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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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前一段時(shí)間有個(gè)兄弟問了個(gè)問題，把我問住了，問題是這個(gè)： 如上圖，串聯(lián)的電阻R1到底是放在靠近IC端，還是靠近MOS端？（注意，圖中的L1是走線寄生電感，...
2022-07-08 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻MOS管無刷電機(jī) 2.7k 0
分享一些單片機(jī)硬件電路的設(shè)計(jì)方案和心得
將不確定的信號通過一個(gè)電阻鉗位在高電平，維持在不被觸發(fā)的狀態(tài)或是觸發(fā)后回到原狀態(tài)。
2022-07-06 標(biāo)簽：單片機(jī)運(yùn)算放大器MOS管 9.2k 1
基礎(chǔ)知識中 MOS 部分遲遲未整理，實(shí)際分享的電路中大部分常用電路都用到了MOS管， 今天勢必要來一篇文章，徹底掌握mos管!
2022-07-05 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)管MOS管 3.2萬 0
板在環(huán)境試驗(yàn)低溫存儲后（機(jī)框下電，-40°存儲24h，恢復(fù)到常溫25°，在25°條件下保持2h）上電，發(fā)現(xiàn)有4塊單板未正常啟動。監(jiān)控單板電源，發(fā)現(xiàn)所有問...
在一周前看到在公眾號“電機(jī)控制設(shè)計(jì)加油站”的一篇推文，“Why 100Ω？ 較真的教授發(fā)現(xiàn)簡單結(jié)論背后不簡單的問題”，對MOSFET管柵極為什么放置“一...
2022-07-01 標(biāo)簽：串聯(lián)電阻MOS管仿真電路 9k 0
設(shè)計(jì)驅(qū)動電路該使用MOS管還是三極管？（文末領(lǐng)BJT和MOSFET對比資料）
晶體管 BJT 和MOSFET 都適用于放大和開關(guān)應(yīng)用。然而，它們具有顯著不同的特征。 ? 雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 雙極結(jié)型晶體管，通常稱為 BJT...
基于語音芯片的汽車?yán)染瘓?bào)器設(shè)計(jì)
貨車等大型車輛作為現(xiàn)今資源運(yùn)輸?shù)闹匾ぞ咧?，在追求運(yùn)輸量提高的同時(shí)也帶來了諸多的安全隱患，體積大導(dǎo)致出現(xiàn)了越來越多的視線盲區(qū)，質(zhì)量大導(dǎo)致慣性加大，從而...
到VB端的電壓小于VS+12V，導(dǎo)致芯片老是檢測到硬件過流信號，從而不能正常驅(qū)動MOS管，后將VCC電壓提升到13.5V后，驅(qū)動芯片才正常。
第一個(gè)區(qū)別也就是最重要的一個(gè)區(qū)別就是MOS管是電壓控制的元件，而三極管是電流控制的元件。那么怎么理解這兩句話呢？
MOS管的結(jié)構(gòu)與latchup的形成原因
一般Fabless公司設(shè)計(jì)的芯片在工程批回來之后，都會做芯片級的ESD測試和latchup等測試，對很多客戶朋友來說，有可能對latchup稍微陌生，本...
其實(shí)MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，又因在靜電較強(qiáng)的場合難于泄放電荷...
在柵源短接，漏-源額定電壓(VDSS)是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同，實(shí)際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS。關(guān)于V(BR)...
上圖是一個(gè)限流恒流電路，當(dāng)電流低于閾值時(shí)，輸出電流由負(fù)載決定，當(dāng)負(fù)載加重，輸出電流達(dá)到閾值時(shí)，輸出電流穩(wěn)定在閾值保持恒定，負(fù)載再加重的話，輸出電流也保持...
在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相似。那為什么有些電路用MOS管，...
這就是基于瑞納捷半導(dǎo)體的RJGT101D6加密芯片設(shè)計(jì)的兩線加密煙彈方案，方案在不改變傳統(tǒng)煙彈外觀的情況下，做到了簡單、低成本、易于實(shí)施的設(shè)計(jì)目標(biāo)，可...
2022-04-22 標(biāo)簽：開關(guān)電路MOS管瑞納捷半導(dǎo)體 6.1k 0
MOSFET的柵極驅(qū)動過程，可以簡單的理解為驅(qū)動源對MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過程;當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓之后， MOSFE...
MOS是電壓驅(qū)動型器件，只要柵極和源級間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級和漏級間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為MOS內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻。這個(gè)內(nèi)阻大小基本決定了...
一般我們用保險(xiǎn)來實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)的功能，簡單，成本低，但是保險(xiǎn)屬于物理保護(hù)，通過自爆的方式達(dá)到保護(hù)的目的，缺點(diǎn)就是只能保護(hù)一次，不可恢復(fù)，想要恢復(fù)功能就只能...
1 三極管和MOS管的基本特性 三極管是電流控制電流器件，用基極電流的變化控制集電極電流的變化。有NPN型三極管和PNP型三極管兩種，符號如下：
在驅(qū)動一些較大電流的負(fù)載時(shí)，有時(shí)候由于單個(gè)MOS管的通流能力有限，很多人喜歡把幾個(gè)MOS管并聯(lián)起來，從而實(shí)現(xiàn)更大電流負(fù)載的開關(guān)，這種應(yīng)用也比較廣泛了，但...
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