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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

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全部技術資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) IGBT選型

igbt技術

IGBT功率模塊是什么？

IGBT功率模塊是指采用lC驅(qū)動，利用最新的封裝技術將IGBT與驅(qū)動電路、控制電路和保護電路高度集成在一起的模塊。其類別從復合功率模塊PIM發(fā)展到智能功...

2023-02-22 標簽：封裝技術 IGBT 功率模塊 6.4k 0

IGBT功率半導體的主要應用領域有哪些？

IGBT模塊可以分為低壓（600V以下），中壓（600V-1200V）和壓（1200V-6700V），IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電...

2023-02-22 標簽：變頻器 IGBT 功率半導體 2.4k 0

如何證明IGBT模塊是功率半導體

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2023-02-22 標簽：模塊 IGBT 功率半導體 1.7k 0

功率二極管是什么

功率二極管作為最基本的電力電子器件，在電力電子系統(tǒng)中有著最廣泛的應用，其主要結(jié)構(gòu)——PN結(jié)是其他功率半導體器件的基礎。深刻理解二極管的工作特性，有助于學...

2023-02-21 標簽：功率二極管電力電子器件 IGBT 1.1k 0

IGCT是什么 igct和igbt有什么區(qū)別

　IGCT和IGBT之間的主要區(qū)別在于IGCT可以提供更高的效率和更低的損耗，而IGBT可以提供更高的功率密度和更低的噪聲。此外，IGCT可以提供更高的...

2023-02-21 標簽：IGBT IGCT 1.7萬 0

SiC器件的優(yōu)缺點！

在逆變器、電機驅(qū)動器和電池充電器等應用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。

2023-02-21 標簽：逆變器 IGBT SiC 4.3k 0

重新發(fā)現(xiàn)采用SIC FET的完美開關

有時有趣的是，事情如何改善或惡化取決于你的觀點。從利用電力的那一天起，就存在完美的開關——至少 18千沃爾特等世紀實驗者是這么認為的，他們用黃銅、木材和...

2023-02-21 標簽：DC-DC IGBT 晶體管 335 0

IGBT芯片制造工藝流程

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率...

2023-02-20 標簽：IGBT 直流電壓驅(qū)動電流 1.6萬 0

常見IGBT模塊及原理分析

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模塊是一種功率半導體器件，它是由多個IGBT芯片、反并聯(lián)二極管、驅(qū)動電路、...

2023-02-20 標簽：模塊 IGBT 功率半導體 8.3k 0

IGBT的結(jié)構(gòu)簡述 IGBT驅(qū)動電路的作用及基本特點

　　IGBT，中文名稱絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和...

2023-02-20 標簽：三極管 MOSFET IGBT 5.6k 0

IGBT-IPM是什么 IGBT-IPM的優(yōu)點

　　IGBT-IPM是一種集成電力模塊，它由一個IGBT（可控硅反激開關）和一個IPM（智能功率模塊）組成。它可以用于控制電機、變頻器、變壓器等電力電子...

2023-02-20 標簽：變頻器 IGBT IPM 2.9k 0

IGBT芯片的電熱性能分析

本文對IGBT芯片的電熱性能進行了廣泛的研究，用于IGBT芯片中的3D封裝結(jié)構(gòu)。在過去的幾年里，半導體技術取得了長足的進步，特別是在電力電子領域，在研究...

2023-02-19 標簽：IGBT 雙極晶體管 igbt芯片 2.1k 0

IGBT應用中的換流方式 IGBT上下橋短路的原因

　IGBT在應用中的換流方式主要有三種，即半橋換流、全橋換流和三相換流。

2023-02-19 標簽：晶閘管 IGBT 1.3萬 0

igbt單管和igbt模塊的區(qū)別 igbt工作原理和作用

IGBT單管的封裝形式比較簡單，只有一個IGBT晶體管，一個反向恢復二極管和一個可選的溫度傳感器，而IGBT模塊的封裝形式比較復雜

2023-02-19 標簽：溫度傳感器 IGBT 晶體管 1.4萬 0

氮化鎵功率器件分類氮化鎵充電器為什么充電快

　氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。

2023-02-19 標簽：晶閘管 IGBT 功率器件 2.8k 0

伺服電機驅(qū)動器IGBT怎么選擇？

伺服電機驅(qū)動器在生產(chǎn)應用中是廣泛的，而且其系統(tǒng)響應速度快，過載倍數(shù)高，小型化和高功率密度的趨勢更是對功率器件提出了更苛刻的要求。因此產(chǎn)品研發(fā)工程師在產(chǎn)品...

2023-02-19 標簽：驅(qū)動器 IGBT 伺服電機 3.1k 0

變頻器電機驅(qū)動使用什么IGBT？

對于為何使用FHA40T65A的IGBT代換FGH40N60SFD型號參數(shù)應用于變頻器電機驅(qū)動呢？相信會有比較多的電子開發(fā)工程會存在疑問。

2023-02-19 標簽：變頻器電機驅(qū)動 IGBT 1.7k 0

IGBT能替換FGH40N60SFD型號應用于破壁機電機驅(qū)動嗎?

FHA40T65A是一款場N溝道溝槽柵截止型IGBT，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通過優(yōu)化工藝，來獲得極低的 V...

2023-02-19 標簽：電機驅(qū)動 IGBT 1.8k 0

功率MOS電路原理解析

功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關，驅(qū)動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系...

2023-02-17 標簽：二極管 MOSFET IGBT 1.2k 0

IGBT的基礎知識

　　IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場效應管(MOS)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有(MOSFET)...

2023-02-16 標簽：MOSFET 場效應管 IGBT 2.3k 0

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