mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

淺談MOS管的高端驅(qū)動(dòng)和低端驅(qū)動(dòng)

MOS管相對(duì)于負(fù)載在電勢(shì)的低端，其中D通過負(fù)載接電源，S直接接地。對(duì)于NMOS，只有當(dāng)Vgs大于開啟電壓時(shí)，MOS管才能導(dǎo)通。

2020-01-31 標(biāo)簽：MOS管 PMOS 1.7萬 0

MOS管方向的判斷方法

MOS管是壓控流器件，也就是由柵極上所加的電壓控制漏極與源極之間電流。MOSFET管是FET的一種，可以被制造為增強(qiáng)型或者耗盡型，P溝道或N溝道共四種類...

2019-10-24 標(biāo)簽：MOS管電流控制器件 2.8萬 0

如何提高單片機(jī)的驅(qū)動(dòng)能力

單片機(jī)只是一個(gè)控制中心，IO的驅(qū)動(dòng)能力是很弱的，只能用于信號(hào)處理或者信號(hào)控制，最多是驅(qū)動(dòng)一個(gè)LED作為指示燈。驅(qū)動(dòng)負(fù)載需要加入三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、繼電器、...

2019-10-21 標(biāo)簽：繼電器單片機(jī)MOS管 1.1萬 0

MOS管防反接防過壓電路

當(dāng)電源正確接入時(shí)。電流的流向是從Vin到負(fù)載，在通過NMOS到GND。剛上電時(shí)因?yàn)镹MOS管的體二極管存在，地回路通過體二極管接通，后續(xù)因?yàn)閂gs大于V...

2019-10-03 標(biāo)簽：三極管 MOS管 4.0萬 0

使用AD對(duì)PCB布局的模具設(shè)計(jì)

電路中很多相同的模塊，例如輸出電路，一個(gè)光耦，一個(gè)MOS管，幾個(gè)電阻，都是一樣的功能，需要布局成相同的形狀，貌似AD有這個(gè)功能，但是我不會(huì)，我找了一個(gè)自...

2019-08-14 標(biāo)簽：PCB MOS管 3.5k 0

干貨 | 電源模塊的可靠性設(shè)計(jì)有何訣竅?

現(xiàn)在電源模塊的體積越來越小，功率密度也越來越高，并且模塊的工作環(huán)境也愈發(fā)惡劣，其高低溫設(shè)計(jì)、熱設(shè)計(jì)以及應(yīng)力問題逐漸引起了各位工程師的重視。

2019-08-06 標(biāo)簽：MOS管電源模塊 4k 0

如何選擇一款與10H16同質(zhì)的場(chǎng)效應(yīng)管替換使用

影響電動(dòng)車質(zhì)量好壞的原因很多，其中就包括了控制器。而場(chǎng)效應(yīng)管作為控制器的核心元器件的，它的質(zhì)量也直接的影響著電動(dòng)車的質(zhì)量，10H16場(chǎng)效應(yīng)管也是電動(dòng)車控...

2020-09-15 標(biāo)簽：電動(dòng)車控制器場(chǎng)效應(yīng)管 1.6k 0

功率MOS管損壞的主要原因

mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過渡過程）、截止?fàn)顟B(tài)。

2019-07-27 標(biāo)簽：MOS管功率MOS管 8.3k 0

三極管和MOS管在模擬電路上的區(qū)別

MOS管和三極管在功能上有什么區(qū)別？這兩種元件本身就可以看作一個(gè)基本單元，一個(gè)獨(dú)立的器件，就算拆開外殼，用肉眼也找不出什么差別，從工作原理上理解又謷牙詰...

2019-07-14 標(biāo)簽：三極管 MOS管 6.1k 0

使用MOS管的注意事項(xiàng)

MOSMOS管由于輸入阻抗極高，所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOSMOS管放入...

2019-07-08 標(biāo)簽：二極管元器件 MOS管 1.1萬 0

MOS管的實(shí)際應(yīng)用

對(duì)于N型MOS管，若G、S之間為高（電壓方向G指向S，具體電平看具體MOS管），D、S（電壓方向D指向S）之間就會(huì)導(dǎo)通，此時(shí)D、S間相當(dāng)于一個(gè)很小的電...

2019-07-08 標(biāo)簽：三極管電路 MOS管 2.1萬 0

mos管開關(guān)電路

　MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型...

2019-07-08 標(biāo)簽：二極管開關(guān)電路 MOS管 3.5萬 0

MOS管的正確用法

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...

2019-07-08 標(biāo)簽：MOS管電極 p溝道 4.8萬 0

MOS管防反接用法

MOS管防反接，好處就是壓降小，小到幾乎可以忽略不計(jì)?，F(xiàn)在的MOS管可以做到幾個(gè)毫歐的內(nèi)阻，假設(shè)是6.5毫歐，通過的電流為1A（這個(gè)電流已經(jīng)很大了），在...

2019-07-08 標(biāo)簽：電源保護(hù)電路 MOS管 2.7萬 0

反接保護(hù)電路

這種接法簡單可靠，但當(dāng)輸入大電流的情況下功耗影響是非常大的。以輸入電流額定值達(dá)到2A，如選用Onsemi的快速恢復(fù)二極管??MUR3020PT，額定管壓...

2019-07-08 標(biāo)簽：二極管保護(hù)電路 MOS管 1.0萬 0

功率MOS管的每個(gè)參數(shù)介紹

在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同，實(shí)際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS。關(guān)于V(BR)...

2019-07-07 標(biāo)簽：MOS管功率MOS管 1.3萬 0

mos管自舉電路工作原理

自舉電路也叫升壓電路，是利用自舉升壓二極管，自舉升壓電容等電子元件，使電容放電電壓和電源電壓疊加，從而使電壓升高．有的電路升高的電壓能達(dá)到數(shù)倍電源電壓。

2019-07-02 標(biāo)簽：MOS管自舉電路 2.1萬 0

MOS管做功放的優(yōu)缺點(diǎn)

MOS管功放具有鼓勵(lì)功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負(fù)溫度系數(shù)，平安牢靠，且有工作頻率高，偏置簡單等優(yōu)點(diǎn)。以運(yùn)放的輸出作為OCL的輸入，到達(dá)抑止零點(diǎn)...

2019-06-28 標(biāo)簽：功放 MOS管 2.3萬 0

MOS管G極串聯(lián)小電阻的作用

功率MOS管的G極經(jīng)常會(huì)串聯(lián)一個(gè)小電阻，幾歐姆到幾十歐姆不等，那么這個(gè)電阻有什么用呢？

2019-06-28 標(biāo)簽：電阻 MOS管 3.5萬 0

mos管如何并聯(lián)使用？

并聯(lián)是元件之間的一種連接方式，其特點(diǎn)是將2個(gè)同類或不同類的元件、器件等首首相接，同時(shí)尾尾亦相連的一種連接方式。通常是用來指電路中電子元件的連接方式，即并聯(lián)電路。

2019-06-26 標(biāo)簽：并聯(lián)MOS管 3.6萬 0

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