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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低,開關(guān)速度快,因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。
2022-09-06 標(biāo)簽:MOS管驅(qū)動(dòng)電路電源IC 4.1k 0
我們知道MOS管需要開通快關(guān)斷快,這樣才能減少損耗,那MOS管的前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路一般情況都使用三極管推挽電路實(shí)現(xiàn),我們先定前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路的電源是12V,我們來...
為什么要用gmId設(shè)計(jì)方法呢?什么是gmid設(shè)計(jì)方法呢?
假設(shè)知道了Id,Vgs-vth,但發(fā)現(xiàn),廠家給的工藝文件里,并沒有直接給出un和Cox的值,還是沒有辦法計(jì)算出管子的W和L值。
一些電池供電的設(shè)備,工控類的一些現(xiàn)場(chǎng)終端設(shè)備等,在設(shè)計(jì)時(shí)都會(huì)有一個(gè)供電接口,對(duì)于這些需要直流供電的設(shè)備,在設(shè)計(jì)時(shí)一定需要考慮到其電源接反的情況,否則一但...
在汽車電子領(lǐng)域,MOS管的應(yīng)用非常廣泛。其中大部分是用作開關(guān)管的,從電源到各類型的功率驅(qū)動(dòng),都少不了MOS管的身影。今天我們來簡單介紹一下汽車電子中,M...
我們確定了Buck拓?fù)渲衅骷牡膮?shù),如圖一示,接下來分析一下Nmos管NO和OFF時(shí)電路的狀態(tài),當(dāng)N管導(dǎo)通時(shí),S端的電壓為30V,而Vgs閾值電壓是3...
最近使用LDO較多,整理出了一些它的選型要素及注意點(diǎn),在這里同大家一起分享下,有補(bǔ)正歡迎在評(píng)論區(qū)留言。
2022-08-31 標(biāo)簽:ldoMOS管線性穩(wěn)壓器 5.8k 0
A/D轉(zhuǎn)換器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理
為了保證能從取樣信號(hào)將原來的被取樣信號(hào)恢復(fù),必須滿足:取樣頻率大于等于2倍的輸入模擬信號(hào)的最高頻率分量的頻率。
2022-08-30 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOS管A/D 2.0萬 0
上面的電路對(duì)EMC的影響可想而知,輸入端的濾波器都在這里;防雷擊的壓敏;防止沖擊電流的電阻R102(配合繼電器減小損耗);關(guān)鍵的慮差模X電容以及和電感配...
MOS晶體管的三個(gè)端子中有兩個(gè)分別是輸入端和輸出端。還有第三個(gè)端子,將這個(gè)端子固定為一定的電位就能夠構(gòu)成三種放大電路。就是說,源極、柵極、漏極中的某個(gè)極...
2022-08-29 標(biāo)簽:放大電路場(chǎng)效應(yīng)管MOS管 7k 0
作為一名硬件工程師,自然經(jīng)常與各種芯片打交道,可能有的同學(xué)對(duì)芯片的內(nèi)部并不是很了解,不少同學(xué)在應(yīng)用新的芯片時(shí)直接翻到Datasheet的應(yīng)用頁面,按照推...
2022-08-29 標(biāo)簽:芯片pcbIC設(shè)計(jì) 9.6k 0
從轉(zhuǎn)移特性曲線可以看出:當(dāng)Vgs上升到Vth時(shí),MOS管開始導(dǎo)通電流。
硬件工程師的很多項(xiàng)目是在洞洞板上完成的,但有存在不小心將電源正負(fù)極接反的現(xiàn)象,導(dǎo)致很多電子元器件都燒毀,甚至整塊板子都廢掉,還得再焊接一塊,不知道有什么...
2022-08-29 標(biāo)簽:二極管MOS管反接保護(hù)電路 8.7k 0
通常我們的電子產(chǎn)品,為防止用戶將正負(fù)極接反,會(huì)對(duì)接口做防反接保護(hù)。比如接口做成梯形或者開個(gè)缺口,反了不容易插進(jìn),但你真的永遠(yuǎn)不知道你的產(chǎn)品用戶是萌妹紙還...
2022-08-26 標(biāo)簽:二極管MOS管反接保護(hù)電路 8.6k 0
介紹GPIO的定義和GPIO不同模式間的區(qū)別與實(shí)現(xiàn)方式
GPIO全稱General Purpose Input Output 即通用輸入/輸出,其實(shí)GPIO的本質(zhì)就是芯片的一個(gè)引腳,通常在ARM中所有的I/O...
在硬件設(shè)計(jì)中,關(guān)于電路保護(hù)的部分是保證系統(tǒng)可靠性的重要一環(huán),電路保護(hù)的設(shè)計(jì)具體也包括很多方面,比如:防反設(shè)計(jì),過流保護(hù),過壓保護(hù),欠壓保護(hù),過熱保護(hù)等,...
如圖,MOS管內(nèi)部有寄生電容Cgs,Cgd,Cds。因?yàn)榧纳娙莸拇嬖?,所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程。
MOS管是電子制造的基本元件,但面對(duì)不同封裝、不同特性、不同品牌的MOS管時(shí),該如何抉擇?有沒有省心、省力的遴選方法?
如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
米勒效應(yīng)是什么?MOS管能避免米勒效應(yīng)嗎?
從t1時(shí)刻開始,MOS進(jìn)入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性:Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo),只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后,而此時(shí)又處于...
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