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標(biāo)簽 > igbt
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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碳化硅IGBT在汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵作用是什么?
自電動(dòng)汽車大規(guī)模普及的早期階段以來,碳化硅(SiC)和其他寬禁帶(WBG)技術(shù)就被認(rèn)為是電池電動(dòng)汽車子系統(tǒng)的理想選擇。與傳統(tǒng)硅材料相比,寬禁帶材料具有更...
功率器件開關(guān)功耗測試詳細(xì)步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開關(guān)損耗測試
功率器件(MOSFET/IGBT) 是開關(guān)電源最核心的器件同時(shí)也是最容易損壞的器件之一。在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,功率器件的測試至關(guān)重要,主要包括開關(guān)損耗測試,...
2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源示波器 987 0
SiC半導(dǎo)體如何成為比舊有技術(shù)更具成本競爭力的解決方案
隨著電動(dòng)汽車、可再生能源和 5G 等領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐不斷加快,為滿足消費(fèi)者和行業(yè)的需求,越來越多的工程師也在尋求全新解決方案,并對技術(shù)提出了更高的要求。
UCC21710-Q1 汽車級 5.7kVrms 10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊
UCC21710-Q1 是一款電流隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,專為高達(dá) 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT 而設(shè)計(jì),具有先進(jìn)的保護(hù)功能、一流...
用于大功率模塊升壓臺面結(jié)構(gòu)中的金屬化陶瓷基板
隨著可用的寬帶隙半導(dǎo)體不斷在提高其工作電壓,其封裝中使用的電絕緣受到了越來越多的限制。在更準(zhǔn)確地來說,用于要求苛刻的應(yīng)用的陶瓷基板代表了一個(gè)關(guān)鍵的多功能...
?STGD4H60DF IGBT技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT設(shè)計(jì)采用先進(jìn)的溝槽式柵極場終止型結(jié)構(gòu)。STMicroelec...
2025-10-23 標(biāo)簽:IGBT高速高頻轉(zhuǎn)換器 973 0
選擇適合的IGBT并不能確保產(chǎn)品的市場競爭力,但它是打造高品質(zhì)和高競爭力產(chǎn)品的基礎(chǔ)。相信我們的FHF20T60A型號的IBGT單管可以幫助您鞏固品質(zhì)基礎(chǔ)...
耐高溫絕緣陶瓷涂層IGBT/MOSFET應(yīng)用 | 全球領(lǐng)先技術(shù)工藝材料
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)都是重要的半導(dǎo)體功率器件,它們在電子電路中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。以下是IGBT和...
借助SpeedFit設(shè)計(jì)仿真軟件 縮短比較分析的時(shí)間
相較于基于硅(Si)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)之類的傳統(tǒng)技術(shù),碳化硅(SiC)元件擁有明顯的優(yōu)點(diǎn),因此很多應(yīng)用都能從運(yùn)用 SiC 器件中獲益。
『集成電路IC』,指采用半導(dǎo)體制備工藝,把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起,制作在一小塊晶片上,然后封裝好,成為具有一定功能...
2023-02-03 標(biāo)簽:集成電路IGBT功率半導(dǎo)體 963 0
JL3I200V65RE2PN為650V /200A INPC三電平逆變模塊,采用溝槽柵場終止技術(shù)IGBT7芯片,帶熱敏電阻(NTC)和可選 Press...
三菱電機(jī)開始提供X系列HV100封裝半橋HVIGBT模塊
根據(jù)三菱電機(jī)截至2023年4月25日的研究,與4.5kV額定電壓和10.2kVrms絕緣耐壓的HV100封裝半橋Si HVIGBT模塊對比得出
滿足當(dāng)今電源需求的全系列柵極驅(qū)動(dòng)電源產(chǎn)品
電源是電子設(shè)備的基礎(chǔ),其中的柵極驅(qū)動(dòng)器是穩(wěn)定提供設(shè)備電源的關(guān)鍵。柵極驅(qū)動(dòng)器是一種功率放大器,它接受來自控制器芯片的低功率輸入,并為高功率晶體管(例如IG...
?EVALSTGAP4S隔離式柵極驅(qū)動(dòng)演示板技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics EVALSTGAP4S演示板用于評估 STGAP4S先進(jìn)的電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,用于IGBT和SiC MOSFET。該...
UCC28070A 具有擴(kuò)展頻率范圍(10kHz 至 300kHz)的兩相交錯(cuò)式 CCM PFC 控制器數(shù)據(jù)手冊
UCC28070A 器件是 UCC28070 器件的擴(kuò)展頻率范圍衍生產(chǎn)品,能夠在高功率應(yīng)用中基于 IGBT 功率開關(guān)的 PFC 轉(zhuǎn)換器所需的低開關(guān)頻率下...
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱IGBT)是一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSF...
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