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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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東芝邀您共赴PCIM Asia 2025

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半導體分立器件測試系統(tǒng)的概述、作用及應用場景和行業(yè)趨勢

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傾佳電子推動SiC模塊全面替代IGBT模塊的技術動因

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IGBT 封裝底部與散熱器貼合面平整度差，引發(fā)鍵合線與芯片連接部位應力集中，鍵合脆斷

一、引言在 IGBT 模塊散熱系統(tǒng)中，封裝底部與散熱器的貼合狀態(tài)直接影響熱傳導效率。研究發(fā)現(xiàn)，貼合面平整度差不僅導致散熱性能下降，還會通過力學傳遞路徑...

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IGBT 芯片平整度差，引發(fā)鍵合線與芯片連接部位應力集中，鍵合失效

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2025-09-02 標簽：芯片 IGBT 1.6k 0

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電力電子應用中IGBT模塊向SiC模塊的技術升級與應用策略傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服...

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2025-08-29 標簽：IGBT 功率模塊宏微科技 2.5k 0

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數(shù)明半導體推出SiLM22xx系列半橋門極驅(qū)動器

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