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標簽 > mos管
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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場效應管導通與截止由柵源電壓來操控,關(guān)于增強場效應管方面來說,N溝道的管子加正向電壓即導通,P溝道的管子則加反向電壓。一般2V~4V就OK了。
電路設計的問題,就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān),G級電壓要比電源高幾V,才...
本文首先介紹了場效應管工作原理與N溝道結(jié)型場效應管的工作原理,其次介紹了場效應管的作用,最后介紹了場效應管的測量方法。
寄生電容是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現(xiàn)出來的電容特性。實際上,一個電阻等效于一個電容,一個電感,一個電阻的串聯(lián),低頻情況下表現(xiàn)不明顯,而高頻...
mos管的工作區(qū)域 從之前的文章中可以知道,mos管有三個工作區(qū)域: 截止區(qū)域 線性(歐姆)區(qū)域 飽和區(qū)域 當 VGS VTH時,mos管工作在截止區(qū)域...
2022-12-19 標簽:CMOS開關(guān)電路MOS管 3.6萬 0
R4電阻,D1二極管,C6電容是尖峰吸收電路,因為是電阻電容二極管組成的電路,簡稱RCD吸收回路。那么為什么要加尖峰吸收回路呢,是因為要保護MOS管過壓...
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