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      標(biāo)簽　>　igbt

      igbt

      igbt

      +關(guān)注1256人關(guān)注

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

      文章：3183個 瀏覽：259522次 帖子：484個

      igbt技術(shù)

      IGBT對柵極驅(qū)動電路的要求

      IGBT的驅(qū)動電路在它的應(yīng)用中有著特別重要的作用，IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵問題之一是驅(qū)動電路的合理設(shè)計(jì)。由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨柵-射極驅(qū)動電路的...

      2023-02-16 標(biāo)簽：IGBT柵極驅(qū)動電路 4.7k 0

      IGBT的使用與保護(hù)

      目前IGBT 的電流/電壓等級已達(dá)1800A/1200V，關(guān)斷時(shí)間已經(jīng)縮短到40ns，工作頻率可達(dá)40kHz，擎住現(xiàn)象得到改善，安全工作區(qū)（SOA）擴(kuò)大...

      2023-02-16 標(biāo)簽：開關(guān)電源IGBT功率器件 5.1k 0

      以雙極性方式驅(qū)動單極柵極驅(qū)動器

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      如果特定功率器件需要正極和負(fù)柵極驅(qū)動，電路設(shè)計(jì)人員無需尋找專門處理雙極性操作的特殊柵極驅(qū)動器。使用這個簡單的技巧使單極性柵極驅(qū)動器提供雙極性電壓！

      2023-02-16 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動器IGBT 1.4k 0

      碳化硅在半導(dǎo)體中有什么好處？

      來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品，設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

      2023-02-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBTSiC 1.2k 0

      為何SiC模塊受到市場高度關(guān)注？

      絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是一種三端功率半導(dǎo)體器件，常用作電子開關(guān)。憑借出色的開關(guān)特性、耐高溫性、輕量級和成本效益等特征，IGBT 電源模塊逐漸成...

      2023-02-16 標(biāo)簽：IGBT晶體管功率模塊 861 0

      功率半導(dǎo)體類型及特點(diǎn)

      功率半導(dǎo)體的類型有多種，其中最常用的是MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（可控硅晶體管）和SCR（可控整流器）。MOSFET是一種可...

      2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率半導(dǎo)體 1.9k 0

      隔離驅(qū)動IGBT的設(shè)計(jì)技巧

      隔離驅(qū)動IGBT的意義在于，它可以將低電壓的控制信號轉(zhuǎn)換為高電壓的控制信號，從而控制IGBT晶體管的開關(guān)，從而實(shí)現(xiàn)高效的電力控制。

      2023-02-15 標(biāo)簽：IGBT控制信號隔離驅(qū)動 1.6k 0

      碳化硅MOSFET和IGBT的區(qū)別與聯(lián)系

      碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù)，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET技...

      2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFETIGBT碳化硅 9.7k 0

      IGBT基礎(chǔ)知識：IGBT工作原理/優(yōu)缺點(diǎn)/選型/應(yīng)用

      IGBT的柵極-發(fā)射極電壓VGE類似于MOSFET的柵極-源極電壓VGS，集電極電流IC類似于漏極電流ID，集電極-發(fā)射極電壓VCE類似于漏源電壓VDS。

      2023-02-14 標(biāo)簽：三極管場效應(yīng)管IGBT 9.9k 0

      電子封裝用陶瓷基板材料及其制備工藝

      相對于LTCC和HTCC，TFC為一種后燒陶瓷基板。采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)將金屬漿料涂覆在陶瓷基片表面，經(jīng)過干燥、高溫?zé)Y(jié)（700~800℃）后制備。金屬漿料...

      2023-02-14 標(biāo)簽：IGBT電鍍電子封裝 1.4k 0

      淺談各種SiC IGBT器件的制作過程與相關(guān)性能

      通常來講，全控型半導(dǎo)體器件可以依照其導(dǎo)通狀態(tài)下的載流子類型分為單極型半導(dǎo)體器件和雙極型半導(dǎo)體器件，在每一類中又可以分為電流控制型和電壓控制型。

      2023-02-13 標(biāo)簽：IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2.8k 0

      背后功率器件那些事兒：MOSFET、IGBT及碳化硅的應(yīng)用

      當(dāng)充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢越來越明顯，高性能MOSFET的需求也越來越大，通過改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)的超級結(jié)MOSFET應(yīng)運(yùn)而生了。

      2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 2.1k 0

      什么是IGBT？

      什么是IGBT？

      什么是IGBT？本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?IGBT是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的縮寫，中文名稱是“絕緣柵雙極晶體管”。

      2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 6k 0

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      在討論了48伏特架構(gòu)（“48伏特輕度混合動力系統(tǒng)的出現(xiàn)”）并描述了一些主要應(yīng)用（“48伏特起動發(fā)電機(jī)”）后，我們需要深入研究這些新系統(tǒng)的電氣要求。在這篇...

      2023-02-13 標(biāo)簽：MOSFETIGBT發(fā)電機(jī) 1.4k 0

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      　　開關(guān)器件在運(yùn)行過程中存在短路風(fēng)險(xiǎn)，配置合適的短路保護(hù)電路，可以有效減少開關(guān)器件在使用過程中因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比，碳化硅MOSFET短...

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      　　在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率...

      2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBTPN結(jié) 4.3k 0

      為您的設(shè)計(jì)選擇最佳選項(xiàng)：碳化硅MOSFET相對于IGBT的優(yōu)勢！

      GBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）用于許多不同類型的電源應(yīng)用，包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測試和測量以及...

      2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFETIGBT晶體管 1.1k 0

      DIPIPM?的PCB設(shè)計(jì)（2）

      DIPIPM是雙列直插型智能功率模塊的簡稱，由三菱電機(jī)于1997年正式推向市場，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調(diào)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。本講座主要介紹DIPIP...

      2023-02-12 標(biāo)簽：pcbIGBTPCB設(shè)計(jì) 3.3k 0

      工業(yè)縫紉機(jī)的電機(jī)驅(qū)動IGBT怎么選擇？

      工業(yè)縫紉機(jī)在生活、生產(chǎn)應(yīng)用是非常廣泛的，而電機(jī)驅(qū)動是工業(yè)縫紉機(jī)系統(tǒng)的中樞大腦。在產(chǎn)品研發(fā)中考慮設(shè)計(jì)以及電子元器件的優(yōu)化來提升產(chǎn)品性能是非常重要的。

      2023-02-12 標(biāo)簽：UPS電機(jī)驅(qū)動IGBT 1.1k 0

      IGBT模塊該如何快速檢查故障？

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      2023-02-12 標(biāo)簽：二極管模塊變頻器 1.2k 0

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        +關(guān)注
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      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
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      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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