生原因

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的泄漏電流是指在MOS管關(guān)斷狀態(tài)下，從源極或漏極到襯底之間仍然存在的微弱電流。這些泄漏電流可能對(duì)電路的性能和穩(wěn)定...

2024-10-10 標(biāo)簽：MOS管晶體管泄漏電流 6.4k 0

MOS管寄生參數(shù)的影響

MOS（金屬-氧化物-半導(dǎo)體）管作為常見的半導(dǎo)體器件，在集成電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。然而，MOS管的性能并非僅由其基本電氣特性決定，還受到多種寄生參...

2024-10-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管寄生參數(shù) 2.1k 0

開關(guān)MOS管發(fā)熱的一般原因

開關(guān)MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在電子設(shè)...

2024-10-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 3.3k 0

MOS管尖峰電壓產(chǎn)生原因分析

MOS管的工作原理是通過改變柵極電壓來控制源極和漏極之間的通道電阻，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的控制。當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定閾值時(shí)，通道電阻迅速減小，形成導(dǎo)電通道，使得...

2024-10-09 標(biāo)簽：MOS管電壓寄生電容 6.6k 0

MOS管溫度過高會(huì)引發(fā)什么故障

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）溫度過高會(huì)引發(fā)一系列故障，這些故障不僅影響MOS管本身的性能，還可能對(duì)整個(gè)電路系統(tǒng)造成損害。以下是對(duì)MOS管溫度...

2024-10-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 4.7k 0

MOS管擊穿原理分析、原因及解決方法

MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管）是一種常用的電子元件，在電路中起著開關(guān)、放大等重要作用。然而，在某些情況下，MOS管可能會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象，導(dǎo)致其失...

2024-10-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 1.5萬 0

影響MOS管開關(guān)速度的因素有哪些

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的開關(guān)速度是指其從截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)（或反之）所需的時(shí)間，這個(gè)時(shí)間包括上升時(shí)間和下降時(shí)間，分別對(duì)應(yīng)輸出電壓從...

2024-10-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管晶體管 6.5k 0

BUCK電路關(guān)鍵器件選型

BUCK電路，又稱為降壓電路，是一種常見的直流至直流（DC-DC）電源轉(zhuǎn)換技術(shù)。它的主要特點(diǎn)是輸入電壓高于輸出電壓，且輸出電流為連續(xù)的，而輸入電流則為脈...

2024-10-09 標(biāo)簽：MOSFET MOS管晶體管 6.9k 0

TOLL封裝MOS管的特點(diǎn)和使用注意事項(xiàng)

TOLL封裝是一種具有小體積、低封裝電阻和低寄生電感的封裝形式，常用于MOSFET。

2024-10-08 標(biāo)簽：MOSFET 封裝 MOS管 2.4k 0

米勒平臺(tái)造成的對(duì)管開啟

在MOS管的上下橋驅(qū)動(dòng)中，有這種現(xiàn)象。如下圖，一個(gè)管子處在米勒平臺(tái)的時(shí)候，會(huì)給另一個(gè)管子的Vgs電壓充電。我用的這個(gè)管子的閾值電壓最小值是1.4V，這就...

2024-10-08 標(biāo)簽：MOS管電壓米勒平臺(tái) 1.3k 0

逆變器中MOS管和IGBT的選型對(duì)EMC有什么影響

逆變器中使用的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）或IGBT（Insula...

2024-10-08 標(biāo)簽：MOSFET MOS管逆變器 2.2k 0

為什么PMOS作為高側(cè)開關(guān)更容易實(shí)現(xiàn)

高側(cè)開關(guān)就是負(fù)載是接地的，開關(guān)相對(duì)于負(fù)載處于高電位，如下圖所示。如果將開關(guān)和負(fù)載的位置互換，就是低側(cè)開關(guān)。

2024-10-08 標(biāo)簽：開關(guān)負(fù)載 MOS管 4.2k 0

Buck電路和Boost電路的工作原理

Buck電路，也就是常說的降壓電路，為直流進(jìn)-直流出。電路沒有變壓器，輸入輸出公共一個(gè)地。下圖為Buck電路的簡(jiǎn)化示意圖。

2024-10-08 標(biāo)簽：MOS管 boost電路 buck電路 1.1萬 0

加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)電路的工作原理

在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中，加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)技術(shù)是提高M(jìn)OS管開關(guān)速度和效率的關(guān)鍵技術(shù)之一。由于MOS管通常具有慢開快關(guān)的特性，因此，在關(guān)斷瞬間，驅(qū)動(dòng)電路需要提供一個(gè)...

2024-09-26 標(biāo)簽：二極管 MOS管關(guān)斷電路 2.2k 0

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在現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中，電源IC直接驅(qū)動(dòng)是一種簡(jiǎn)單而有效的驅(qū)動(dòng)方式。它通過電源集成電路（IC）直接控制功率MOSFET或其他開關(guān)元件的導(dǎo)通和截止，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)負(fù)...

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電子管柵極串聯(lián)電阻的作用

電子管柵極串聯(lián)電阻的作用主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：一、限制驅(qū)動(dòng)電流防止電流過大：在電子管（如MOS管）的開關(guān)電路或驅(qū)動(dòng)電路中，柵極的開啟過程可以看作...

2024-09-24 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻開關(guān)電路 MOS管 1.8k 0

mos管參數(shù)詳解及驅(qū)動(dòng)電阻選擇

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)...

2024-09-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 7.8k 0

mos管gs之間電阻阻值怎么選

MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的GS（柵極...

2024-09-18 標(biāo)簽：電阻 MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 5.1k 0

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