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標簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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運放與MOS管構建的恒流電路分析及器件參數(shù)選擇應用指南
這里使用的 運放是 LM358 mos管是2N6755 (Nmos) 想讓其能夠輸出 1A 的恒流 （當然恒流限定了所帶負載范圍，下面說） 設計恒定電流...
buck電路也屬于開關電源。通過在MOS管Q上加上開關信號PWM，控制開關管的導通與關斷，是電感和電容充放電，這里采用的二極管是肖特基二極管，其特點是...
如果沒有柵極電阻，或者電阻阻值太小MOS導通速度過快，高壓情況下容易擊穿周圍的器件。
2022-10-27 標簽：串聯(lián)電阻二極管MOS管 7.5k 0
開關管是一種能夠在導通和截止狀態(tài)之間快速切換的半導體器件，通常用于電源開關、半橋/全橋驅(qū)動電路、PWM調(diào)制等電子產(chǎn)品中。常見的開關管有MOS管、IGBT管等。
說起單片機MOS管，有些人的腦子里可能是一團漿糊，書上說的文字一大堆，今天小億從物聯(lián)網(wǎng)實用角度來介紹MOS管中最常用的NMOS，
了解自舉電容自舉電容首次充電電路的分析和搭建，分析電路不足并引出電流環(huán)和電壓環(huán)；
MOS管的特性表明，當Vgs小于一定電壓（Vth）時，DS極之間的電阻Rds是很大的，可以認為開路，電流不能通過；當Vgs達到Vth時，MOS管開始導通...
標準CMOS工藝：就是在同一塊襯底上集成NMOS和PMOS,比如在一塊p襯底可以先做一個nmos然后再做一個N阱，再在N阱中摻入p+區(qū)形成PMOS。
隨著電動汽車的快速發(fā)展，充電樁作為電動汽車產(chǎn)業(yè)的基礎設施建設越來越受到中央和地方政府的重視，對充電樁電源模塊的要求也越來越高，充電模塊屬于電源產(chǎn)品中的一...
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬-氧化物半導體場效應晶體管）在多種情況...
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），即金屬氧化物半導體場效應晶體管，是現(xiàn)代電...
其實MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷...
低噪聲放大器（LNA）在多種接收機結構中都作為接收機第一級有源器件，承擔接收機的低噪聲下“放大”功能，在抑制噪聲干擾的同時提高了輸入信號的功率，并將信號...
MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制構成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但理論應用的只需增強型的N溝道MOS管和增強型的...
對于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動電路設計相對簡單，只需要一個驅(qū)動電阻Rg即可對MOS管進行驅(qū)動。此時的驅(qū)動開通電阻和關斷電阻阻值一致。
與傳統(tǒng)PWM（脈寬調(diào)節(jié)）變換器不同，LLC是一種通過控制開關頻率（頻率調(diào)節(jié)）來實現(xiàn)輸出電壓恒定的諧振電路。它的優(yōu)點是：實現(xiàn)原邊兩個主MOS開關的零電壓開...
純半導體的導電性能很差，但是可以通過加入一些特殊的雜質(zhì)增強其導電能力。N型MOSFET會引入額外可移動的負電荷（電子），此時為N型（N溝道）參雜，在N型...
Mos問題遠沒這么簡單，麻煩在它的柵極和源級間，源級和漏級間，柵極和漏級間內(nèi)部都有等效電容。所以給柵極電壓的過程就是給電容充電的過程（電容電壓不能突變）...
此電路看似簡單，實際原理是當采樣電阻R4的電壓變化時，直接反饋到運放的反相輸入端，它與同相輸入端電壓的差值被運放放大，輸出控制三極管的基極電流，改變?nèi)龢O...
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