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標(biāo)簽 > mos管
mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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MOSFET器件手冊(cè)關(guān)鍵參數(shù)解讀
我一直認(rèn)為，對(duì)于電子工程師來講，最好的學(xué)習(xí)資料就是芯片或者電子器件的數(shù)據(jù)手冊(cè)，可能一開始讀起來會(huì)很吃力，但只要你能堅(jiān)持住，并且本著一種不懂就問，不會(huì)就查...
在一些電路的設(shè)計(jì)中，不光是開關(guān)電源電路中，經(jīng)常會(huì)使用MOS管，正確選擇MOS管是硬件工程師經(jīng)常遇到的問題，更是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，MOS管選擇不好有可能影...
2023-11-08 標(biāo)簽：開關(guān)電路MOSFETMOS管 1.3k 0
中國已是IGBT全球最大的市場(chǎng)，其需求的增長(zhǎng)主要是新能源的增長(zhǎng)帶來的，其中新能源汽車、光伏等需求更是核心的增長(zhǎng)。由于需求的增長(zhǎng)，IGBT單管常常是處于供...
要說起電路學(xué)習(xí)進(jìn)入大學(xué)和高中的最大區(qū)別，那就是多了三極管MOS管這類元件了，也正是因?yàn)檫@些元件，電路功能才能更加多樣，并且設(shè)計(jì)出種類繁多，功能豐富的電子...
共模電平：模擬電路處理的信號(hào)一般是交流小信號(hào)，在給mos管輸入交流小信號(hào)之前，要先給mos管施加較大的直流電平
2023-11-07 標(biāo)簽：MOS管差動(dòng)放大器差模電壓 2.5k 0
什么是同步整流？如何設(shè)計(jì)一個(gè)同步整流電路？
同步整流是一種**提高電路轉(zhuǎn)換效率**的技術(shù)，該技術(shù)通常在輸出為**低壓大電流**的開關(guān)電源中使用
今天在調(diào)試一個(gè)DCDC 升壓電路時(shí)，接上電源發(fā)現(xiàn)過流。電路輸入電壓 24V , 期望升壓到 39 V。
提起電源設(shè)計(jì)，那肯定會(huì)提到的就是開關(guān)電源，應(yīng)用范圍也十分廣，但是開關(guān)電源的理解可能也會(huì)難到一部分人。 開關(guān)電源是利用電子開關(guān)器件比如晶體管，MOS管等來...
2023-11-06 標(biāo)簽：MOS管晶體管開關(guān)器件 1.8k 0
想要學(xué)好電路，首先得學(xué)好電子元器件，就好比蓋樓前要先打好地基。而電子元器件中用的最多的莫過于三極管和MOS管。只有理解了這些基礎(chǔ)，才能更好進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。
2023-11-06 標(biāo)簽：三極管電子元器件電路設(shè)計(jì) 2.1萬 0
如何利用示波器進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的數(shù)據(jù)記錄
示波器是檢測(cè)電子線路最有效的工具之一，通過觀察電子電路中一些關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)如某些引腳，MOS管的輸出波形，可以直觀的檢查電路工作是否正常，驗(yàn)證電子電路設(shè)計(jì)是否...
什么是IGBT？IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)/工作原理/特性/優(yōu)缺點(diǎn)
在實(shí)際應(yīng)用中最流行和最常見的電子元器件是雙極結(jié)型晶體管 BJT 和 MOS管。
DDR3相較于DDR2有哪些特點(diǎn)？其設(shè)計(jì)規(guī)范有哪些？
存儲(chǔ)器一般來說可以分為內(nèi)部存儲(chǔ)器(內(nèi)存)，外部存儲(chǔ)器(外存)，緩沖存儲(chǔ)器(緩存)以及閃存這幾個(gè)大類。內(nèi)存也稱為主存儲(chǔ)器，位于系統(tǒng)主機(jī)板上，可以同CPU直...
UnCox和UpCox以及單個(gè)mos的Cox要通過仿真得到，發(fā)現(xiàn)這些參數(shù)是和MOS的W和L弱相關(guān)的，不影響計(jì)算，不會(huì)有數(shù)量級(jí)的差異的。
LOD效應(yīng)也是DSM效應(yīng)的其中一種。DSM Effect即Deep Sub-Micron Effect，包括WPE、LOD、OSE、Hot carrie...
WPE效應(yīng)的概念 如何讓減小WPE效應(yīng)呢？
如果模擬IC工程師你經(jīng)常用.18um以上的工藝，那么你很可能從來沒有關(guān)注過WPE以及LOD（Length Of Diffusion）效應(yīng)。
晶體管level shifter是怎么實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換功能的？
這一篇，總結(jié)一下level shifter的晶體管級(jí)工作原理，就從最傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)講起，詳細(xì)分析這個(gè)level shifter是怎么實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換功能的。
2023-11-03 標(biāo)簽：MOS管電平轉(zhuǎn)換器晶體管 9k 0
米勒平臺(tái)的形成與其材料、制造工藝息息相關(guān)，當(dāng)GE之間電壓大于閾值點(diǎn)的時(shí)候，管子的CE電壓開始下降，但是下降的速度十分緩慢
2023-11-03 標(biāo)簽：MOS管IGBT驅(qū)動(dòng)電流 1.1萬 0
基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關(guān)是PI恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線反激式開關(guān)IC產(chǎn)品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術(shù)...
上一篇文章我們對(duì)C51的IO簡(jiǎn)單的介紹了一下，現(xiàn)在我們來簡(jiǎn)單了解C51的IO的結(jié)構(gòu)
2023-11-02 標(biāo)簽：單片機(jī)MOS管C51單片機(jī) 4.8k 0
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