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      標簽　>　mos管

      mos管

      mos管

      +關(guān)注109人關(guān)注

      mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

      文章：2195個 瀏覽：74235次 帖子：1231個

      mos管技術(shù)

      mos管小電流發(fā)熱嚴重怎么解決

      mos管小電流發(fā)熱嚴重怎么解決

      mos管，做電源設(shè)計，或者做驅(qū)動方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動的使用，當然就是用它的開關(guān)作用。

      2019-06-26 標簽：MOS管小電流 8k 0

      n溝mos管導通條件

      場效應管導通與截止由柵源電壓來操控，關(guān)于增強場效應管方面來說，N溝道的管子加正向電壓即導通，P溝道的管子則加反向電壓。一般2V～4V就OK了。

      2019-06-26 標簽：MOS管N溝道 4.1萬 0

      p型mos管導通條件

      靠在G極上加一個觸發(fā)電壓，使N極與D極導通。對N溝道G極電壓為+極性。對P溝道的G極電壓為-極性。場效應管的導通與截止由柵源電壓來控制，對于增強型場效應...

      2019-06-26 標簽：MOS管p溝道m(xù)os管 4.5萬 0

      MOS管的開關(guān)特性

      MOS管的開關(guān)特性

      MOS管作為開關(guān)元件，同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態(tài)。

      2019-06-25 標簽：MOS管開關(guān)特性 1.6萬 0

      mos管參數(shù)解讀

      敞開電壓（閥值電壓）。當外加柵極操控電壓VGS超越VGS（th）時，漏區(qū)和源區(qū)的外表反型層形成了銜接的溝道。應用中，常將漏極短接前提下ID即是毫安時的柵...

      2019-06-24 標簽：電容MOS管 1.5萬 0

      mos管測量方法圖解

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      場效應管英文縮寫為FET.可分為結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵型場效應管（MOSFET），我們平常簡稱為MOS管。而MOS管又可分為增強型和耗盡型而我...

      2019-06-24 標簽：場效應管MOS管 4.9萬 0

      mos管驅(qū)動電機電路圖

      在OUT端為高電平期間，A點電位會由于電容Cboot 上的電荷泄漏等原因而下降。這會使得B點電位下降，N4的導通性下降。同時由于同樣的原因，OUT端電位...

      2019-06-19 標簽：電路MOS管驅(qū)動電機 3.3萬 0

      mos管驅(qū)動及應用電路

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      上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設(shè)計時當然需要有一定的余量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小?，F(xiàn)在也有導通電壓更小的MOS管用...

      2019-06-19 標簽：MOS管驅(qū)動電壓 1.3萬 0

      MOS管在開關(guān)電路中的使用

      MOS管在開關(guān)電路中的使用

      PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況（高端驅(qū)動）。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與源極S的電壓，即柵極低于電源一定...

      2019-06-19 標簽：開關(guān)電路MOS管電壓 1.9萬 0

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      在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負載（如馬達），這個二極管很重要。可以在MOS管關(guān)斷時為感性負載的...

      2019-06-19 標簽：開關(guān)電路MOS管電壓 15.4萬 2

      MOS管放大電路

      MOS管放大電路

      　MOS管是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點，被廣泛應用在電子電路中，特別是具有上述要求前級放大器顯示器出越性。根據(jù)MOS管兩大類型--結(jié)型M...

      2019-06-19 標簽：放大電路MOS管晶體管 3.8萬 0

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      有了以上模型，就好辦了，尤其從運放這張圖中，可以一眼看出，這就是一個反相積分電路，當輸入電阻較大時，開關(guān)速度比較緩慢，Cgd這顆積分電容影響不明顯，但是...

      2019-06-19 標簽：電容MOS管等效電路 4.3萬 0

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      MOS管的N溝道與P溝道之間的關(guān)系

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      2019-06-19 標簽：集成電路MOS管N溝道 2.8萬 0

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      2019-06-18 標簽：MOSFETMOS管閾值電壓 4.0萬 1

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      2019-06-18 標簽：MOSFETMOS管電壓 4.1萬 0

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      在器件設(shè)計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路...

      2019-06-18 標簽：電阻MOS管損耗 1.5萬 0

      MOS管參數(shù)及含義說明

      　交流參數(shù)可分為輸出電阻和低頻互導2個參數(shù)，輸出電阻一般在幾十千歐到幾百千歐之間，而低頻互導一般在十分之幾至幾毫西的范圍內(nèi)，特殊的可達100mS，甚至更高。

      2019-06-18 標簽：MOSFETMOS管絕緣柵場效應 5.5萬 0

      關(guān)于MOS管功率選型分析

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      在電源電路應用中，往往首先考慮漏源電壓 VDS 的選擇。在此上的基本原則為 MOSFET 實際工作環(huán)境中的最大峰值漏源極間的電壓不大于器件規(guī)格書中標稱漏...

      2019-06-18 標簽：MOS管電源電路驅(qū)動電壓 1.2萬 0

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      2019-06-18 標簽：電流MOS管功率損耗 8.1k 0

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