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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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在高壓下,PCB的設(shè)計(jì)也需要注意。柵極電阻最好緊靠柵極,并且導(dǎo)線不要與母線電壓平行分布。否則母線高壓容易耦合至下方導(dǎo)線,柵極電壓過(guò)高擊穿MOS管。
2023-01-10 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻二極管pcb 1.8k 0
電子元器件有著不同的封裝類型,不同類的元器件外形雖然差不多,但內(nèi)部結(jié)構(gòu)及用途卻大不同。
2023-02-22 標(biāo)簽:三極管二極管場(chǎng)效應(yīng)管 1.8k 0
設(shè)計(jì)的PCBA電路板,內(nèi)部有5V電源電路,除了給各個(gè)功能電路供電之外,比如MCU單片機(jī)供電、PM2.5傳感器供電、喇叭供電,還需要給外部電路供電。
電子管柵極串聯(lián)電阻的作用主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 一、限制驅(qū)動(dòng)電流 防止電流過(guò)大 :在電子管(如MOS管)的開關(guān)電路或驅(qū)動(dòng)電路中,柵極的開啟過(guò)程可以看作...
2024-09-24 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻開關(guān)電路MOS管 1.8k 0
場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)是利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制晶體管電流的半導(dǎo)體器件,因此叫場(chǎng)效應(yīng)管。它是一種用輸入電壓控制型的半導(dǎo)體器件。按基本結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和金屬...
2023-05-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 1.8k 0
在 BUCK 電源設(shè)計(jì)中,MOS 管的 “快開快關(guān)” 是減少損耗的關(guān)鍵,而實(shí)現(xiàn)這一需求的核心,離不開前級(jí)驅(qū)動(dòng)與滯回比較器的精妙配合。今天我們就從電路搭建...
淺析一個(gè)恒流輸出電源傳導(dǎo)、輻射超標(biāo)解決案例
在最初的設(shè)計(jì)中,預(yù)留電感L1、L2,CBB電容C1、C2作為傳導(dǎo)測(cè)試元件,預(yù)留磁珠FB1、陶瓷貼片電容C9、貼片電阻R14、R15作為輻射測(cè)試元件
在電子電路領(lǐng)域,MOS管是一種至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件,其全稱為金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor...
2025-09-23 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管MOS管p溝道 1.8k 0
目錄1)防止柵極di/dt過(guò)高:2)防止柵源極間過(guò)電壓:3)防護(hù)漏源極之間過(guò)電壓:4)電流采樣保護(hù)電路功率MOS管自身?yè)碛斜姸鄡?yōu)點(diǎn),但是MOS管具有較脆...
2025-02-27 標(biāo)簽:MOS管防護(hù)電路驅(qū)動(dòng)芯片 1.8k 0
提起電源設(shè)計(jì),那肯定會(huì)提到的就是開關(guān)電源,應(yīng)用范圍也十分廣,但是開關(guān)電源的理解可能也會(huì)難到一部分人。 開關(guān)電源是利用電子開關(guān)器件比如晶體管,MOS管等來(lái)...
2023-11-06 標(biāo)簽:MOS管晶體管開關(guān)器件 1.8k 0
過(guò)快的充電會(huì)導(dǎo)致激烈的米勒震蕩,但過(guò)慢的充電雖減小了震蕩,但會(huì)延長(zhǎng)開關(guān)從而增加開關(guān)損耗。Mos開通過(guò)程源級(jí)和漏級(jí)間等效電阻相當(dāng)于從無(wú)窮大電阻到阻值很小的...
MOS,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管英文名稱的縮寫,是一種獨(dú)特的半導(dǎo)體器件,它通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路的電流,這一特性使其得名。
MOS管知識(shí)點(diǎn)總結(jié):它憑什么成為現(xiàn)代電力電子的主角?
MOS管制造工藝會(huì)造成內(nèi)部D極與S極之間存在一個(gè)寄生二極管,其作用:一是電路有反向電壓時(shí),為反向電壓提供續(xù)流,避免反向電壓擊穿MOS管;二是當(dāng)DS兩級(jí)電...
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的G極(柵極...
2024-09-18 標(biāo)簽:串聯(lián)電阻MOS管振蕩電路 1.8k 0
電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換,是將輸入的電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號(hào),轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個(gè)輸出可調(diào)的恒流源,其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會(huì)隨負(fù)載的...
通過(guò)小腳丫FPGA核心開發(fā)板來(lái)進(jìn)行門電路的設(shè)計(jì)
在數(shù)字電路中,門電路是最基本的構(gòu)成單位,可以說(shuō),任何復(fù)雜的數(shù)字電路系統(tǒng)都可以通過(guò)我們耳熟能詳?shù)呐c門,非門,或門,與非門,異或門等等組合實(shí)現(xiàn)。
2023-06-20 標(biāo)簽:FPGA設(shè)計(jì)led燈MOS管 1.8k 0
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