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igbt

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

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igbt技術(shù)

什么原因?qū)е铝遂o態(tài)雪崩擊穿?

什么原因?qū)е铝遂o態(tài)雪崩擊穿?

IGBT關(guān)斷時(shí),如果關(guān)斷過(guò)快,di/dt過(guò)大會(huì)導(dǎo)致Vce電壓過(guò)大超過(guò)斷態(tài)電壓Uces時(shí)就有可能導(dǎo)致靜態(tài)雪崩擊穿。

2021-05-15 標(biāo)簽:IGBT雪崩擊穿 7k 0

雙脈沖開(kāi)關(guān)的特性是什么,IGBT開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程描述

雙脈沖開(kāi)關(guān)的特性是什么,IGBT開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程描述

在IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程中通常用開(kāi)通延遲td(on)、關(guān)斷延遲td(off)、上升時(shí)間tr和下降時(shí)間tf來(lái)進(jìn)行描述。

2021-05-06 標(biāo)簽:脈沖IGBT 9.5k 0

通過(guò)IGBT簡(jiǎn)化裸片溫度計(jì)算方法優(yōu)化應(yīng)用系統(tǒng)性能

通過(guò)IGBT簡(jiǎn)化裸片溫度計(jì)算方法優(yōu)化應(yīng)用系統(tǒng)性能

大多數(shù)半導(dǎo)體組件結(jié)溫的計(jì)算過(guò)程很多人都知道。通常情況下,外殼或接腳溫度已知。量測(cè)裸片的功率耗散,并乘以裸片至封裝的熱阻(用theta或θ表示),以計(jì)算外...

2021-03-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體igbt晶體管 2.5k 0

使用隔離放大器實(shí)現(xiàn)高成本效益的充分IGBT保護(hù)方案

使用隔離放大器實(shí)現(xiàn)高成本效益的充分IGBT保護(hù)方案

絕緣柵雙極晶體管(IGBT, Insulated-Gate Bipolar Transistor)需要充分的保護(hù)以避免短路、過(guò)載和過(guò)電壓等錯(cuò)誤情況所造成...

2021-03-15 標(biāo)簽:放大器變頻器igbt 3.5k 0

利用有源米勒鉗位技術(shù)有效緩解緩米勒效應(yīng)

利用有源米勒鉗位技術(shù)有效緩解緩米勒效應(yīng)

當(dāng)IGBT在開(kāi)關(guān)時(shí)普遍會(huì)遇到的一個(gè)問(wèn)題即寄生米勒電容開(kāi)通期間的米勒平臺(tái)。米勒效應(yīng)在單電源門(mén)極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中影響是很明顯的?;陂T(mén)極G與集電極C之間的耦合,...

2021-03-15 標(biāo)簽:電容igbt 2.3萬(wàn) 0

利用隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器延長(zhǎng)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的使用時(shí)長(zhǎng)

利用隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器延長(zhǎng)IGBT驅(qū)動(dòng)電路的使用時(shí)長(zhǎng)

IGBT是電源中的一個(gè)核心部分,其主要特點(diǎn)是開(kāi)關(guān)速度快,通常應(yīng)用于逆變器或電機(jī)控制系統(tǒng)。一般IGBT的驅(qū)動(dòng)電路由體積小、效率高的DC/DC轉(zhuǎn)換器組成,因...

2021-03-15 標(biāo)簽:發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)換器igbt 3.5k 0

大功率IGBT驅(qū)動(dòng)的技術(shù)特點(diǎn)及發(fā)展趨勢(shì)分析

大功率IGBT驅(qū)動(dòng)的技術(shù)特點(diǎn)及發(fā)展趨勢(shì)分析

由于igbt具有開(kāi)關(guān)頻率高、導(dǎo)通功耗小及門(mén)極控制方便等特點(diǎn),在大功率變換系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用。在igbt應(yīng)用中,除其本身的技術(shù)水平以外,另一個(gè)要考慮的重...

2021-03-11 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器變換器igbt 9k 0

英飛凌逆向?qū)ㄐ虸GBT的特點(diǎn)及應(yīng)用

英飛凌逆向?qū)ㄐ虸GBT的特點(diǎn)及應(yīng)用

由于現(xiàn)在經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展,能源的消耗也是急劇增加,我們?nèi)绾稳p少能源的損耗做到節(jié)能減排?這就要求我們的產(chǎn)品有一個(gè)更高的效率,更低的成本。

2021-03-11 標(biāo)簽:英飛凌igbt 6.6k 0

IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)有哪些類(lèi)型

IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)有哪些類(lèi)型

IGBT及MOSFET隔離驅(qū)動(dòng)為可靠驅(qū)動(dòng)絕緣柵器件,目前已有很多成熟電路。當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)與功率器件不需要隔離時(shí),驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)是比較簡(jiǎn)單的,目前也有了許多優(yōu)...

2021-02-08 標(biāo)簽:變壓器MOSFETIGBT 9k 0

MOS管與三極管和IGBT之間到底有什么關(guān)系

MOS管與三極管和IGBT之間到底有什么關(guān)系

1、P型和N型半導(dǎo)體:本征半導(dǎo)體摻雜三價(jià)元素,根據(jù)高中學(xué)的化學(xué)鍵穩(wěn)定性原理,會(huì)有“空穴”容易導(dǎo)電,因此,這里空穴是“多子”即多數(shù)載流子,摻雜類(lèi)型為P(p...

2021-02-09 標(biāo)簽:三極管IGBTMOS 1.1萬(wàn) 0

IGBT中的閂鎖效應(yīng)到底是什么

IGBT中的閂鎖效應(yīng)到底是什么

閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱(chēng)之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片...

2021-02-09 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 1.8萬(wàn) 0

分析和比較驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對(duì)于并聯(lián)IGBT均流特性的影響

分析和比較驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對(duì)于并聯(lián)IGBT均流特性的影響

本文作者北京交通大學(xué)電氣工程學(xué)院穆峰,劉宜鑫,賈靜雯,郝欣,楊勇,黃先進(jìn) 摘要:隨著電力電子應(yīng)用越發(fā)趨于高壓與高功率密度,單個(gè)模塊已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足其需求,功...

2021-02-14 標(biāo)簽:耦合IGBT功率 5.5k 0

離網(wǎng)逆變器到底是什么?并網(wǎng)逆變器的原理詳細(xì)說(shuō)明

離網(wǎng)逆變器到底是什么?并網(wǎng)逆變器的原理詳細(xì)說(shuō)明

逆變器是眾多設(shè)備中不可缺少的一環(huán),由此可見(jiàn)逆變器的重要性。為增進(jìn)大家對(duì)逆變器的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)離網(wǎng)逆變器、并網(wǎng)逆變器進(jìn)行介紹,并探討離網(wǎng)逆變器、并網(wǎng)逆變器...

2021-01-03 標(biāo)簽:DSP逆變器IGBT 2.9萬(wàn) 0

一文知道IGBT和MOSFET的工作區(qū)命名

一文知道IGBT和MOSFET的工作區(qū)命名

搞電力電子的應(yīng)該都知道IGBT和MOSFET屬于全控型電力電子器件,在應(yīng)用的時(shí)候把它當(dāng)作一個(gè)開(kāi)關(guān)就可以了,但估計(jì)很少人能夠說(shuō)出IGBT和MOSFET工作...

2021-01-01 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電子器件 2.5萬(wàn) 1

如何通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)SiC性能的最大化

如何通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)SiC性能的最大化

SiC和其他寬禁帶器件的基本優(yōu)勢(shì)源于它們的帶隙,價(jià)帶頂部和導(dǎo)帶底部之間的能量差。電子從低能價(jià)帶移動(dòng)到高能導(dǎo)帶使材料導(dǎo)電。

2021-02-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)IGBT電源開(kāi)關(guān) 3k 0

一文解析雜散電感存儲(chǔ)的磁場(chǎng)能量

我們都知道電力電子裝置中換流回路的雜散電感對(duì)器件的開(kāi)關(guān)過(guò)程影響非常大,如果前期設(shè)計(jì)不注意,后期麻煩事會(huì)非常多,例如:器件過(guò)壓高、振蕩嚴(yán)重,EMI超標(biāo)等。...

2021-02-22 標(biāo)簽:電感器IGBT寄生電感 1.3萬(wàn) 0

英飛凌實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)方案解析

英飛凌實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)方案解析

以對(duì)稱(chēng)的布板設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián),給出了實(shí)際的測(cè)量結(jié)果。最后還通過(guò)門(mén)特卡羅分析來(lái)演繹批量器件應(yīng)用在并聯(lián)場(chǎng)合下的溫度偏差。由此可以看出碳...

2021-02-21 標(biāo)簽:MOSFETIGBT碳化硅 5.7k 0

電動(dòng)車(chē)用大功率 IGBT模塊測(cè)試解決方案

功率半導(dǎo)體器件種類(lèi)眾多,按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類(lèi),其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大,是最主要的品類(lèi)。

2020-11-25 標(biāo)簽:電動(dòng)車(chē)IGBT功率半導(dǎo)體 3k 0

碳化硅功率模塊及電控的設(shè)計(jì)、測(cè)試與系統(tǒng)評(píng)估

碳化硅功率模塊及電控的設(shè)計(jì)、測(cè)試與系統(tǒng)評(píng)估

前言:臻驅(qū)科技(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)臻驅(qū)科技)是一家以研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售新能源車(chē)動(dòng)力總成及其功率半導(dǎo)體模塊為核心業(yè)務(wù)的高科技公司。2 019 年底,臻...

2020-11-24 標(biāo)簽:IGBT 2.5k 0

PWM的死區(qū)時(shí)間到底是什么如何計(jì)算死區(qū)時(shí)間

PWM的死區(qū)時(shí)間到底是什么如何計(jì)算死區(qū)時(shí)間

什么是死區(qū)時(shí)間?PWM是脈沖寬度調(diào)制,在電力電子中,最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。對(duì)三相電來(lái)說(shuō),就需要三個(gè)橋臂。以?xún)呻娖綖槔?,每個(gè)...

2020-11-22 標(biāo)簽:PWMIGBT電力電子 3.1萬(wàn) 0

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  • 加速度傳感器
    加速度傳感器
    +關(guān)注
    加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
  • 聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
    聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
    +關(guān)注
  • 服務(wù)機(jī)器人
    服務(wù)機(jī)器人
    +關(guān)注
    服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員,到目前為止尚沒(méi)有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
  • 四軸飛行器
    四軸飛行器
    +關(guān)注
    四軸飛行器,又稱(chēng)四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī),簡(jiǎn)稱(chēng)四軸、四旋翼。這四軸飛行器(Quadrotor)是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu),十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力,從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
  • SDK
    SDK
    +關(guān)注
      SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包,軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
  • 基站測(cè)試
    基站測(cè)試
    +關(guān)注
    802.11ac與11基站測(cè)試(base station tests) 在基站設(shè)備安裝完畢后,對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別,802.11n無(wú)線(xiàn)網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng),802.11n怎么安裝。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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