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mos管

mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

怎么判斷MOS管的工作狀態(tài)

MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是現(xiàn)代電子...

2024-05-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管晶體管 3.9k 0

如何減少M(fèi)OS管的損耗

MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)在電子設(shè)備中...

2024-05-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管晶體管 2.5k 0

MOS管的幾種失效模式

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2024-05-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管晶體管 5.1k 0

MOS管尖峰產(chǎn)生的原因

MOS管,作為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵元件,廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計(jì)中。然而,在MOS管的工作過(guò)程中,有時(shí)會(huì)出現(xiàn)電壓或電流尖峰現(xiàn)象,這不僅可能影響電路...

2024-05-30 標(biāo)簽:MOS管晶體管尖峰 5.2k 0

如何進(jìn)行示波器的相位校正

示波器,作為電子工程師和科學(xué)家的基本工具之一,廣泛應(yīng)用于電子信號(hào)的測(cè)量和分析中。在涉及多個(gè)通道波形時(shí)間相關(guān)參數(shù)的測(cè)量中,如功率MOS管的雙脈沖測(cè)試,相位...

2024-05-27 標(biāo)簽:示波器MOS管信號(hào) 3.3k 0

求一種基于中微愛(ài)芯AiP8F50XX觸摸MCU的加濕器方案

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室內(nèi)濕度過(guò)低時(shí),干燥的空氣容易奪走人體的水分,使皮膚干燥、鼻腔粘膜受到刺激,誘發(fā)呼吸系統(tǒng)病癥。因此我們迫切需要一個(gè)優(yōu)秀的加濕器方案,來(lái)幫助大家對(duì)抗干燥,...

2024-05-17 標(biāo)簽:MOS管RGBPCB設(shè)計(jì) 878 0

關(guān)于MOS管,你需要知道的那些事

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MOT03/252024什么是MOS管?MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Ox...

2024-05-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管晶體管 3k 0

增強(qiáng)型和耗盡型MOS管的區(qū)別

MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是現(xiàn)代電...

2024-05-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS管晶體管 7.3k 0

IGBT與MOS管的區(qū)別

在電力電子領(lǐng)域,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOS管(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是兩種非常重要的功率半導(dǎo)體器件。它們各自具有獨(dú)特的工作原理、結(jié)構(gòu)...

2024-05-12 標(biāo)簽:MOS管IGBT晶體管 5.5k 0

MOS管發(fā)熱問(wèn)題的解決方案探討

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此時(shí)它的發(fā)熱功率最大,隨后迅速降低直到完全導(dǎo)通,功率變成了100*100*0.003=30w,假設(shè)這個(gè)MOS管的內(nèi)阻是3毫歐姆,那這個(gè)開(kāi)關(guān)過(guò)程的發(fā)熱功率...

2024-04-30 標(biāo)簽:電流MOS管散熱設(shè)計(jì) 3.4k 0

H橋電路是如何工作的?H橋電路有何作用?

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將兩個(gè)MOS管一上一下的方式放在一條直線(xiàn)上,叫做“半橋”,我們分別叫它上管和下管,而兩個(gè)半橋組合一起,就是H橋電路,正中心就是負(fù)載電機(jī)。

2024-04-29 標(biāo)簽:電機(jī)控制直流電機(jī)MOS管 3.8k 0

如何確保380V輔助電源的穩(wěn)定性?

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交流380V輔助電源主要應(yīng)用于對(duì)電源容量、穩(wěn)定性、可靠性要求較高的工業(yè)、商業(yè)和基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域。

2024-04-29 標(biāo)簽:MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管漏電流 1.2k 0

電源MOS管緩啟動(dòng)的應(yīng)用分析

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熱插拔一般對(duì)電子系統(tǒng)有兩方面影響:1.熱插拔時(shí),連接器的機(jī)械觸點(diǎn)在接觸瞬間會(huì)出現(xiàn)彈跳,引起電源振蕩;2.熱插拔時(shí),由于系統(tǒng)大容量?jī)?chǔ)能電容的充電效應(yīng),系統(tǒng)...

2024-04-29 標(biāo)簽:連接器MOS管寄生電容 1.6k 0

MOS管為什么還要考慮電流大小呢?

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當(dāng)MOS管驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí),我們會(huì)使用推挽電路來(lái)放大電流,但是MOS管明明是壓控型器件,為什么要去考慮電流大小呢?

2024-04-28 標(biāo)簽:三極管電流MOS管 2.9k 1

探究?jī)?nèi)阻較小的MOS管發(fā)熱之謎

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這個(gè)主要是Drain加反偏電壓后,使得Drain/Bulk的PN結(jié)耗盡區(qū)延展,當(dāng)耗盡區(qū)碰到Source的時(shí)候,那源漏之間就不需要開(kāi)啟就形成了 通路,所以...

2024-04-28 標(biāo)簽:二極管電源反接MOS管 1.5k 0

關(guān)于同步整流芯片參數(shù)適配的經(jīng)驗(yàn)

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更換同步整流控制IC后啟機(jī)效率明顯降低,首先從同步整流工作異常開(kāi)始著手測(cè)量。如圖1所示,在同步整流驅(qū)動(dòng)波形測(cè)量的同時(shí)用熱成像儀測(cè)量同步整流MOS管的溫度...

2024-04-26 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源MOS管熱成像儀 2.1k 0

普通三極管電路的步驟

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三極管是晶體管的一種,三極管的三個(gè)極分別是基極(Base)、發(fā)射極(Emitter)、集電極(Collector)。

2024-04-25 標(biāo)簽:三極管MOS管晶體管 1.2k 0

電源防反接電路設(shè)計(jì)方案分享!

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在實(shí)際應(yīng)用中,G極一般串聯(lián)一個(gè)電阻,防止MOS管被擊穿,也可以加上穩(wěn)壓二極管,并聯(lián)在分壓電阻上的電容,有一個(gè)軟啟動(dòng)的作用。

2024-04-22 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓二極管MOS管 3.3k 0

鋰電池保護(hù)電路工作原理解讀

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鋰離子電池是一種二次電池(充電電池),它主要依靠鋰離子在正極和負(fù)極之間移動(dòng)來(lái)工作。在充放電過(guò)程中,Li+在兩個(gè)電極之間往返嵌入和脫嵌,充電時(shí),Li+從正...

2024-04-22 標(biāo)簽:鋰離子電池鋰電池保護(hù)電路 4.3k 0

模擬電路基礎(chǔ)知識(shí)(2)

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整流電路是將交流電轉(zhuǎn)換成單向脈動(dòng)性直流電,這就是交流電的整流過(guò)程,整流電路主要由整流二極管組成。經(jīng)過(guò)整流電路之后的電壓已經(jīng)不是交流電壓,而是一種含有直流...

2024-04-22 標(biāo)簽:三極管二極管模擬電路 2.3k 0

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    NE556
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    A類(lèi)放大器
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
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